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郑大卫

作品数：3 被引量：13H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇多孔硅
  • 1篇砷离子
  • 1篇退火
  • 1篇退火过程
  • 1篇微观结构
  • 1篇离子注入
  • 1篇空位
  • 1篇SOI结构
  • 1篇硅
  • 1篇KINK效应
  • 1篇MOS场效应...
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应管

机构

  • 3篇复旦大学

作者

  • 3篇汤庭鳌
  • 3篇郑大卫
  • 2篇黄宜平
  • 1篇崔堑
  • 1篇张翔九
  • 1篇王晓晖
  • 1篇李爱珍

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇1995
  • 1篇1993
  • 1篇1990
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
SOI/MOSFET Kink效应的模拟和分析
1993年
非全耗尽SOI/MOS晶体管由于存在“Kink效应”而限制了它的应用范围。本文考虑了沟道夹断区的碰撞电离和横向寄生晶体管效应,对浮置衬底SOI/nMOS晶体管的电流—电压特性曲线进行了理论计算,讨论了Kink效应的产生机理。计算结果与实验符合甚好。对器件参数的分析可以定性地指导抑制Kink效应的器件优化设计。
王晓晖汤庭鳌郑大卫黄宜平C.A.Pazde Araujo
关键词：SOI结构MOS场效应管KINK效应
中性空位引起的本征扩散对硅中注入砷离子在退火过程中再分布的影响
1990年
本文对硅中砷扩散系数考虑了中性空位引起的本征扩散项D^0的影响,推导而得出D^0对表面浓度N_s,结深x_j(t)等的影响大约为5-10％。在离子注入退火的解析模型中考虑其影响是有实际意义的。
汤庭鳌郑大卫C.A.Paz de Araujo
关键词：离子注入硅砷离子退火
多孔硅的微观结构及其氧化特性被引量：13
1995年
采用ＴＥＭ技术研究了多孔硅微观结构．结果表明：当衬底材料为中等偏高掺杂（０．０３２Ω·ｃｍ）时，多孔硅具有两种不同类型的微观结构，它们的形成和阳极氧化反应电流密度有关．修正了Ｂｅａｌｅ关于多孔硅微观结构的形成模型．采用ＸＰＳ、ＩＲＳ和击穿电压测量，研究了多孔氧化硅的特性，发现多孔硅在低温下（７５０℃）的氧化特性，除了和多孔度有关外，和多孔硅的微观结构以及氧化前的热处理温度有关．
黄宜平郑大卫李爱珍汤庭鳌崔堑张翔九
关键词：多孔硅微观结构
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