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张翔九: 作品数：53 被引量：61H指数：4; 供职机构：复旦大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划国家教委资助优秀年轻教师基金更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术轻工技术与工程更多>>

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Si(001)上MBE异质生长Ge中表面活化剂Sb的作用的研究: 1997年; 本文利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术，研究了在Si（001）衬底上，用晶化了的无定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时，引入表面活化剂Sb所产生的影响．研究表明，Sb的引入将会使Si（001）衬底上无定形Ge膜的晶化温度显著提高，并在一定的生长条件下，破坏Ge外延层的结晶性．; 徐阿妹朱海军毛明春蒋最敏卢学坤胡际璜张翔九; 关键词：半导体砷化镓硅

锗催化生长的氧化硅纳米线及其制备方法: 本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种利用锗作为催化剂生长的氧化硅纳米线及其制备方法。采用本发明生长的氧化硅纳米线呈非晶态，其直径为20～30nm左右，长度达到数十微米。与以往报道的生长氧化硅纳米线不同，由于在生长过程中...; 蒋最敏聂天晓樊永良钟振扬杨新菊张翔九

微区中MBE共度生长SiGe/Si异质结构的应变和退火效应: 2007年; 报道了在Si衬底上微米尺寸的介质膜窗口中,采用分子束外延技术共度生长的Si0.8Ge0.2薄膜的应变及其退火特性.实验表明,微区生长材料的这些特性,与同一衬底上无边界约束条件下生长的材料相比,有明显的不同.微米尺寸窗口中生长的SiGe/Si材料的应变与窗口尺寸有关,也和窗口的掩膜中的内应力有关.实验还表明,边缘效应对于微区中共度生长的SiGe/Si材料的热稳定性也有显著的影响.在3μm×3μm窗口中共度生长的Si0.8Ge0.2/Si异质结构材料,在950℃高温退火30min后,它的应变弛豫不大于4%.远小于同一衬底上非微区生长材料的应变弛豫.文章还对微区生长材料的这些特性成因进行了探讨.; 杨鸿斌樊永良张翔九; 关键词：SIGE 位错分子束外延

一种新型结构的硅太阳能电池: 本实用新型为一种新型结构的硅太阳能电池，由硅衬底、n型材料和金属电极引线构成，其中，n+区与p+区设计成梳状交叉的结构形式，使P区被n+区部分覆盖。此结构...; 张翔九胡际璜; 文献传递

在Ge和SiGe复合缓冲层上生长高质量Ge／Si超晶格被引量：3: 1996年; 利用Ｇｅ的三维生长特性和迅速弛豫，在Ｓｉ衬底上形成有一定高度的岛状Ｇｅ层，继续生长不到２００ｎｍＳｉＧｅ合金就可获得较高质量的缓冲层．这种很薄的缓冲层已用于生长Ｇｅ／Ｓｉ短周期超晶格．超晶格的优良性能表明Ｇｅ岛技术是生长配晶体的有效方法．薄的外延厚度和低的工艺温度与集成电路工艺是完全相容的．; 盛篪周铁城龚大卫樊永良王建宝张翔九王迅; 关键词：元素半导体锗 SIGE合金硅超晶格

Si_（1－x）Ge_x／Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究: 1995年; 采用固源Ｓｉ分子束外延，在较高的生长温度于Ｓｉ（１００）衬底上制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ量子阱发光材料．发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、Ｘ射线双晶衍射及光致发光评估．背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应；Ｘ射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的，结晶完整性好．低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合．并讨论了生长温度对量于阱发光的影响．; 杨宇黄醒良刘晓晗黄大鸣蒋最敏龚大卫张翔九赵国庆; 关键词：分子束外延硅发光材料

用氢钝化Si(100)面抑制分子束处延界面的硼尖峰被引量：2: 1993年; 采用一种新的简便的氢钝化方法,可以在Si(100)衬底表面获得稳定的钝化层。用俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED),C-V和二次离子质谱(SIMS)等方法对衬底表面及其上面生长的分子束外延层进行检测,发现这种方法可以有效地防止衬底表面被碳、氧沾污,降低退火温度至少200℃,并完全消除外延层与Si(100)衬底界面处的高浓度硼尖峰。在此基础上,结合衬底表面锗束处理的实验结果,对硼尖峰的主要来源是由于硅衬底表面的氧化层这一观点提供了新的有力证据。; 卫星龚大卫杨小平吕宏强崔堑盛篪张翔九王迅王勤华陆昉孙恒慧; 关键词：分子束外延钝化

Evolution of Self-Organized Ge Quantum Dots During Ultra High Vacuum Annealing被引量：1: 2002年; The evolution of self organized Ge quantum dots structure is investigated by scanning tunneling microscopy and atomic force microscopy during annealing treatment up to 700℃ in an ultra high vacuum(UHV) system.When the sample temperature rises to 630℃,a great amount of new dots emerge on the wetting layer,which are believed to be incoherent islands compared with the dislocation free coherent islands formed during molecular beam epitaxy growth.; 胡冬枝杨建树蔡群张翔九胡际璜蒋最敏

3－5μm硅锗/硅异质结内发射红外探测器及其制备方法: 本发明属红外探测器技术领域，具体为一种3-5μm SiGe/Si异质结内发射红外探测器。其中的红外探测窗口为由分子束外延生长的Si1-xGex/Si异质结材料。该红外探测器工作...; 张翔九胡际璜; 文献传递

SiGe/Si异质结器件: 1994年; 自50年代初期,人们即已开始研究SiGe半导体材料。可是由于生长技术困难未能获得品质优良的半导体材料,因而在相当长的一个时期内,一直未受到重视。直到70年代中期,Kasper等彩用超高真空蒸发的方法,在Si衬底上生长出了品质良好的SiGe材料,才重新引起了人们的重视。以后,随着Si分子束外延技术(Molecular beam epitaxy。; 张翔九王迅; 关键词：异质结器件半导体材料硅; 全文增补中