盛篪
- 作品数：37 被引量：73H指数：5
- 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- Si(111)分子束外延生长时RHEED强度振荡的观察
- 1989年
- 本文报道用反射式高能电子衍射的强度振荡测量来观察Si(111)衬底上分子束外延的生长行为,观察到了双原子层的振荡模式。振荡的衰减和恢复特性不同于Si(100)衬底上的生长行为,而同GaAs分子束外延时的特性非常相似。
- 金高龙陈可明盛篪周国良蒋维栋张翔九
- 关键词：SI分子束RHEED振荡
- Ge/Si超晶格喇曼谱研究被引量：2
- 1991年
- 我们用喇曼光散射的方法,观察了应变层超晶格的折迭声学声子,从而验证了材料的超晶格多层结构.将实验中观察到的频率和理论计算值进行比较表明,所研究样品的标称值和喇曼实验是基本相符合的.根据光学限制模的频率移动,估算了超晶格样品中Ge层和Si层的应变分布.
- 金鹰张树霖秦国刚盛篪周铁城
- 关键词：喇曼散射超晶格散射谱GE/SI
- 分子束外延系统中生长Si/SiO_2超晶格及其发光被引量：2
- 1998年
- 在硅分子束外延（ＭＢＥ）系统中，利用Ｓｉ和Ｏ２共淀积的方法生长出化学配比理想的ＳｉＯ２。
- 林峰盛篪龚大卫刘晓晗
- 关键词：分子束外延硅二氧化硅超晶格
- 用分子束外延在多孔硅衬底上外延单晶硅来实现SOI结构被引量：7
- 1991年
- 用 HF溶液对单晶Si片进行阳极化处理,形成多孔 Si.将多孔Si衬底放入超高真空室在小剂量的Si原子束辐照下进行加热处理,在较低温度下(725—750℃)获得了清洁有序的表面.用分子束外延在多孔Si上生长了1-2μm的单晶Si膜,其卢瑟福背散射沟道产额极小X_(min)<3％,表明外延膜的单晶性能良好.SOI结构已通过随后的侧向氧化多孔Si层获得.
- 周国良盛篪樊永良张翔九俞鸣人黄宜平
- 关键词：分子束外延单晶硅SOI结构
- 用喇曼光谱表征锗硅应变层超晶格被引量：1
- 1990年
- 对Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的喇曼光谱研究表明,这类样品中各层间的应力分配取决于缓冲层组分。合金层中的Ge—Si峰峰移δω随组分x或应变ε作线性变化。对Ge_n/Si_n(n为原子层数)超晶格的喇曼光谱研究表明,在n=4的超薄层超晶格中,锗硅界面互混程度较小,并发现样品的生长温度对其质量有决定性影响。
- 徐建国王建宝盛篪孙恒慧郑思定姚文华
- 关键词：喇曼光谱锗硅应变层超晶格
- Ge/Si超导型和Ge_xSi_(1-x)/Si合金型超晶格的分子束外延生长和特性研究
- 1990年
- 用分子束外延(MBE)技术生长了Ge/Si超薄型超晶格和Ge_xSi_(1-x)/Si合金型超晶格。用RHEED强度振荡技术生长出了非常陡峭和平整的Si/Ge异质结界面。在Si(001)上生长的一个单原子层Ge和一个单原子层Si的多层结构是可以得到的最薄的超晶格。合金型超晶格的厚度可满足器件制造的要求并避免了失配位错的产生。用XTEM、RBS及X射线衍射对外延晶体质量作了签定,用Raman谱和电调制反射谱对超晶格的光学特性进行了研究。
- 盛篪俞鸣人王迅
- 关键词：GE/SI超晶格分子束外延生长失配位错
- Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格X-射线双晶衍射的运动学研究被引量：5
- 1992年
- 本文利用X射线双晶衍射对应变层超晶格进行了研究.我们从超晶格的台阶模型出发,运用运动学理论,推导出了X射线衍射强度的表达式,清楚地揭示了合金成分x,应变,层厚比与迴摆曲线强度分布的关系.对Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格双晶X射线衍射强度的模拟结果与实验结果符合很好.
- 段晓峰冯国光王玉田褚一鸣刘学锋盛篪周国良
- 关键词：GESI/SI超晶格双晶衍射运动学
- 硅锗分子束外延层表面形貌的扫描隧道显微镜研究
- 1994年
- 本文用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）在大气环境中对硅分子束外延生长的一系列样品表面进行了形貌研究．在实空间观测到硅衬底上异质外延生长锗的初期表面形成锗岛，在检测外延生长层表面质量方面对反射式高能电子衍射（ＫＨＥＥＤ）和扫描隧道显微镜进行了比较．
- 周铁城蔡群朱昂如董树忠盛篪俞鸣人张翔龙王迅
- 关键词：分子束外延锗
- Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究
- 1991年
- 在Si(100)衬底上用分子束外延在不同的温度下生长了不同组份的Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格。用反射式高能电子衍射、X射线双晶衍射、卢瑟福背散射、透射电子显微镜以及Raman。散射等测试方法研究了Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的生长及其结构特性。结果表明,对不同合金组份的超晶格,其最佳生长温度不同。x值小,生长温度高;反之,则要求生长温度低。对于x为0.1—0.6,在400—600℃的生长温度范围能够长成界面平整、晶格完好和周期均匀的Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格。
- 周国良盛篪樊永良蒋维栋俞鸣人
- 关键词：硅化锗超晶格分子束外延SI
- 在Ge和SiGe复合缓冲层上生长高质量Ge／Si超晶格被引量：3
- 1996年
- 利用Ｇｅ的三维生长特性和迅速弛豫，在Ｓｉ衬底上形成有一定高度的岛状Ｇｅ层，继续生长不到２００ｎｍＳｉＧｅ合金就可获得较高质量的缓冲层．这种很薄的缓冲层已用于生长Ｇｅ／Ｓｉ短周期超晶格．超晶格的优良性能表明Ｇｅ岛技术是生长配晶体的有效方法．薄的外延厚度和低的工艺温度与集成电路工艺是完全相容的．
- 盛篪周铁城龚大卫樊永良王建宝张翔九王迅
- 关键词：元素半导体锗SIGE合金硅超晶格
