崔堑
- 作品数：5 被引量：16H指数：2
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：上海市青年科技启明星计划基础研究重大项目前期研究专项国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 多孔硅的微观结构及其氧化特性被引量：13
- 1995年
- 采用ＴＥＭ技术研究了多孔硅微观结构．结果表明：当衬底材料为中等偏高掺杂（０．０３２Ω·ｃｍ）时，多孔硅具有两种不同类型的微观结构，它们的形成和阳极氧化反应电流密度有关．修正了Ｂｅａｌｅ关于多孔硅微观结构的形成模型．采用ＸＰＳ、ＩＲＳ和击穿电压测量，研究了多孔氧化硅的特性，发现多孔硅在低温下（７５０℃）的氧化特性，除了和多孔度有关外，和多孔硅的微观结构以及氧化前的热处理温度有关．
- 黄宜平郑大卫李爱珍汤庭鳌崔堑张翔九
- 关键词：多孔硅微观结构
- SiGe／Si量子阱的低温光荧光和电注入发光
- 1996年
- 使用Ｓｉ－ＭＢＥ生长了阶梯形折射率分布ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱材料，在低温下观测到无声子参与的光荧光和电注入发光．阶梯形折射率分布ＳｉＧｅ／Ｓｉ电子阱结构有利于提高发光效率．讨论了这种结构的光学和电学特性．
- 董文甫王启明杨沁清崔堑周钧铭黄绮
- 关键词：光荧光锗化硅半导体
- Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性被引量：1
- 1997年
- 采用一种晶向性腐蚀方法，在（100）Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构，经SiGeMBE外延后，从SEM照片上可以看出，SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构．非平面结构上的SiGe层的发光强度为平面结构上的8～10倍．从SiGe层内发出的发光强度占样品总发光强度的96％，且m≈1．1的值表明外延层的质量及时载流子的收集效率是高的．随着激发功率的增加，可以看到PL谱的蓝移．
- 杨沁清钱毅董文甫王启明崔堑黄绮周钧铭
- 关键词：硅光致发光
- 用氢钝化Si(100)面抑制分子束处延界面的硼尖峰被引量：2
- 1993年
- 采用一种新的简便的氢钝化方法,可以在Si(100)衬底表面获得稳定的钝化层。用俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED),C-V和二次离子质谱(SIMS)等方法对衬底表面及其上面生长的分子束外延层进行检测,发现这种方法可以有效地防止衬底表面被碳、氧沾污,降低退火温度至少200℃,并完全消除外延层与Si(100)衬底界面处的高浓度硼尖峰。在此基础上,结合衬底表面锗束处理的实验结果,对硼尖峰的主要来源是由于硅衬底表面的氧化层这一观点提供了新的有力证据。
- 卫星龚大卫杨小平吕宏强崔堑盛篪张翔九王迅王勤华陆昉孙恒慧
- 关键词：分子束外延钝化
- 高能电子衍射研究H钝化偏角Si衬底上Si,Ge_xSi_(1-x)的分子束外延生长模式
- 1996年
- 用高能电子衍射(RHEED)研究H钝化偏角Si衬底上Si,Ge_xSi(1-x)材料的分子束外延(MBE)生长模式,发现经低温处理的H钝化Si衬底上要经过10nm左右的Si生长才能获得比较平整的表面.Si,Ge_xSi_(l-x)外延时的稳定表面均以双原子台阶为主,双原子台阶与单原子台阶并存的结构.Si双原子台阶上的Si二聚体列(dimer row)取向垂直于台阶边缘,而Ge_xSi_(1-x)双原子台阶上的二聚体列取向却与台阶边缘平行(相对于Si二聚体列转90°),并且Ge_xSi_(l-x)双原子台阶边缘比Si双原子台阶边缘平直.
- 崔堑黄绮陈弘周均铭
- 关键词：分子束外延锗
