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董文甫

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 3篇半导体
  • 2篇晶格
  • 2篇光学
  • 2篇SI
  • 2篇硅
  • 2篇超晶格
  • 1篇导体
  • 1篇异质结
  • 1篇跃迁
  • 1篇锗硅
  • 1篇锗硅合金
  • 1篇锗化硅
  • 1篇声子
  • 1篇量子
  • 1篇光学增益
  • 1篇光荧光
  • 1篇光跃迁
  • 1篇光增益
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇董文甫
  • 3篇杨沁清
  • 2篇黄绮
  • 2篇崔堑
  • 2篇王启明
  • 2篇周钧铭
  • 2篇王启明
  • 1篇钱毅

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇光学学报

年份

  • 1篇1997
  • 3篇1996
  • 1篇1995
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
锗硅合金半导体中无声子参与光跃迁机制研究
1996年
研究了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金半导体中无声子参与光跃迁的产生机制，对由杂质无规分布引起的无声子参与光跃迁给出了一个物理模型。用此模型计算了光跃迁偶极矩，给出了跃迁偶极矩的上限。提出了未掺杂Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金半导体中无声子参与光跃迁的一种跃迁机制。
董文甫董文甫杨沁清
关键词：锗硅合金半导体光跃迁
应变（Ge）_5／（Si）_5超晶格的光学增益
1995年
本文采用具有驰豫展宽的半导体激光器密度矩阵理论计算了（Ｇｅ）５／（Ｓｉ）５超晶格的线性光增益和异质结激光器的国值电流密度，从理论上定量地比较了（Ｇｅ）５／（Ｓｉ）５超晶格和ＧａＡｓ体材料的线性光增益和阈值电流密度．
董文甫王启明
关键词：超晶格光增益
SiGe／Si量子阱的低温光荧光和电注入发光
1996年
使用Ｓｉ－ＭＢＥ生长了阶梯形折射率分布ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱材料，在低温下观测到无声子参与的光荧光和电注入发光．阶梯形折射率分布ＳｉＧｅ／Ｓｉ电子阱结构有利于提高发光效率．讨论了这种结构的光学和电学特性．
董文甫王启明杨沁清崔堑周钧铭黄绮
关键词：光荧光锗化硅半导体
Si1-xGex/Si异质结光学性质研究
董文甫
关键词：半导体材料半导体量子阱超晶格
Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性被引量：1
1997年
采用一种晶向性腐蚀方法，在（100）Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构，经SiGeMBE外延后，从SEM照片上可以看出，SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构．非平面结构上的SiGe层的发光强度为平面结构上的8～10倍．从SiGe层内发出的发光强度占样品总发光强度的96％，且m≈1．1的值表明外延层的质量及时载流子的收集效率是高的．随着激发功率的增加，可以看到PL谱的蓝移．
杨沁清钱毅董文甫王启明崔堑黄绮周钧铭
关键词：硅光致发光
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