崔琦
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 异质结界面的暗电流检测
- 本文采用电化学C-V测试方法,测量分析了InP/InGaAs/InP外延结构的I-V特性,对异质结界面的电学性质进行了表征和分析。用逐层化学腐蚀的方法,对比分析了I-V特性与XRD测试结果的关系,论证了I-V测试结果的有...
- 林琳刘英斌陈宏泰王晶崔琦
- 关键词：半导体材料异质结界面
- 文献传递
- 沟道应力对GaAs PHEMT材料电性能的影响
- 2009年
- 设计并用分子束外延(MBE)法制备了不同沟道结构的GaAs PHEMT材料,采用高分辨率X射线双晶衍射仪(DCXRD)、应力测试仪和霍尔测试仪对样品的结晶质量、薄层组分和厚度偏差、应力以及电子迁移率进行了分析表征。探讨了外延片应力与沟道结构的相关性,研究了沟道失配应力对电性能的影响机理。建立了GaAs PHEMT材料热应力引起电子传输特性退化的试验方法,进行了高温和低温存储后材料电性能的演化行为测试,并归纳了热应力引起材料电特性退化的实验结果。结果表明GaAs PHEMT材料经高、低温存储并恢复室温后仍能保持原有电性能,沟道应力对材料电性能的影响主要表现为失配应力。
- 卜夏正武一宾商耀辉牛晨亮赵辉崔琦
- 关键词：热应力电性能
- InP基异质结界面暗电流C-V测试分析
- 2008年
- 采用电化学C-V测试方法,测量分析了InP/InGaAs/InP外延结构的I-V特性,对异质结界面的电学性质进行了表征和分析。采用LP-MOCVD生长技术,对不同界面生长条件的三种样品进行了I-V和XRD测试,得到了InP向InGaAs界面转换采用中断生长、InGaAs向InP界面转换采用As/P直接切换的优化生长方式。用逐层化学腐蚀的方法,对比分析了I-V特性与XRD测试结果的关系,论证了I-V测试结果的有效性,指出了表征异质结界面电学质量的简洁方法。
- 林琳刘英斌陈宏泰王晶崔琦
- 关键词：暗电流I-V特性异质结界面
- GaAs PHEMT材料电子迁移率的非接触测试
- 2014年
- 非接触迁移率测试是一种测试载流子浓度以及迁移率的新型方法,与传统的范德堡霍尔测试相比,具有无损测量和分层测试等诸多优点。分别采用传统的范德堡霍尔测试法和新型的非接触迁移率测试法对不同帽层厚度、不同掺杂浓度的GaAs PHEMT样品进行测试分析。结果表明,在盖帽层很薄的情况下,两种测试方法所测得的电子浓度以及迁移率一致,而在盖帽层较厚的情况下,由于受盖帽层重掺杂电子的影响,范德堡霍尔测试无法测得沟道内二维电子气(2DEG)浓度和迁移率,而非接触式迁移率测试法可以将盖帽层和沟道层分开,准确地测得沟道内2DEG浓度和迁移率。
- 张培凤崔琦
- 关键词：迁移率电子浓度
- 泊松比取值对InGaAs/GaAs异质结组分分析的影响
- 2015年
- 通过对InxGa1-xAs泊松比的两级优化,讨论了泊松比取值对InxGa1-xAs/GaAs异质结应变层中组分分析的影响。以PB模型计算的临界厚度为指导,设计了一组实验,采用分子束外延(MBE)技术生长不同In组分、不同应变层厚度的InxGa1-xAs/GaAs异质结样品且进行X射线双晶衍射测试,并依据该结果分析应变层组分。对于影响组分分析的泊松比,通过线性内插法将应变层泊松比优化为组分的函数,并分别采用传统的单一值和优化的泊松比分析应变层的组分:泊松比取单一值1/3时,组分偏差高达0.009 1,取优化的泊松比时,偏差仅0.001 5。研究表明,相对于取单一值和线性内插法优化的泊松比,采用线性内插弹性系数优化的泊松比可以更准确地分析异质结应变层的组分。
- 张培凤杨建业韩颖张曦张珂崔琦
- 关键词：泊松比
