林琳
- 作品数：37 被引量：34H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- InP基异质结界面暗电流C-V测试分析
- 2008年
- 采用电化学C-V测试方法,测量分析了InP/InGaAs/InP外延结构的I-V特性,对异质结界面的电学性质进行了表征和分析。采用LP-MOCVD生长技术,对不同界面生长条件的三种样品进行了I-V和XRD测试,得到了InP向InGaAs界面转换采用中断生长、InGaAs向InP界面转换采用As/P直接切换的优化生长方式。用逐层化学腐蚀的方法,对比分析了I-V特性与XRD测试结果的关系,论证了I-V测试结果的有效性,指出了表征异质结界面电学质量的简洁方法。
- 林琳刘英斌陈宏泰王晶崔琦
- 关键词：暗电流I-V特性异质结界面
- 808nm无铝有源区激光器
- 无铝材料激光器具有长期可靠性高的优点。本文设计制作了808nm无铝有源区激光器InGaAsP/GaInP/AlGaInP,器件结果:工作波长808nm,腔面未镀膜1mm腔长,阈值电流密度286A/cm<'2>、斜率效率1...
- 陈宏泰刘英斌杨红伟赵润林琳王晶
- 关键词：阈值电流密度斜率效率
- 文献传递
- 窄发散角脊波导半导体激光器
- 本发明公开了一种窄发散角脊波导半导体激光器，包括衬底层、缓冲层、N型限制层、下限制层、下波导层、多量子阱区、上波导层、上限制层、腐蚀阻挡层、P型限制层和电极接触层；在缓冲层和N型限制层之间还设有扩展波导层，扩展波导层为N...
- 车相辉赵润曹晨涛陈宏泰宁吉丰张宇位永平郝文嘉王彦照林琳杨红伟
- 文献传递
- 900nm三叠层隧道级联激光器的结构优化研究被引量：4
- 2010年
- 采用金属有机化合物气相淀积方法生长了900nm的三叠层隧道级联激光器。针对隧道级联激光器存在工作电压高、材料各层的光场耦合等问题,分别采用δ掺杂、扩展波导等技术对激光器结构进行了优化,并通过模拟计算对隧道结耗尽区宽度进行了优化。通过优化隧道结δ掺杂的生长条件,得到n+GaAs的掺杂浓度大于1×1019/cm3,使工作电压下降1V;通过采用扩展波导,使垂直发散角由常规结构的35°减小到20°。将900nm的三叠层隧道级联激光器制作成条宽300μm、腔长800μm的条形激光器,采用同轴封装形式,在20A的脉冲工作电流下,输出功率达到55W,斜率效率达到2.9W/A,以上指标是普通激光器的3倍。
- 林琳陈宏泰安志民车相辉王晶
- 关键词：隧道结半导体激光器金属有机化合物气相淀积Δ掺杂
- 976nm高效率半导体激光器被引量：5
- 2011年
- 976 nm高效率半导体激光器是这几年研究的热点,在固体激光器泵浦领域有广阔的应用。通过优化半导体激光器材料外延结构中包覆层和波导层的铝组分,降低了工作电压;通过采用微通道水冷系统,并进行优化降低了热阻,从而提高了室温下的电光转换效率。25℃室温连续测试条件下,1 cm的线阵列(巴条),2 mm腔长,50%填充因子,在110 A下,出光功率为114.2 W,电压为1.46 V,电光转换效率为71%。15条微通道封装成的垂直叠阵,进行光束整形后,获得了室温976 nm连续输出功率1 500 W,电光转换效率大于70%。
- 安振峰林琳徐会武陈宏泰车相辉王晶位永平
- 关键词：半导体激光器线阵列
- 异质结界面的暗电流检测
- 本文采用电化学C-V测试方法,测量分析了InP/InGaAs/InP外延结构的I-V特性,对异质结界面的电学性质进行了表征和分析。用逐层化学腐蚀的方法,对比分析了I-V特性与XRD测试结果的关系,论证了I-V测试结果的有...
- 林琳刘英斌陈宏泰王晶崔琦
- 关键词：半导体材料异质结界面
- 文献传递
- 高斜率效率隧道结叠层激光器的研制被引量：4
- 2008年
- 隧道结叠层激光器技术具有广泛的应用空间,如高斜率效率、高功率密度、多波长激光器等。采用LP-MOCVD系统生长隧道结材料,CCl4作为p型掺杂源,SiH4作为n型掺杂源,并采用δ掺杂技术,使得n+-GaAs的掺杂浓度大于1×1019/cm3,隧道结的面电阻率小于2×10-4Ω.cm2。设计生长了双叠层、三叠层材料,该材料制作的900nm双叠层激光器在200ns脉宽、20A工作电流下输出功率35W,斜率效率1.8W/A,是单层材料的1.8倍,隧穿结引入的压降约为0.15V;860nm三叠层激光器的斜率效率大于2.7W/A,是单层材料的2.7倍。
- 陈宏泰张世祖杨红伟林琳王晓燕花吉珍刘英斌安振峰
- 关键词：半导体激光器隧道结
- 一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构
- 本发明涉及双异质结双极晶体管(DHBT)技术领域，尤其是涉及npn型InGaAs/InP DHBT技术领域，具体公开了一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构，自磷化铟衬底向上依次包括轻掺杂的N型磷化铟集电区层、能带渐...
- 张宇陈宏泰车相辉林琳位永平王晶郝文嘉于浩
- 文献传递
- 多叠层隧道级联半导体激光器
- 本发明公开了一种多叠层隧道级联半导体激光器，属于半导体激光器领域。本发明包括2-4个垂直连接的单层激光器单元；相邻两单层激光器单元之间按照半导体晶体生长规则通过具有特殊结构的隧道结单元层生长连接；隧道结单元包括高掺杂的P...
- 陈宏泰林琳车相辉王晶位永平张宇宁吉丰
- 文献传递
- 采用MOCVD生长方法制备量子级联激光器研究进展
- 量子级联激光器(QCL)是一种基于子带间电子跃迁的中、远红外波段单极光源。由于MOCVD较MBE具有更快的生长速率,高质量的磷化物生长、低缺陷密度等优势更适合工业化生产,越来越多的量子级联激光器采用这种方法制备,并实现了...
- 林琳陈宏泰杨红伟刘英斌安振峰
- 关键词：量子级联激光器MOCVD
- 文献传递
