王晶
- 作品数：36 被引量：21H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺核科学技术更多>>
- 一种低暗电流高响度InGaAs/InP pin光电探测器被引量：3
- 2014年
- 分析了InGaAs/InP pin光电探测器暗电流和响应度的影响因素,并对MOCVD外延工艺以及器件结构进行优化,从而提高器件响应度和降低暗电流。采用低压金属有机化学气相沉积设备(LP-MOCVD)成功制备了InGaAs/InP pin光电探测器,得到了高质量的晶体材料,InGaAs吸收层的背景浓度低于4×1014 cm-3。利用扩Zn工艺制作出感光区直径为70μm的平面光电探测器。测量结果显示,在反偏电压为5 V时,暗电流小于0.05 nA,电容约为0.4 pF。此外,在1 310 nm激光的辐照下,器件的响应度可达0.96 A/W以上。
- 车相辉张宇宁吉丰李洪涛王晶位永平张豫黔赵润陈宏泰
- 关键词：INGAAS光电探测器暗电流响应度
- InP基异质结界面暗电流C-V测试分析
- 2008年
- 采用电化学C-V测试方法,测量分析了InP/InGaAs/InP外延结构的I-V特性,对异质结界面的电学性质进行了表征和分析。采用LP-MOCVD生长技术,对不同界面生长条件的三种样品进行了I-V和XRD测试,得到了InP向InGaAs界面转换采用中断生长、InGaAs向InP界面转换采用As/P直接切换的优化生长方式。用逐层化学腐蚀的方法,对比分析了I-V特性与XRD测试结果的关系,论证了I-V测试结果的有效性,指出了表征异质结界面电学质量的简洁方法。
- 林琳刘英斌陈宏泰王晶崔琦
- 关键词：暗电流I-V特性异质结界面
- 808nm无铝有源区激光器
- 无铝材料激光器具有长期可靠性高的优点。本文设计制作了808nm无铝有源区激光器InGaAsP/GaInP/AlGaInP,器件结果:工作波长808nm,腔面未镀膜1mm腔长,阈值电流密度286A/cm<'2>、斜率效率1...
- 陈宏泰刘英斌杨红伟赵润林琳王晶
- 关键词：阈值电流密度斜率效率
- 文献传递
- 900nm三叠层隧道级联激光器的结构优化研究被引量：4
- 2010年
- 采用金属有机化合物气相淀积方法生长了900nm的三叠层隧道级联激光器。针对隧道级联激光器存在工作电压高、材料各层的光场耦合等问题,分别采用δ掺杂、扩展波导等技术对激光器结构进行了优化,并通过模拟计算对隧道结耗尽区宽度进行了优化。通过优化隧道结δ掺杂的生长条件,得到n+GaAs的掺杂浓度大于1×1019/cm3,使工作电压下降1V;通过采用扩展波导,使垂直发散角由常规结构的35°减小到20°。将900nm的三叠层隧道级联激光器制作成条宽300μm、腔长800μm的条形激光器,采用同轴封装形式,在20A的脉冲工作电流下,输出功率达到55W,斜率效率达到2.9W/A,以上指标是普通激光器的3倍。
- 林琳陈宏泰安志民车相辉王晶
- 关键词：隧道结半导体激光器金属有机化合物气相淀积Δ掺杂
- 976nm高效率半导体激光器被引量：5
- 2011年
- 976 nm高效率半导体激光器是这几年研究的热点,在固体激光器泵浦领域有广阔的应用。通过优化半导体激光器材料外延结构中包覆层和波导层的铝组分,降低了工作电压;通过采用微通道水冷系统,并进行优化降低了热阻,从而提高了室温下的电光转换效率。25℃室温连续测试条件下,1 cm的线阵列(巴条),2 mm腔长,50%填充因子,在110 A下,出光功率为114.2 W,电压为1.46 V,电光转换效率为71%。15条微通道封装成的垂直叠阵,进行光束整形后,获得了室温976 nm连续输出功率1 500 W,电光转换效率大于70%。
- 安振峰林琳徐会武陈宏泰车相辉王晶位永平
- 关键词：半导体激光器线阵列
- 异质结界面的暗电流检测
- 本文采用电化学C-V测试方法,测量分析了InP/InGaAs/InP外延结构的I-V特性,对异质结界面的电学性质进行了表征和分析。用逐层化学腐蚀的方法,对比分析了I-V特性与XRD测试结果的关系,论证了I-V测试结果的有...
- 林琳刘英斌陈宏泰王晶崔琦
- 关键词：半导体材料异质结界面
- 文献传递
- InAlN材料的酸碱交替选择湿法腐蚀方法
- 本发明公开了InAlN材料的酸碱交替选择湿法腐蚀方法，涉及半导体器件或部件的制造或处理技术领域，包括以下步骤：（1）碱性腐蚀液腐蚀In<Sub>x</Sub>AlN：将待腐蚀In<Sub>x</Sub>AlN晶圆片用碱性...
- 邢东冯志红王晶刘波房玉龙敦少博
- 文献传递
- 一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构
- 本发明涉及双异质结双极晶体管(DHBT)技术领域，尤其是涉及npn型InGaAs/InP DHBT技术领域，具体公开了一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构，自磷化铟衬底向上依次包括轻掺杂的N型磷化铟集电区层、能带渐...
- 张宇陈宏泰车相辉林琳位永平王晶郝文嘉于浩
- 文献传递
- 多叠层隧道级联半导体激光器
- 本发明公开了一种多叠层隧道级联半导体激光器，属于半导体激光器领域。本发明包括2-4个垂直连接的单层激光器单元；相邻两单层激光器单元之间按照半导体晶体生长规则通过具有特殊结构的隧道结单元层生长连接；隧道结单元包括高掺杂的P...
- 陈宏泰林琳车相辉王晶位永平张宇宁吉丰
- 文献传递
- InAlN材料的酸碱交替选择湿法腐蚀方法
- 本发明公开了InAlN材料的酸碱交替选择湿法腐蚀方法，涉及半导体器件或部件的制造或处理技术领域，包括以下步骤：（1）碱性腐蚀液腐蚀In<Sub>x</Sub>AlN：将待腐蚀In<Sub>x</Sub>AlN晶圆片用碱性...
- 邢东冯志红王晶刘波房玉龙敦少博
