陈宏泰
- 作品数：93 被引量：83H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金国家部委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺核科学技术更多>>
- 晶体管外延材料制备方法、场效应管、放大电路及放大器
- 本申请适用于半导体技术领域，提供了晶体管外延材料制备方法、场效应管、放大电路及放大器，该方法包括：将GaAs衬底放置于衬底托盘上；在GaAs衬底的上方生长GaAs缓冲层；在GaAs缓冲层上方以第一预设温度生长第一预设数量...
- 于根源师巨亮牛晨亮陈宏泰房玉龙
- 一种金刚石衬底GaN外延方法
- 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种金刚石衬底GaN外延方法。本发明通过在金刚石衬底上溅射生长AlN缓冲层，并形成AlN/金刚石模板，将AlN/金刚石模板进行退火处理，在退火后的AlN缓冲层上生长GaN外延层，其中，对...
- 王波房玉龙尹甲运张志荣高楠芦伟立李佳陈宏泰牛晨亮
- 采用MOCVD生长方法制备量子级联激光器研究进展
- 量子级联激光器(QCL)是一种基于子带间电子跃迁的中、远红外波段单极光源。由于MOCVD较MBE具有更快的生长速率,高质量的磷化物生长、低缺陷密度等优势更适合工业化生产,越来越多的量子级联激光器采用这种方法制备,并实现了...
- 林琳陈宏泰杨红伟刘英斌安振峰
- 关键词：量子级联激光器MOCVD
- 文献传递
- InGaAs/InP材料的Zn扩散技术被引量：4
- 2008年
- 使用MOCVD反应室进行了InGaAs和InP材料上的Zn扩散工艺条件研究。通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间三个主要工艺参数,研究了InGaAs/InP材料的扩散系数和扩散规律,获得了优化的扩散条件。试验表明,该扩散工艺符合原子扩散规律,扩散现象可以用填隙-替位模型解释。样品经过快速退火过程,获得了极高的空穴浓度。InP的空穴浓度达到7.7×1018/cm3,而InGaAs材料达到7×1019/cm3。在优化的扩散条件下,Zn扩散的深度和浓度精确可控,材料的均匀性好,工艺重复性好,能够应用于光电探测器或其他器件。
- 刘英斌陈宏泰林琳杨红伟郑晓光
- 关键词：金属有机化学气相淀积退火光电探测器
- 多叠层隧道级联半导体激光器
- 本实用新型公开了一种多叠层隧道级联半导体激光器，属于半导体激光器领域。本实用新型包括2-4个垂直连接的单层激光器单元；相邻两单层激光器单元之间按照半导体晶体生长规则通过具有特殊结构的隧道结单元层生长连接；隧道结单元包括高...
- 陈宏泰林琳车相辉王晶位永平张宇宁吉丰
- 文献传递
- 砷化镓外延层的制备方法及结构
- 本发明提供一种砷化镓外延层的制备方法及结构。该方法包括：在As束流的保护下，将GaAs衬底的温度设置为第一预设温度，打开Ga束流，在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；打开P型掺杂源束流，在GaAs缓冲层上生长P型体掺杂G...
- 刘兴述商耀辉房玉龙牛晨亮陈宏泰
- 850nm窄发散角单模半导体激光器材料研究被引量：2
- 2023年
- 短距离激光雷达技术应用广泛,但是要求器件的发散角比较小。针对器件的发散角,通过商用软件和波导模拟软件,设计850nm GaAs/AlGaAs扩展波导外延材料结构。采用非对称波导结构设计,有助于降低内部光学损耗,提高激光器的斜率效率,降低激光器功耗。通过优化腐蚀阻挡层GaInP的掺杂浓度,消除能带不连续导致器件电压升高问题。采用MOCVD生长了带有腐蚀阻挡层的AlGaAs/GaAs非对称扩展波导外延片,并制作成条宽2.5μm、腔长1mm的激光器芯片。测试结果表明,室温条件直流条件测试下,阈值电流为35mA,斜率效率为1.2 W/A,输出功为200mW@200mA,快轴发散角测试为15°。
- 宁吉丰王彦照陈宏泰房玉龙
- 关键词：单模激光二极管
- 隧道结半导体激光器
- 陈宏泰车相辉宁吉丰王彦照曹晨涛张
- 所属科学技术领域：该项目属于“大功率半导体激光器”研究领域，研究的对象为“隧道结叠层半导体激光器”光。
主要科学技术内容及创新点：该项目通过隧道结技术研究、外延材料结构设计研究、材料外延生长工艺研究及外延材料测试分析和...
- 关键词：
- 关键词：半导体激光器
- 一种低暗电流高响度InGaAs/InP pin光电探测器被引量：3
- 2014年
- 分析了InGaAs/InP pin光电探测器暗电流和响应度的影响因素,并对MOCVD外延工艺以及器件结构进行优化,从而提高器件响应度和降低暗电流。采用低压金属有机化学气相沉积设备(LP-MOCVD)成功制备了InGaAs/InP pin光电探测器,得到了高质量的晶体材料,InGaAs吸收层的背景浓度低于4×1014 cm-3。利用扩Zn工艺制作出感光区直径为70μm的平面光电探测器。测量结果显示,在反偏电压为5 V时,暗电流小于0.05 nA,电容约为0.4 pF。此外,在1 310 nm激光的辐照下,器件的响应度可达0.96 A/W以上。
- 车相辉张宇宁吉丰李洪涛王晶位永平张豫黔赵润陈宏泰
- 关键词：INGAAS光电探测器暗电流响应度
- 一种N面分立的倒序结构激光器芯片及制备方法
- 本申请公开了一种N面分立的倒序结构激光器芯片及制备方法，属于半导体激光器技术领域。所述N面分立的倒序结构激光器芯片，包括：一N型衬底及在所述N型衬底的上表面从下至上依次生长的隧道结层、P型限制层、P型波导层、量子阱层、N...
- 王彦照张岩宁吉丰陈宏泰李扬
