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宁吉丰

作品数：27 被引量：18H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 12篇电子电信
  • 1篇核科学技术

主题

  • 21篇激光
  • 21篇激光器
  • 14篇半导体
  • 14篇半导体激光
  • 14篇半导体激光器
  • 7篇隧道结
  • 7篇波导
  • 6篇单模
  • 5篇隧道级联
  • 5篇功率
  • 5篇MOCVD
  • 4篇叠层
  • 3篇单模激光
  • 3篇单模激光器
  • 3篇电光
  • 3篇电光转换
  • 3篇电光转换效率
  • 3篇电极接触
  • 3篇载流子
  • 3篇上光

机构

  • 27篇中国电子科技...

作者

  • 27篇宁吉丰
  • 24篇陈宏泰
  • 20篇车相辉
  • 16篇王彦照
  • 13篇王晶
  • 12篇张宇
  • 12篇位永平
  • 11篇林琳
  • 7篇赵润
  • 6篇张岩
  • 3篇杨红伟
  • 3篇郝文嘉
  • 2篇任永学
  • 1篇张豫黔
  • 1篇王英顺
  • 1篇彭海涛
  • 1篇杨中月
  • 1篇房玉龙
  • 1篇蒋红旺
  • 1篇于浩

传媒

  • 6篇半导体技术
  • 3篇第13届全国...
  • 1篇中国标准化
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇标准科学

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 5篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 5篇2014
  • 2篇2012
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
多叠层隧道级联半导体激光器
本发明公开了一种多叠层隧道级联半导体激光器，属于半导体激光器领域。本发明包括2-4个垂直连接的单层激光器单元；相邻两单层激光器单元之间按照半导体晶体生长规则通过具有特殊结构的隧道结单元层生长连接；隧道结单元包括高掺杂的P...
陈宏泰林琳车相辉王晶位永平张宇宁吉丰
文献传递
850nm窄发散角单模半导体激光器材料研究被引量：2
2023年
短距离激光雷达技术应用广泛,但是要求器件的发散角比较小。针对器件的发散角,通过商用软件和波导模拟软件,设计850nm GaAs/AlGaAs扩展波导外延材料结构。采用非对称波导结构设计,有助于降低内部光学损耗,提高激光器的斜率效率,降低激光器功耗。通过优化腐蚀阻挡层GaInP的掺杂浓度,消除能带不连续导致器件电压升高问题。采用MOCVD生长了带有腐蚀阻挡层的AlGaAs/GaAs非对称扩展波导外延片,并制作成条宽2.5μm、腔长1mm的激光器芯片。测试结果表明,室温条件直流条件测试下,阈值电流为35mA,斜率效率为1.2 W/A,输出功为200mW@200mA,快轴发散角测试为15°。
宁吉丰王彦照陈宏泰房玉龙
关键词：单模激光二极管
隧道结半导体激光器
陈宏泰车相辉宁吉丰王彦照曹晨涛张
所属科学技术领域：该项目属于“大功率半导体激光器”研究领域，研究的对象为“隧道结叠层半导体激光器”光。 主要科学技术内容及创新点：该项目通过隧道结技术研究、外延材料结构设计研究、材料外延生长工艺研究及外延材料测试分析和...
关键词：
关键词：半导体激光器
高可靠性1060 nm单横模半导体激光器
2018年
研制了一款基于In Ga As/Ga As P应变补偿量子阱结构的1 060 nm单横模半导体激光器,并采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法实现了外延生长。使用张应变的Ga As P势垒层对量子阱的应变进行补偿,并优化了MOCVD外延生长条件。所制备的单横模激光器的脊宽为4μm,腔长为2 mm,25℃时测得其阈值电流为23 m A,最大斜率效率为1 W/A,直流电流为500 m A时光功率为437 mW。脉冲驱动时,器件最高输出功率达到1.2 W,并未发生腔面光学灾变损伤失效。器件快慢轴发散角分别为46.3°和7.4°,65℃时,器件的输出功率为270 mW。采用高温加速老化试验对器件的可靠性进行了评估,试验器件在3 150 h内未发生失效,功率缓慢退化速率为5×10-6h-1。
张岩王彦照李庆伟宁吉丰赵润
关键词：半导体激光器单横模可靠性高功率
808nm平顶光场大功率激光器
本发明公开了一种808nm平顶光场大功率激光器，涉及半导体激光器技术领域；包括衬底以及在衬底上从下至上依次生长的缓冲层、下限制层、下光场作用层、下波导层、量子阱层、上波导层、上光场作用层、上限制层和电极接触层，所述下光场...
宁吉丰陈宏泰车相辉王彦照林琳位永平王晶
文献传递
多叠层隧道级联半导体激光器
本实用新型公开了一种多叠层隧道级联半导体激光器，属于半导体激光器领域。本实用新型包括2-4个垂直连接的单层激光器单元；相邻两单层激光器单元之间按照半导体晶体生长规则通过具有特殊结构的隧道结单元层生长连接；隧道结单元包括高...
陈宏泰林琳车相辉王晶位永平张宇宁吉丰
文献传递
低压MOVCD生长的无制冷1550nm AlGaInAs/InP应变量子阱激光器材料的研究
随着数字通信需求的快速增长,过去数年来全球光通讯产业取得了飞速发展.由于光纤的损耗和色散在1310nm和1550nm波长附近最小,1.3μ m和1.55 μ m波段半导体激光器成为光通讯中最重要的光源.为了降低成本,通信...
车相辉张宇陈宏泰林琳王晶宁吉丰位永平
非对称波导980nm单模激光器
本发明公开了一种非对称波导980nm单模激光器，涉及激光器技术领域。所述激光器包括衬底以及衬底上从下至上依次生长的缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、第一上限制层、腐蚀停止层、第二上限制层和电极接触层，所述腐...
王彦照宁吉丰陈宏泰车相辉王晶
808nm平顶光场大功率激光器
本发明公开了一种808nm平顶光场大功率激光器，涉及半导体激光器技术领域；包括衬底以及在衬底上从下至上依次生长的缓冲层、下限制层、下光场作用层、下波导层、量子阱层、上波导层、上光场作用层、上限制层和电极接触层，所述下光场...
宁吉丰陈宏泰车相辉王彦照林琳位永平王晶
一种低暗电流高响度InGaAs/InP pin光电探测器被引量：3
2014年
分析了InGaAs/InP pin光电探测器暗电流和响应度的影响因素,并对MOCVD外延工艺以及器件结构进行优化,从而提高器件响应度和降低暗电流。采用低压金属有机化学气相沉积设备(LP-MOCVD)成功制备了InGaAs/InP pin光电探测器,得到了高质量的晶体材料,InGaAs吸收层的背景浓度低于4×1014 cm-3。利用扩Zn工艺制作出感光区直径为70μm的平面光电探测器。测量结果显示,在反偏电压为5 V时,暗电流小于0.05 nA,电容约为0.4 pF。此外,在1 310 nm激光的辐照下,器件的响应度可达0.96 A/W以上。
车相辉张宇宁吉丰李洪涛王晶位永平张豫黔赵润陈宏泰
关键词：INGAAS光电探测器暗电流响应度
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