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韩乐

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文专利

主题

  • 4篇禁带
  • 4篇晶体
  • 4篇光子
  • 4篇光子禁带
  • 4篇光子晶体
  • 4篇硅基
  • 4篇二维光子
  • 4篇二维光子晶体
  • 3篇氧化锗
  • 3篇浅结
  • 3篇阻挡层
  • 3篇介质柱
  • 3篇金属
  • 3篇超浅结
  • 3篇衬底
  • 2篇原子层沉积
  • 2篇探测器
  • 2篇退火
  • 2篇硫钝化
  • 2篇界面层

机构

  • 12篇中国科学院微...

作者

  • 12篇王盛凯
  • 12篇韩乐
  • 12篇刘洪刚
  • 9篇常虎东
  • 8篇孙兵
  • 7篇薛百清
  • 6篇赵威
  • 5篇郭浩
  • 4篇刘桂明
  • 4篇陈洪钧
  • 4篇张雄
  • 2篇杨旭
  • 1篇王虹

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 5篇2014
  • 4篇2013
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体衬底制作超浅结的方法
本发明公开了一种在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体衬底制作超浅结的方法，包括：清洗具有外延层的单晶衬底；在该外延层用硫化铵或其他液体的表面钝化，在该钝化表面沉积介质作为阻挡层，以借助低温退火工艺将硫或其他元素扩散到单晶衬底以形成超浅结...
刘洪刚薛百清常虎东王盛凯孙兵赵威郭浩王虹韩乐刘桂明
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一种硅基锗外延结构及其制备方法
本发明公开了一种基于硅基锗外延的非波导近红外探测器及其制备方法，该非波导近红外探测器包括：n型Si衬底；于该n型Si衬底上沉积的SiO<Sub>2</Sub>层中制备的空气孔型或介质柱型光子晶体；在该光子晶体上形成的Ge...
刘洪刚郭浩陈洪钧张雄常虎东薛百清韩乐王盛凯
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一种控制锗表面形貌的方法
本发明公开了一种控制锗表面形貌的方法，该方法是将锗(Ge)置于纯氧或氧气(O<Sub>2</Sub>)与其它性质稳定气体的混合气体中，调节氧气(O<Sub>2</Sub>)分压和反应温度至高温低压工作区域，控制反应时间实...
王盛凯刘桂明刘洪刚孙兵赵威韩乐
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一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法
本发明公开了一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法，该方法包括：清洗n型半导体单晶锗片；利用含硫的钝化液对该n型半导体单晶锗片的表面进行钝化；以及在该钝化后的n型半导体单晶锗片表面沉积金属作为源漏接触。本发明提供的制作...
刘洪刚龚著靖王盛凯韩乐杨旭常虎东孙兵赵威刘桂明
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在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法
本发明公开了一种在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法，包括：选择Ge衬底，去除Ge衬底表面的自然氧化层，然后将其转移到原子层沉积系统的腔体中，在Ge衬底表面沉积一层Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub...
刘洪刚韩乐王盛凯孙兵常虎东赵威
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一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法
本发明公开了一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法，包括：去除p型Ge衬底表面的自然氧化层，以形成激活的Ge表面；对激活的Ge表面进行硫钝化处理，利用Ge表面化学吸附作用构成Ge表面的硫吸附层；在Ge衬底上低温外延...
刘洪刚韩乐薛百清孙兵王盛凯
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一种基于硅基锗外延的波导近红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于硅基锗外延的波导近红外探测器及其制备方法，该波导近红外探测器包括：n型Si衬底；于该n型Si衬底形成的Ge/Si缓冲层；于该Ge/Si缓冲层上沉积的SiO<Sub>2</Sub>层中制备的空气孔型或介...
刘洪刚郭浩陈洪钧张雄常虎东薛百清韩乐王盛凯
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一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法
本发明公开了一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法，包括：去除p型Ge衬底表面的自然氧化层，以形成激活的Ge表面；对激活的Ge表面进行硫钝化处理，利用Ge表面化学吸附作用构成Ge表面的硫吸附层；在Ge衬底上低温外延...
刘洪刚韩乐薛百清孙兵王盛凯
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一种硅基锗外延结构及其制备方法
本发明公开了一种基于硅基锗外延的非波导近红外探测器及其制备方法，该非波导近红外探测器包括：n型Si衬底；于该n型Si衬底上沉积的SiO<Sub>2</Sub>层中制备的空气孔型或介质柱型光子晶体；在该光子晶体上形成的Ge...
刘洪刚郭浩陈洪钧张雄常虎东薛百清韩乐王盛凯
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一种采用原位臭氧氧化制备氧化锗界面修复层的方法
本发明公开了一种采用原位臭氧氧化制备氧化锗界面修复层的方法，该方法包括：选择Ge衬底，去除Ge衬底表面的自然氧化层，然后将其转移到原子层沉积系统的腔体中，在Ge衬底表面沉积一层Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3<...
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