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赵景涛
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山东大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
吕元杰
山东大学
栾崇彪
山东大学物理学院
林兆军
山东大学物理学院
冯志红
专用集成电路与系统国家重点实验...
杨铭
山东大学
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机构
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作者
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赵景涛
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林兆军
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栾崇彪
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吕元杰
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王占国
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第十七届全国...
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GaN基电子器件势垒层应变与极化研究
GaN基异质结场效应晶体管(HFETs)由于其禁带宽度大、临界击穿电场强、饱和电子漂移速度高、化学性质稳定以及由极化效应产生的二维电子气(2DEG)输运特性优越等特点,非常适合应用于抗辐射、高温、高压、高频、大功率电子器...
赵景涛
关键词:
极化效应
电学性能
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确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法
确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法,属微电子技术领域,该方法的基本原理是首先使用半导体参数测试仪直接得到GaN异质结场效应晶体管栅极和源极间的电容-电压(C-V)和正向电流-电压(I-V)特性曲线,结合势垒...
林兆军
赵景涛
栾崇彪
吕元杰
杨铭
周阳
杨琪浩
文献传递
InAlN/AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的研究
利用测得的方形和圆形ln0.18Al0.82N/AlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)不同面积的肖特基电容-电压特性和低漏源电压下的电流-电压特性,发现由欧姆接触工艺和栅偏压所引起的In0.18Al0.82N/A...
Jingtao Zhao
赵景涛
Zhaojun Lin
林兆军
Chongbiao Luan
栾崇彪
Zhihong Feng
冯志红
Yuanjie Lv
吕元杰
Zhanguo Wang
王占国
关键词:
异质结场效应晶体管
二维电子气
边欧姆接触工艺对ALGAN/ALN/GAN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的影响
利用测得的通过边欧姆接触工艺制作的方形和圆形ALGAN/ALN/GAN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性,我们发现由ALGAN/ALN/GAN界面极化电荷密度变化引起的极化库仑场散射与欧...
栾崇彪
林兆军
冯志红
吕元杰
赵景涛
陈弘
王占国
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确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法
确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法,属微电子技术领域,该方法的基本原理是首先使用半导体参数测试仪直接得到GaN异质结场效应晶体管栅极和源极间的电容-电压(C-V)和正向电流-电压(I-V)特性曲线,结合势垒...
林兆军
赵景涛
栾崇彪
吕元杰
杨铭
周阳
杨琪浩
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INALN/ALN/GAN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的研究
利用测得的方形和圆形LNO.18ALO.82N/ALN/GAN异质结场效应晶体管(HFETS)不同面积的肖特基电容-电压特性和低漏源电压下的电流-电压特性,我们发现由欧姆接触工艺和栅偏压所引起的INO.1SAIO 82N...
赵景涛
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