您的位置： 专家智库 > >

赵景涛

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 5篇晶体管
  • 5篇场效应
  • 5篇场效应晶体管
  • 4篇异质结
  • 4篇极化
  • 3篇异质结场效应...
  • 3篇散射
  • 3篇势垒
  • 3篇势垒层
  • 3篇库仑
  • 3篇库仑场
  • 2篇INALN
  • 1篇电学性能
  • 1篇压电极化
  • 1篇异质结材料
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇自发极化
  • 1篇微电子
  • 1篇极化电荷
  • 1篇极化效应

机构

  • 6篇山东大学
  • 3篇中国科学院
  • 3篇专用集成电路...

作者

  • 6篇赵景涛
  • 4篇林兆军
  • 4篇栾崇彪
  • 4篇吕元杰
  • 2篇周阳
  • 2篇王占国
  • 2篇杨铭
  • 2篇冯志红
  • 1篇陈弘

传媒

  • 2篇第十七届全国...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2012
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
GaN基电子器件势垒层应变与极化研究
GaN基异质结场效应晶体管(HFETs)由于其禁带宽度大、临界击穿电场强、饱和电子漂移速度高、化学性质稳定以及由极化效应产生的二维电子气(2DEG)输运特性优越等特点，非常适合应用于抗辐射、高温、高压、高频、大功率电子器...
赵景涛
关键词：极化效应电学性能
文献传递
确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法
确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法，属微电子技术领域，该方法的基本原理是首先使用半导体参数测试仪直接得到GaN异质结场效应晶体管栅极和源极间的电容-电压（C-V）和正向电流-电压（I-V）特性曲线，结合势垒...
林兆军赵景涛栾崇彪吕元杰杨铭周阳杨琪浩
文献传递
InAlN/AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的研究
利用测得的方形和圆形ln0.18Al0.82N/AlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)不同面积的肖特基电容-电压特性和低漏源电压下的电流-电压特性，发现由欧姆接触工艺和栅偏压所引起的In0.18Al0.82N/A...
Jingtao Zhao赵景涛Zhaojun Lin林兆军Chongbiao Luan栾崇彪Zhihong Feng冯志红Yuanjie Lv吕元杰Zhanguo Wang王占国
关键词：异质结场效应晶体管二维电子气
边欧姆接触工艺对ALGAN/ALN/GAN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的影响
利用测得的通过边欧姆接触工艺制作的方形和圆形ALGAN/ALN/GAN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性，我们发现由ALGAN/ALN/GAN界面极化电荷密度变化引起的极化库仑场散射与欧...
栾崇彪林兆军冯志红吕元杰赵景涛陈弘王占国
文献传递网络资源链接
确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法
确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法，属微电子技术领域，该方法的基本原理是首先使用半导体参数测试仪直接得到GaN异质结场效应晶体管栅极和源极间的电容-电压（C-V）和正向电流-电压（I-V）特性曲线，结合势垒...
林兆军赵景涛栾崇彪吕元杰杨铭周阳杨琪浩
文献传递
INALN/ALN/GAN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的研究
利用测得的方形和圆形LNO.18ALO.82N/ALN/GAN异质结场效应晶体管(HFETS)不同面积的肖特基电容-电压特性和低漏源电压下的电流-电压特性，我们发现由欧姆接触工艺和栅偏压所引起的INO.1SAIO 82N...
赵景涛林兆军栾崇彪冯志红吕元杰王占国
文献传递网络资源链接
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0