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杨铭

作品数：6 被引量：3H指数：1
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇医药卫生

主题

  • 4篇异质结
  • 4篇晶体管
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 3篇异质结场效应...
  • 3篇ALGAN/...
  • 2篇声子
  • 2篇势垒
  • 2篇势垒层
  • 2篇外部电路
  • 2篇线性度
  • 2篇光学
  • 2篇光学声子
  • 2篇改变量
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷分布
  • 1篇压电极化
  • 1篇异源
  • 1篇异源表达
  • 1篇异质结材料

机构

  • 6篇山东大学

作者

  • 6篇杨铭
  • 4篇林兆军
  • 4篇吕元杰
  • 2篇周阳
  • 2篇赵景涛
  • 2篇付晨
  • 2篇崔鹏
  • 2篇栾崇彪

年份

  • 2篇2020
  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 1篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
海洋放线菌分离及Streptomycessp.S42中天然产物的挖掘
天然产物数量庞大，结构、活性及作用机制复杂多样，是新药开发的重要源泉。放线菌是天然产物的最主要来源，众多放线菌来源的天然产物及其衍生物为癌症、阿尔兹海默症和疟疾等疾病的治疗做出了很大贡献。但近年来天然产物的重复发现率越来...
杨铭
关键词：海洋放线菌异源表达抗菌活性
文献传递
提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法
一种提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法，相对于传统的利用外部电路提高器件线性度的方法，本发明在一定程度上增大极化库仑场散射，增强其对极化光学声子散射的抵消作用，将会使得R<Sub>S</Sub>具有更小...
林兆军崔鹏吕元杰杨铭付晨杨勇雄
文献传递
确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法
确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法，属微电子技术领域，该方法的基本原理是首先使用半导体参数测试仪直接得到GaN异质结场效应晶体管栅极和源极间的电容-电压（C-V）和正向电流-电压（I-V）特性曲线，结合势垒...
林兆军赵景涛栾崇彪吕元杰杨铭周阳杨琪浩
文献传递
极化库仑场散射对AlGaN/GaN电子器件特性影响研究
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)是第三代半导体中非常具有代表性的电子器件。GaN材料宽的禁带宽度和稳定的化学性质，使得AlGaN/GaN电子器件的临界击穿电场很高、抗辐射和抗腐蚀能力很强;更为重要的是，由...
杨铭
关键词：电荷分布
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提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法
一种提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法，相对于传统的利用外部电路提高器件线性度的方法，本发明在一定程度上增大极化库仑场散射，增强其对极化光学声子散射的抵消作用，将会使得R<Sub>S</Sub>具有更小...
林兆军崔鹏吕元杰杨铭付晨杨勇雄
确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法
确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法，属微电子技术领域，该方法的基本原理是首先使用半导体参数测试仪直接得到GaN异质结场效应晶体管栅极和源极间的电容-电压（C-V）和正向电流-电压（I-V）特性曲线，结合势垒...
林兆军赵景涛栾崇彪吕元杰杨铭周阳杨琪浩
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