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林兆军

作品数：44 被引量：39H指数：2
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：中国科学院院长基金国家自然科学基金中国科学院院长特别基金更多>>
相关领域：电子电信理学文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇专利
  • 13篇会议论文
  • 11篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 24篇电子电信
  • 3篇文化科学
  • 3篇理学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 18篇异质结
  • 18篇晶体管
  • 16篇场效应
  • 16篇场效应晶体管
  • 14篇异质结场效应...
  • 14篇ALGAN/...
  • 8篇势垒
  • 7篇势垒层
  • 6篇二维电子
  • 6篇二维电子气
  • 4篇电子迁移率
  • 4篇散射
  • 4篇团簇
  • 4篇迁移率
  • 4篇阈值电压
  • 4篇肖特基
  • 4篇库仑
  • 4篇库仑场
  • 4篇HFET
  • 3篇电极

机构

  • 37篇山东大学
  • 14篇中国科学院
  • 3篇专用集成电路...
  • 2篇北京科技大学
  • 1篇武汉大学
  • 1篇山东体育学院
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 44篇林兆军
  • 14篇吕元杰
  • 10篇崔鹏
  • 10篇栾崇彪
  • 8篇王占国
  • 6篇徐现刚
  • 6篇韩吉胜
  • 6篇孟令国
  • 5篇陈伟
  • 4篇林兰英
  • 4篇赵景涛
  • 4篇蒋然
  • 4篇王卿璞
  • 4篇杨铭
  • 4篇徐明升
  • 3篇展杰
  • 3篇刘阳
  • 3篇赵建芝
  • 3篇曹芝芳
  • 3篇冯志红

传媒

  • 4篇第十七届全国...
  • 3篇Journa...
  • 2篇科学通报
  • 2篇微纳电子技术
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇物理学进展
  • 1篇功能材料
  • 1篇计算机工程与...
  • 1篇武汉大学学报...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 2篇2024
  • 3篇2023
  • 5篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 4篇2011
  • 5篇2010
  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2000
  • 2篇1998
  • 3篇1997
共 44 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法
一种提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法，相对于传统的利用外部电路提高器件线性度的方法，本发明在一定程度上增大极化库仑场散射，增强其对极化光学声子散射的抵消作用，将会使得R<Sub>S</Sub>具有更小...
林兆军崔鹏吕元杰杨铭付晨杨勇雄
文献传递
一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法
本发明涉及一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS‑HEMT及其制备方法，该结构包括自下而上依次设置的衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层、GaN帽层和ScAl...
崔鹏陈思衡韩吉胜徐现刚林兆军展杰徐明升崔潆心钟宇
采用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上生长β-Ga2O3薄膜
采用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上直接沉积β-Ga2O3薄膜。通过X射线衍射光谱(XRD),原子力显微镜(AFM)和傅立叶红外吸收光谱(FT-IR) 研究了β-Ga2O3薄膜的生长和结构与退火温度之间的关系。实验结...
肖洪地马洪磊杨光马瑾林兆军宗福建张锡健栾彩娜
关键词：射频磁控溅射温度
文献传递
确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法
确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法，属微电子技术领域，该方法的基本原理是首先使用半导体参数测试仪直接得到GaN异质结场效应晶体管栅极和源极间的电容-电压（C-V）和正向电流-电压（I-V）特性曲线，结合势垒...
林兆军赵景涛栾崇彪吕元杰杨铭周阳杨琪浩
文献传递
可装配二维微等离子体阵列装置及其制备方法
本发明公开了一种可装配二维微等离子体阵列装置及其制备方法，该装置由至少两个电极层与至少一个微腔层层叠排列而成，各层之间密切接触，两个最外侧均为电极层，所有电极层与微腔层上均设有至少两个定位孔，所有电极层和微腔层均通过定位...
孟令国邢建平蒋然林兆军王卿璞
Hzsm－5和Y沸石中Se链的吸收和喇曼光谱被引量：1
1996年
本文用扩散的方法，在ＨＺＳＭ－５和Ｙ沸石中制备了具有不同Ｓｅ组分的Ｓｅ链样品，并对样品进行了吸收和喇曼光谱测试．结果表明：制备的样品均为非晶Ｓｅ链结构，随制备条件的不同，非晶Ｓｅ链的混乱度有所不同．
林兆军王占国李国华陈伟林兰英
关键词：散射谱HZSM-5Y沸石
Si（111）衬底上非晶态GaN薄膜的晶化过程
2007年
采用磁控溅射法在Si（111）衬底上直接淀积GaN薄膜。通过X射线衍射谱（XRD）、X光电子能谱（XPS）和扫描电子显微镜（SEM）研究GaN薄膜由非晶态向多晶态的转化过程。实验结果表明：（1）在900℃氮气气氛中退火，非晶态GaN保持不变；（2）在900℃氨气气氛中退火，虽然非晶态GaN转化为多晶态GaN，但却出现中间相金属Ga；（3）在非晶态GaN向多晶态GaN转化过程中，GaN晶粒将逐渐增大。
肖洪地马洪磊刘蓉马瑾林兆军
关键词：氨气GA
从AlGaN/GaN异质结肖特基二极管正向I-V特性中提取势垒高度的方法
在AlGaN/GaN异质结构上制作Ni肖特基接触,一个样品未做退火处理,另一个样品在700℃下退火半小时,样品的势垒高度经过光电流谱测试得到。以测试得到的I-v特性以及双二极管模型为基础,分析了Ni肖特基接触势垒高度,并...
栾崇彪林兆军孟令国吕元杰曹芝芳王占国
一种基于器件结构优化提升AlGaN/GaN异质结场效应晶体管跨导和特征频率方法
本发明涉及一种基于器件结构优化提升AlGaN/GaN异质结场效应晶体管跨导和特征频率方法，属于晶体管器件研究技术领域。传统的提升跨导和特征频率方法，工艺复杂，实验条件严苛，并已经走到了GaN材料物理极限。本发明在一定程度...
林兆军王鸣雁吕元杰周衡崔鹏
CdSe纳米团簇的透射电镜研究被引量：4
1998年
在沸石分子筛中组装ＣｄＳｅ而形成半导体纳米团簇材料，并将组装ＣｄＳｅ后的沸石微粉制成完整的透射电镜薄膜，结合能谱测试，在透射电镜下观察所制得的材料的微观结构和形貌．结果表明在沸石中形成了尺寸单一。
许燕林兆军陈伟陈伟方克明
关键词：硒化镉透射电镜纳米团簇
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