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吕元杰

作品数：304 被引量：28H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金陕西省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 262篇专利
  • 29篇期刊文章
  • 12篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 129篇电子电信
  • 9篇金属学及工艺
  • 9篇自动化与计算...
  • 5篇化学工程
  • 5篇文化科学
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 80篇晶体管
  • 76篇氧化镓
  • 66篇场效应
  • 62篇场效应晶体管
  • 57篇二极管
  • 51篇肖特基
  • 49篇半导体
  • 45篇电极
  • 39篇肖特基二极管
  • 39篇衬底
  • 38篇刻蚀
  • 36篇沟道
  • 34篇势垒
  • 26篇异质结
  • 25篇压力传感器
  • 25篇力传感器
  • 24篇电路
  • 23篇势垒层
  • 22篇氮化镓
  • 21篇击穿电压

机构

  • 269篇中国电子科技...
  • 18篇专用集成电路...
  • 17篇山东大学
  • 13篇河北半导体研...
  • 4篇中国科学院
  • 3篇中国电子科技...
  • 2篇中国航天
  • 1篇吉林大学
  • 1篇北京理工大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 304篇吕元杰
  • 279篇冯志红
  • 196篇宋旭波
  • 68篇顾国栋
  • 59篇敦少博
  • 56篇韩婷婷
  • 44篇房玉龙
  • 38篇郭红雨
  • 32篇张立森
  • 26篇付兴昌
  • 25篇马春雷
  • 20篇卜爱民
  • 17篇杨大宝
  • 14篇林兆军
  • 14篇尹甲运
  • 12篇蔡树军
  • 11篇李佳
  • 10篇邹学锋
  • 10篇蔚翠
  • 10篇张志荣

传媒

  • 16篇半导体技术
  • 4篇红外与毫米波...
  • 4篇2013‘全...
  • 2篇物理学报
  • 2篇第十七届全国...
  • 1篇安全与电磁兼...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇北京理工大学...
  • 1篇发光学报
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 4篇2024
  • 37篇2023
  • 46篇2022
  • 39篇2021
  • 51篇2020
  • 27篇2019
  • 28篇2018
  • 16篇2017
  • 15篇2016
  • 9篇2015
  • 13篇2014
  • 12篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2010
  • 1篇2008
共 304 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
肖特基二极管的制备方法
本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管的制备方法。该方法包括：在衬底上外延n型氧化镓层；在所述n型氧化镓层上制备第一掩膜层；其中，所述第一掩膜层位于待制备的氮离子处理区以外所对应的区域；对器件正面进行等离子体表面...
王元刚冯志红吕元杰刘宏宇周幸叶谭鑫宋旭波梁士雄
提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法
一种提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法，相对于传统的利用外部电路提高器件线性度的方法，本发明在一定程度上增大极化库仑场散射，增强其对极化光学声子散射的抵消作用，将会使得R<Sub>S</Sub>具有更小...
林兆军崔鹏吕元杰杨铭付晨杨勇雄
文献传递
帽层结构氧化镓场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种帽层结构氧化镓场效应晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：去除氧化镓外延片无源区域的氧化镓沟道层和氧化镓帽层；分别去除所述氧化镓外延片的源区对应的氧化镓帽层和漏区对应的氧化镓帽层；分别...
吕元杰宋旭波冯志红王元刚谭鑫周幸叶
Si基GaN压力传感器的制备方法
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种Si基GaN压力传感器的制备方法，该方法包括：在第一硅片中制备凹槽；将形成所述凹槽后的所述第一硅片键合在第二硅片上，形成密封腔体；将GaN晶圆与所述密封腔体键合，其中，所述GaN晶圆...
吕元杰谭鑫周幸叶宋旭波王元刚冯志红
氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件
本发明提供一种氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件。该方法包括：在氮化镓外延片的正面的第一预设区域进行第一离子注入，并采用预设温度激活所述第一离子；在所述氮化镓外延片的正面的第二预设区域进行第二离子注入，所述第...
吕元杰王元刚周国刘方罡戴剑周幸叶王磊宋学峰崔玉兴卜爱民冯志红
一种光刻方法
本发明提供一种光刻方法。该方法包括：清洗和沉积：清洗半导体衬底，并在其表面沉积生长介质；光刻和蒸镀金属：在生长介质表面涂覆光刻胶，利用光刻机及光刻版对生长介质表面进行曝光、显影，形成曝光图形，在曝光图形表面蒸镀金属薄膜，...
王元刚吕元杰郭红雨卜爱民徐森锋冯志红
一种射频功率放大器
本发明提供一种射频功率放大器，包括功率放大模块和转换模块，功率放大模块包括第一端口、第一晶体管和第二端口，用于对接收到的射频信号进行功率放大；当射频功率放大器处于信号发射状态时，转换模块用于控制第一晶体管处于共源极工作，...
宋旭波吕元杰梁士雄陈长友刘永强张立森敦少博冯志红
文献传递
面探测器阵列结构、探测设备及探测系统
本发明适用于光电探测技术领域，提供了一种面探测器阵列结构、探测设备及探测系统，上述面探测器阵列结构包括：多个光电探测单元、M条横向金属带线、与M条横向金属带线一一对应的M个横向选通开关、N条纵向金属带线、及与N条纵向金属...
周幸叶吕元杰韩婷婷王元刚冯志红
文献传递
增强型HFET
本发明公开了一种增强型HFET，涉及半导体开关器件技术领域。所述HFET，包括HFET器件本体，所述HFET器件本体的漏电极与源电极之间的沟道层上存在无二维电子气区，且栅电极以外的沟道层上存在无二维电子气区，无二维电子气...
王元刚冯志红吕元杰谭鑫宋旭波周幸叶房玉龙顾国栋郭红雨蔡树军
文献传递
可用于0.3THz的国产肖特基倍频二极管
本文基于半导体工艺，制作出了可用于THz频段的GaAs基肖特基倍频二极管。倍频二极管为反向级联二极管，通过制作欧姆接触阴极和肖特基接触阳极，制作的GaAs基肖特基二极管的尺寸为345um*55um*SOum(L*W*H)...
王俊龙邢东梁士雄张立森杨大宝吕元杰宋旭波何泽召冯志红
关键词：性能表征半导体工艺
文献传递
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