顾国栋
- 作品数：86 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 电子束曝光方法、电子束光刻方法及金属线条制备方法
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种电子束曝光方法、电子束光刻方法及金属线条制备方法。电子束曝光方法包括：根据第一版图图形对基片进行第一电子束曝光处理；根据第二版图图形对所述基片进行第二电子束曝光处理，其中，所述第二版...
- 韩婷婷冯志红吕元杰敦少博顾国栋
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- 一种改善MMIC功率放大器性能的芯片布局方法
- 本发明公开了一种改善MMIC功率放大器性能的芯片布局方法，涉及微波单片集成电路的制作方法技术领域。包括以下步骤：（1）将有源器件形成于半导体基板的正面，无源器件形成于半导体基板的背面；（2）通过有源器件上的栅极PAD以及...
- 冯志红宋旭波敦少博徐鹏王元刚顾国栋房玉龙吕元杰尹甲运邢东
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- 同质外延氮化镓晶体管器件结构
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种同质外延氮化镓晶体管器件结构，包括：衬底、位于衬底上的沟道层、位于沟道层上的势垒层及位于势垒层上的电极，所述电极包括源电极、漏电极和栅电极；所述源电极和所述漏电极分别位于所述势垒层上...
- 王元刚冯志红吕元杰宋旭波谭鑫周幸叶房玉龙顾国栋敦少博
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- 基于片上肖特基二极管的高功率三倍频器设计被引量：5
- 2021年
- 提出了一种基于片上集成电容工艺和带阻滤波结构的高功率三倍频器设计方法。在倍频器输入端,首先对倍频器二极管的直流偏置馈电部分进行改进,在梁式引线结构基础上结合二氧化硅(SiO_(2))工艺实现了片上集成电容,同时解决了三倍频器的直流馈电和射频接地问题,实现电路功能集成的同时也提高了模型仿真精度。此外,在二极管的输入端采用带阻滤波器结构替代传统的低通滤波结构,在保证倍频器性能的同时进一步简化倍频器结构复杂度和尺寸。为进行验证,设计并加工测试了两款中心频率分别为110 GHz和220 GHz的双路功率合成三倍频器。实际测试结果表明,在输入功率500 mW条件下,110 GHz三倍频器的输出峰值功率达到了140 mW,峰值效率接近30%,带宽超过15 GHz;在输入功率300 mW条件下,220 GHz三倍频器的输出峰值功率达到了45 mW,峰值效率达到15%,带宽为15 GHz。两款倍频的测试结果均有优秀表现,验证了设计方法的有效性。
- 毋自贤郭诚温潇竹宋旭波梁士雄顾国栋张立森吕元杰张安学冯志红
- 关键词：倍频器带阻滤波器
- Ⅲ族氮化物薄膜体声波谐振器和滤波器
- 本实用新型公开了Ⅲ族氮化物薄膜体声波谐振器和滤波器，涉及谐振器和滤波器技术领域，本实用新型包含衬底，设于衬底上的布拉格反射层、设于布拉格反射层上的导电层、压电层、上金属电极，所述导电层为Ⅲ族氮化物导电层，所述压电层为Ⅲ族...
- 郭艳敏房玉龙冯志红尹甲运宋旭波王波周幸叶张志荣王元刚李佳顾国栋芦伟立高楠
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- 氮化镓双向TVS器件及制备方法
- 本发明提供一种氮化镓双向TVS器件及制备方法。该器件包括：衬底；位于衬底上表面的N+氮化镓层；位于N+氮化镓层上表面的第一台面结构、第二台面结构和钝化层；位于第一台面结构上表面的第一正极和位于第二台阶结构上表面的第二正极...
- 吕元杰宋旭波刘京亮冯志红顾国栋梁士雄卜爱民
- 一种T型纳米栅及其制备方法
- 本发明涉及微电子器件技术领域，具体公开一种T型纳米栅及其制备方法。所述T型纳米栅生长于具有三层介质钝化层的基片上，所述三层介质钝化层包括底层介质钝化层、中间介质钝化层和顶层介质钝化层；所述栅根穿过中间介质钝化层生长于基片...
- 顾国栋吕元杰敦少博梁士雄冯志红
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- 190 GHz大功率输出平衡式二倍频器被引量：1
- 2019年
- 基于反向串联型砷化镓平面肖特基容性二极管,采用平衡式二倍频结构,研制出了一种190GHz大功率输出二倍频器。使用三维电磁场与非线性谐波平衡联合的方法进行了仿真,并根据仿真结果完成了倍频器的加工、装配和测试。倍频器在182~196GHz输出频率范围内的倍频效率可达8%以上;当输出频率为187GHz时,倍频效率和输出功率可分别达到15.4%和85mW。
- 徐鹏杨大宝张立森梁士雄宋旭波顾国栋吕元杰冯志红
- 关键词：太赫兹肖特基二极管大功率
- 一种基于惠斯顿电桥结构的压力传感器及其制造方法
- 本发明公开了一种基于惠斯顿电桥结构的压力传感器及其制造方法,涉及半导体压力传感器技术领域；包括键合晶圆、键合介质、衬底、缓冲层、势垒层、金属导线、势垒层、空腔和欧姆电极，缓冲层5材料为氮化镓，势垒层6材料为In<Sub>...
- 谭鑫才智冯志红吕元杰王元刚宋旭波周幸叶房玉龙顾国栋
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- 提高半导体电子器件击穿电压的结构及半导体电子器件
- 本发明公开了一种提高半导体电子器件击穿电压的结构及半导体电子器件。该提高半导体电子器件击穿电压的结构包括由并行设置的多个微纳米级沟道组成的沟道阵列，通过将该沟道阵列设置于半导体电子器件有源区内位于源极和漏极之间，且位于栅...
- 蔡勇顾国栋张宝顺
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