您的位置： 专家智库 > >

韩婷婷

作品数：55 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 50篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 25篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 18篇二极管
  • 16篇氧化镓
  • 12篇衬底
  • 11篇探测器
  • 11篇肖特基
  • 10篇肖特基二极管
  • 9篇半导体
  • 8篇紫外探测
  • 8篇紫外探测器
  • 8篇光电
  • 8篇光电探测
  • 8篇光刻
  • 7篇淀积
  • 6篇电极
  • 6篇电子束曝光
  • 6篇阳极
  • 6篇源区
  • 6篇终端结构
  • 6篇刻蚀
  • 6篇硅衬底

机构

  • 54篇中国电子科技...
  • 5篇专用集成电路...
  • 2篇中国航天

作者

  • 55篇韩婷婷
  • 55篇吕元杰
  • 54篇冯志红
  • 25篇宋旭波
  • 20篇敦少博
  • 14篇顾国栋
  • 5篇郭红雨
  • 4篇卜爱民
  • 4篇李佳
  • 3篇付兴昌
  • 3篇马春雷
  • 2篇房玉龙
  • 2篇刘玉贵
  • 2篇刘沛
  • 1篇田秀伟
  • 1篇王俊龙
  • 1篇魏碧华
  • 1篇张志荣
  • 1篇刘晨
  • 1篇许春良

传媒

  • 5篇半导体技术

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 15篇2022
  • 8篇2021
  • 14篇2020
  • 4篇2019
  • 4篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 55 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
面探测器阵列结构、探测设备及探测系统
本发明适用于光电探测技术领域，提供了一种面探测器阵列结构、探测设备及探测系统，上述面探测器阵列结构包括：多个光电探测单元、M条横向金属带线、与M条横向金属带线一一对应的M个横向选通开关、N条纵向金属带线、及与N条纵向金属...
周幸叶吕元杰韩婷婷王元刚冯志红
文献传递
光导开关器件
本发明适用于半导体光导开关器件技术领域，提供了一种光导开关器件，包括：衬底；所述衬底的任一侧面上设置至少两条相互隔离的并行通道；所述并行通道的两端设置不同导电类型的重掺杂浓度的欧姆接触区，所述欧姆接触区上设置的金属电极；...
周幸叶谭鑫吕元杰韩婷婷顾国栋冯志红
文献传递
GaN高温压力传感器及制备方法
本发明提供了一种GaN高温压力传感器及制备方法，包括硅衬底和硅基座，硅衬底上设有GaN外延层，GaN外延层上设有压阻器件和引脚，硅衬底的下表面且对应压阻器件正下方设有减薄凹槽，减薄凹槽对应的区域为压力检测区，压阻器件位于...
宋旭波吕元杰谭鑫韩婷婷周幸叶冯志红
文献传递
氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管
本发明提供了一种氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管，该方法包括在衬底的上表面外延生长n型的氧化镓沟道层；在氧化镓沟道层上制备掩膜层；对掩膜层的第一预设区域进行刻蚀处理，以露出氧化镓沟道层；在氧气氛围中，对露出...
王元刚敦少博吕元杰韩婷婷卜爱民许靖冯志红
一种垂直结构的氮化镓太赫兹二极管及制备方法
本发明适用于半导体制造技术领域，提供了一种垂直结构的氮化镓太赫兹二极管及制备方法。所述垂直结构的氮化镓太赫兹二极管包括：相对设置第一表面和第二表面的金刚石层；N+掺杂层，生长在所述金刚石层的第一表面上；N‑掺杂层，设于所...
吕元杰梁士雄徐森峰宋旭波付兴昌王元刚韩婷婷冯志红
文献传递
肖特基二极管的制备方法
本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管的制备方法。该方法包括：在衬底上外延第一n型氧化镓层；制备再生长掩膜层；其中，所述再生长掩膜层位于待制备的凹槽结构所对应的区域；制备再生长掩膜层后，外延第二n型氧化镓层；制备...
王元刚冯志红吕元杰周幸叶谭鑫韩婷婷梁士雄
文献传递
一种紫外探测器
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种紫外探测器，所述紫外探测器包括：隔离台面，所述隔离台面包括侧壁为倾斜结构的上部分和侧壁为垂直结构的下部分。其中，所述上部分包括所述紫外探测器的全部的欧姆接触层，所述上部分的最大横截面...
周幸叶吕元杰王元刚谭鑫韩婷婷李佳梁士雄冯志红
文献传递
GaN高温压力传感器及制备方法
本发明提供了一种GaN高温压力传感器及制备方法，包括硅衬底和硅基座，硅衬底上设有GaN外延层，GaN外延层上设有压阻器件和引脚，硅衬底的下表面且对应压阻器件正下方设有减薄凹槽，减薄凹槽对应的区域为压力检测区，压阻器件位于...
宋旭波吕元杰谭鑫韩婷婷周幸叶冯志红
文献传递
电子束曝光方法、电子束光刻方法及金属线条制备方法
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种电子束曝光方法、电子束光刻方法及金属线条制备方法。电子束曝光方法包括：根据第一版图图形对基片进行第一电子束曝光处理；根据第二版图图形对所述基片进行第二电子束曝光处理，其中，所述第二版...
韩婷婷冯志红吕元杰敦少博顾国栋
一种探测器阵列芯片及其制备方法
本申请适用于半导体芯片技术领域，提供了一种探测器阵列芯片及其制备方法，其中，所述探测器阵列芯片包括：第一外延层，所述第一外延层包括由两个以上的相互隔离的有源区组成的有源区阵列；第二外延层，形成于所述第一外延层的上表面；第...
周幸叶吕元杰王元刚谭鑫韩婷婷李佳梁士雄冯志红
文献传递
全选 清除 导出
共6页<123456>
聚类工具0