栾崇彪
- 作品数：13 被引量：0H指数：0
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学更多>>
- 从AlGaN/GaN异质结肖特基二极管正向I-V特性中提取势垒高度的方法
- 在AlGaN/GaN异质结构上制作Ni肖特基接触,一个样品未做退火处理,另一个样品在700℃下退火半小时,样品的势垒高度经过光电流谱测试得到。以测试得到的I-v特性以及双二极管模型为基础,分析了Ni肖特基接触势垒高度,并...
- 栾崇彪林兆军孟令国吕元杰曹芝芳王占国
- GaN基电子器件中极化库仓场散射机制研究
- GaN材料由于其禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、临界击穿电场强、化学性质稳定等优越性能，使得GaN基异质结场效应晶体管(HFETs)非常适合应用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件以及蓝、绿光和紫外光电子器件...
- 栾崇彪
- 关键词：散射机制电子迁移率
- 文献传递
- 热退火对于AlGaN/GaN异质结肖特基接触特征参数的影响
- AlGaN/GaN异质结制作Ni肖特基接触之后,将样品在N2氛围下进行600℃热退火,退火时间分别为0.5h,4.5h,10.5h,18h,33h,48h,72h.测量样品的电流-电压(I—v)曲线和电容一电压(C—V)...
- 曹芝芳林兆军吕元杰张宇孟令国栾崇彪陈弘王占国
- 关键词：ALGAN/GAN肖特基接触
- 边欧姆接触工艺对ALGAN/ALN/GAN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的影响
- 利用测得的通过边欧姆接触工艺制作的方形和圆形ALGAN/ALN/GAN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性，我们发现由ALGAN/ALN/GAN界面极化电荷密度变化引起的极化库仑场散射与欧...
- 栾崇彪林兆军冯志红吕元杰赵景涛陈弘王占国
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- 线性区内ALGAN/ALN/GAN HFETS迁移率的理论研究
- 本文考虑到电场对ALGAN/ALN/GAN HFETS中二维电子气(2DEG)迁移率的影响,对低场迁移率模型进行了修正。基于QUASI-2-D模型,对ALGAN/ALN/GAN HFETS的L-V特性进行了模拟计算,结果...
- 于英霞林兆军栾崇彪陈弘王占国
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- 确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法
- 确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法，属微电子技术领域，该方法的基本原理是首先使用半导体参数测试仪直接得到GaN异质结场效应晶体管栅极和源极间的电容-电压（C-V）和正向电流-电压（I-V）特性曲线，结合势垒...
- 林兆军赵景涛栾崇彪吕元杰杨铭周阳杨琪浩
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- GaN基电子器件中极化库仑场散射机制研究
- GaN材料由于其禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、临界击穿电场强、化学性质稳定等优越性能,使得GaN基异质结场效应晶体管(HFETs)非常适合应用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件以及蓝、绿光和紫外光电子器件...
- 栾崇彪
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- 确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法
- 确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法，属微电子技术领域，该方法的基本原理是首先使用半导体参数测试仪直接得到GaN异质结场效应晶体管栅极和源极间的电容-电压（C-V）和正向电流-电压（I-V）特性曲线，结合势垒...
- 林兆军赵景涛栾崇彪吕元杰杨铭周阳杨琪浩
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- INALN/ALN/GAN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的研究
- 利用测得的方形和圆形LNO.18ALO.82N/ALN/GAN异质结场效应晶体管(HFETS)不同面积的肖特基电容-电压特性和低漏源电压下的电流-电压特性，我们发现由欧姆接触工艺和栅偏压所引起的INO.1SAIO 82N...
- 赵景涛林兆军栾崇彪冯志红吕元杰王占国
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- 边欧姆接触工艺对AlGaN/AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的影响
- 利用测得的通过边欧姆接触工艺制作的方形和圆形AlGaN/AlN/GaN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性，发现由AlGaN/AlN/GaN界面极化电荷密度变化引起的极化库仑场散射与欧姆接...
- Chongbiao Luan栾崇彪Zhaojun Lin林兆军Zhihong Feng冯志红Yuanjie LV吕元杰Jingtao Zhao赵景涛Hong Chen陈弘Zhanguo Wang王占国
- 关键词：场效应晶体管
