您的位置： 专家智库 > >

郭荣辉

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇击穿
  • 1篇击穿电压
  • 1篇击穿特性
  • 1篇NH
  • 1篇NH4
  • 1篇MESFET...
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇河北工业大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇刘立浩
  • 1篇刘芳芳
  • 1篇郭荣辉
  • 1篇杨瑞霞
  • 1篇申华军
  • 1篇邢东

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2003
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
(NH_4)_2S_x溶液改善GaAs MESFETs击穿特性的机理研究被引量：2
2003年
使用 (NH4) 2 Sx 溶液对GaAsMESFETs进行处理。处理后 ,器件各栅偏压下的源漏饱和电流降低了 ,栅漏击穿电压有了显著提高。我们认为负电荷表面态影响着栅边缘的电场 ,负电荷表面态密度的增大会提高器件的击穿电压 ,这就是 (NH4) 2 Sx
刘立浩杨瑞霞邢东郭荣辉申华军刘芳芳
关键词：GAASMESFETS击穿电压
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0