刘立浩
- 作品数：6 被引量：11H指数：2
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- GaAs MESFET击穿特性研究
- 砷化镓/(GaAs/)晶体是一种电学性能优越的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，以其为衬底制作的半导体器件及其集成电路由于具有信息处理速度快、超高频、低功耗、低噪声等突出的优点而得到广泛应用。GaAs器件及其集成电路在微波通信和...
- 刘立浩
- 关键词：砷化镓金属半导体场效应晶体管击穿电压
- 文献传递
- 半磁半导体材料GaMnAs被引量：6
- 2002年
- 利用低温分子束外延技术(LT-MBE)制备的GaMnAs是一种新型的半磁半导体材料(DMS),它兼有磁性材料和半导体化合物的特点.系统地介绍了GaMnAs材料的结构、制备、居里温度、磁畴、磁矩、磁性质及几种多层异质结构,并对GaMnAs材料的应用、现状及前景作了简单的概括与分析.
- 刘芳芳杨瑞霞刘立浩申华军
- 关键词：GAMNAS半磁半导体磁畴磁性质DMS
- 使用SEM分析GaAs MMIC制作中的通孔工艺问题
- 背面通孔是GaAs MMIC制造工艺中的一个重要步骤.通路孔在接地灵活性和减少接地电感方面比其它接地方法更具优越性.背面通孔的形貌和大小将会对后面的工艺产生很大的影响.因此,使用SEM对背面通孔工艺进行研究变得尤为重要.
- 刘立浩杨瑞霞王同祥张雄文周瑞
- 关键词：半导体集成电路砷化镓电镜观察扫描电镜
- 文献传递
- 使用SEM分析GaAs MMIC制作中的通孔工艺问题
- 2002年
- 刘立浩杨瑞霞王同祥张雄文周瑞
- 关键词：SEMGAASMMIC扫描电镜砷化镓微波功率场效应晶体管
- (NH_4)_2S_x溶液改善GaAs MESFETs击穿特性的机理研究被引量：2
- 2003年
- 使用 (NH4) 2 Sx 溶液对GaAsMESFETs进行处理。处理后 ,器件各栅偏压下的源漏饱和电流降低了 ,栅漏击穿电压有了显著提高。我们认为负电荷表面态影响着栅边缘的电场 ,负电荷表面态密度的增大会提高器件的击穿电压 ,这就是 (NH4) 2 Sx
- 刘立浩杨瑞霞邢东郭荣辉申华军刘芳芳
- 关键词：GAASMESFETS击穿电压
- 硫钝化GaAs MESFET的机理研究被引量：3
- 2002年
- 研究了硫钝化对GaAs MESFET 直流特性的影响,并通过对钝化前后击穿电压的分析,认为负电荷表面态的增加减弱了栅靠漏一侧的电场强度,是导致器件击穿电压升高的原因。
- 邢东李效白刘立浩
- 关键词：硫钝化GAASMESFET击穿电压
