刘芳芳
- 作品数：4 被引量：8H指数：2
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 掺锰（Mn）砷化镓（GaAs）材料性质的研究
- 在非磁半导体中掺入微量的磁性原子会改变半导体的某些性质，使其呈现出一定的磁性，从而形成稀磁半导体，也称作半磁半导体/(DMS/)。其中被掺入的磁性原子称作磁性杂质，非磁半导体称作基质。本论文所研究的DMS材料便是由磁性过...
- 刘芳芳
- 关键词：砷化镓半磁半导体退火温度电性质磁性质
- 文献传递
- 半磁半导体材料GaMnAs被引量：6
- 2002年
- 利用低温分子束外延技术(LT-MBE)制备的GaMnAs是一种新型的半磁半导体材料(DMS),它兼有磁性材料和半导体化合物的特点.系统地介绍了GaMnAs材料的结构、制备、居里温度、磁畴、磁矩、磁性质及几种多层异质结构,并对GaMnAs材料的应用、现状及前景作了简单的概括与分析.
- 刘芳芳杨瑞霞刘立浩申华军
- 关键词：GAMNAS半磁半导体磁畴磁性质DMS
- (NH_4)_2S_x溶液改善GaAs MESFETs击穿特性的机理研究被引量：2
- 2003年
- 使用 (NH4) 2 Sx 溶液对GaAsMESFETs进行处理。处理后 ,器件各栅偏压下的源漏饱和电流降低了 ,栅漏击穿电压有了显著提高。我们认为负电荷表面态影响着栅边缘的电场 ,负电荷表面态密度的增大会提高器件的击穿电压 ,这就是 (NH4) 2 Sx
- 刘立浩杨瑞霞邢东郭荣辉申华军刘芳芳
- 关键词：GAASMESFETS击穿电压
- Mn注入GaAs半导体的电特性研究
- 2003年
- 用离子注入的方法把Mn注入到非掺杂半绝缘(100)GaAs中,用霍尔以及电化学C-V方法研究了热处理温度对样品电特性的影响.发现在650-850℃温度范围内,随着退火温度的升高,样品的方块载流子浓度呈下降趋势,而载流子迁移率呈明显上升的趋势.这是由于在退火过程中,随着退火温度的升高,有更多的Mn参与MnAs或MnCa相的形成,使得以受主形式存在的Mn减少,并且晶格缺陷得到恢复所致.同时进行了Mn、C双注入实验,分析了C对样品电特性的影响.
- 王鹏杨瑞霞刘芳芳李俊林
- 关键词：半绝缘砷化镓迁移率锰离子注入电特性
