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申华军

作品数：104 被引量：49H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项中国科学院知识创新工程中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 76篇专利
  • 20篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 38篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 16篇半导体
  • 14篇肖特基
  • 13篇碳化硅
  • 13篇刻蚀
  • 12篇欧姆接触
  • 11篇肖特基二极管
  • 11篇二极管
  • 10篇INGAP/...
  • 9篇离子注入
  • 8篇势垒
  • 7篇探测器
  • 7篇外延层
  • 7篇肖特基接触
  • 7篇衬底
  • 6篇钝化层
  • 6篇晶体管
  • 6篇光纤
  • 5篇电路
  • 5篇有源
  • 5篇湿法腐蚀

机构

  • 95篇中国科学院微...
  • 9篇株洲南车时代...
  • 6篇电子科技大学
  • 5篇河北工业大学
  • 2篇河北半导体研...
  • 1篇山东大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇株洲中车时代...

作者

  • 104篇申华军
  • 59篇刘新宇
  • 43篇杨成樾
  • 40篇白云
  • 39篇汤益丹
  • 37篇周静涛
  • 27篇刘焕明
  • 19篇吴德馨
  • 13篇李博
  • 11篇杨谦
  • 10篇王显泰
  • 9篇陈延湖
  • 8篇赵玉印
  • 8篇邓小川
  • 8篇张慧慧
  • 8篇葛霁
  • 8篇蒋浩杰
  • 5篇李宝霞
  • 5篇杨威
  • 5篇李志华

传媒

  • 7篇Journa...
  • 6篇电子器件
  • 2篇半导体技术
  • 2篇河北工业大学...
  • 2篇大功率变流技...
  • 2篇2005全国...
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 7篇2017
  • 10篇2016
  • 11篇2015
  • 11篇2014
  • 8篇2013
  • 12篇2012
  • 6篇2011
  • 4篇2010
  • 6篇2009
  • 2篇2008
  • 3篇2007
  • 10篇2006
  • 2篇2005
  • 4篇2003
  • 1篇2002
共 104 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种接收有源区位于斜面上的光电探测器的制造方法
本发明涉及光电探测器技术领域，公开了一种接收有源区位于斜面上的光电探测器的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上湿法腐蚀出深槽斜面，形成高台阶图形衬底；在形成的高台阶图形衬底上进行探测器材料结构的外延生长；在完成外延生长的...
申华军李志华杨成樾万里兮李宝霞
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具有阶梯状V型槽结构的硅基光学基板及其制作方法
本发明公开了一种具有阶梯状V型槽结构的硅基光学基板及其制作方法。该硅基光学基板由制作于单晶硅片上的具有不同宽度和深度的V型槽级连在一起构成的，该些V型槽通过一次各向异性湿法腐蚀完成，在光轴方向上严格准直并在对接处形成台阶...
杨成樾申华军周静涛张慧慧
文献传递
5.4GHz 1W InGaP/GaAs HBT功率管
在4英寸化合物工艺线上使用国产外延材料成功研制C波段InGaP/GaAs HBT功率管,器件的热稳定性和高频功率特性良好。电流增益截止频率(f)和最大振荡频率(f)分别为34GHz和32GHz;10×30×2μm功率管的...
申华军陈延湖葛霁王显泰刘新宇吴德馨
具有可插拔结构的透镜光纤、透镜光纤阵列及其制备方法
本发明公开了一种具有可插拔结构的透镜光纤、透镜光纤阵列及其制备方法。其中，具有可插拔结构的透镜光纤包括微透镜、平头光纤；所述微透镜与所述平头光纤通过所述微透镜上的定位通孔活动连接。制作具有可插拔结构的透镜光纤的方法包括：...
杨成樾周静涛刘焕明申华军
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碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
本发明公开了一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：源极(1)、栅极(2)、栅氧化层(3)、N<Sup>+</Sup>源区(4)、P<Sup>+</Sup>接触区(5)、P阱(6)、N<Sup>‑</Sup>外延层...
霍瑞彬申华军白云汤益丹刘新宇
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一种在SiC材料上生长SiO<Sub>2</Sub>钝化层的方法
本发明公开了一种在SiC材料上生长SiO<Sub>2</Sub>钝化层的方法，属于在半导体材料上生长钝化层的技术领域。所述方法包括采用PECVD在SiC材料上生长SiO<Sub>2</Sub>钝化层和对SiO<Sub>2...
李博申华军白云汤益丹刘焕明周静涛杨成樾
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一种应用于总磷检测的倏逝波光传感测试系统及方法
本发明公开了一种应用于总磷检测的倏逝波光传感测试系统及方法。该系统包括半导体激光器光源、输入光纤、光纤微动架、微纳光波导倏逝波光传感器、输出光纤、光纤微动架和光电二极管。该方法包括：首先，在待测溶液中加入显色试剂，该显色...
周静涛贾锐刘焕明杨成樾申华军刘新宇
一种宽禁带功率器件场板的制造方法
本发明公开了一种宽禁带功率器件场板的制造方法，包括：在功率半导体外延片衬底表面制作介质钝化层；采用光刻技术在该介质钝化层表面形成刻蚀窗口；采用刻蚀或腐蚀技术对该介质钝化层开孔，形成具有特定角度的斜面；在该具有特定角度的斜...
刘新宇许恒宇汤益丹蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
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一种场限环结终端结构的优化设计方法
本发明公开了一种场限环结终端结构的优化设计方法，涉及电力电子器件技术领域，解决了现有技术中场限环结终端结构优化设计较为复杂的问题。该方法包括：确定初始的场限环的环深、环浓度、环宽度和环个数；设定初始的场限环间距分布；将相...
白云申华军汤益丹杨成樾王弋宇于海龙彭朝阳刘新宇
一种硅纳米光波导与光纤的耦合封装方法
本发明涉及光集成芯片的耦合封装技术领域的一种硅纳米光波导与光纤的耦合封装方法。为了实现硅纳米光波导与光纤的高效光耦合与简便封装，本发明提供一种硅纳米光波导与光纤的耦合封装方法，利用倒锥型模斑转换器实现硅纳米光波导中的小尺...
申华军周静涛刘新宇吴德馨
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