邢东
- 作品数：8 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 硫钝化表面改善GaAs MESFET电特性被引量：1
- 1996年
- 本文介绍了一种适用于GaAs MESFET表面钝化的新方法。通过对器件进行硫砘化处理,我们发现钝化能使器件的击穿电压提高和表面漏电减少。我们认为造成这种现象的原因,是由于硫钝化减少了栅漏附近的GaAs表面态密度。
- 邢东蒋敬旗
- 关键词：硫钝化半导体器件
- 太赫兹平面肖特基二极管参数模型研究
- 通过研究太赫兹平面肖特基二极管结构及材料特性,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了完整的平面二极管高频等效电路参数模型。设计了基于共面波导去嵌方法的二极管在片测试结构,对其在0.1-50GHz、75-110GHz...
- 赵向阳王俊龙邢东杨大宝梁士雄张立森冯志红
- 关键词：小信号等效电路模型
- 蓝宝石衬底上高性能InAlN/GaN异质结及场效应晶体管研究
- 使用金属有机物气相外延方法,在蓝宝石(0001)衬底上生长高性能InAlN/GaN异质结并制备了异质结场效应晶体管.利用原子力显微镜和Hall 测试等方法研究了InAlN/GaN异质结材料特性.研究表明材料表面原子台阶平...
- 房玉龙冯志红敦少博尹甲运刘波盛百城何泽召韩婷婷张雄文邢东
- 关键词：HFET迁移率蓝宝石截止频率
- 文献传递
- (NH_4)_2S_x溶液改善GaAs MESFETs击穿特性的机理研究被引量：2
- 2003年
- 使用 (NH4) 2 Sx 溶液对GaAsMESFETs进行处理。处理后 ,器件各栅偏压下的源漏饱和电流降低了 ,栅漏击穿电压有了显著提高。我们认为负电荷表面态影响着栅边缘的电场 ,负电荷表面态密度的增大会提高器件的击穿电压 ,这就是 (NH4) 2 Sx
- 刘立浩杨瑞霞邢东郭荣辉申华军刘芳芳
- 关键词：GAASMESFETS击穿电压
- 硫钝化GaAs MESFET的机理研究被引量：3
- 2002年
- 研究了硫钝化对GaAs MESFET 直流特性的影响,并通过对钝化前后击穿电压的分析,认为负电荷表面态的增加减弱了栅靠漏一侧的电场强度,是导致器件击穿电压升高的原因。
- 邢东李效白刘立浩
- 关键词：硫钝化GAASMESFET击穿电压
- 太赫兹共振隧穿二极管研究进展
- 共振隧穿二极管(RTD)是基于量子共振隧穿效应的一种两端负阻器件。当器件工作于负阻区时,共振隧穿二极管可以用作振荡器;当器件工作在负阻区外的强非线性区时,共振隧穿二极管可以用作检测器,因此共振隧穿二极管既可以作为信号发生...
- 冯志红梁士雄赵向阳张立森王俊龙邢东
- 关键词：共振隧穿二极管电流峰谷比
- 中高层大气临边探测仪640GHz接收机
- 介绍用于中高层大气临边探测四频段集成一体化接收机前端研制情况与测量结果。接收机前端包括118GHz、190GHz、240GHz和640GHz等四个频率,用于640GHz接收机前端的混频器与倍频器采用TMIC工艺实现。测试...
- 蒋长宏杨非邢东王振占冯志红赵向阳刘波
- 关键词：太赫兹
- GaAs经硫和硒钝化处理后的光致发光被引量：2
- 1995年
- 研究了用Ｎａ＿２Ｓ·９Ｈ＿２Ｏ，（ＮＨ＿４）＿２Ｓ＿ｘ和Ｓｅ钝化的ＧａＡｓ的光致发光。这种钝化是经湿法化学处理来进行的。硫和硒处理后，我们观察到光致发光强左有明显的增强。同时我们也比较了三种钝化方法的效果。经分析认为，这种增强是由于表面复合中心密度的减小而造成的。
- 邢东
- 关键词：硫硒钝化处理GAAS光致发光表面处理
