梁士雄
- 作品数：7 被引量：4H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 基于人工微结构阵列的太赫兹空间调制器研究进展
- 2019年
- 本文介绍了国内外太赫兹空间调制器的研究背景,阐述了太赫兹空间调制器的研究意义及应用前景。介绍了基于人工微结构阵列的太赫兹空间调制器的最新研究成果,利用太赫兹波对超材料独特的响应特性,设计出多种具有不同响应模式的人工微结构阵列,分别嵌套高电子迁移率晶体管(HEMT)和相变材料二氧化钒,制备出了基于不同外加激励下的太赫兹空间幅度调制器和相位调制器。其中,太赫兹空间幅度调制器的调制速率可到1Gbps,调制深度可达85%,相位调制器在30GHz以上的带宽内相移量可达130°。上述太赫兹器件的调制性能均处于国际领先水平,极大地提高了透射式太赫兹准光调制器的调制能力。该类器件在太赫兹通信、太赫兹成像等领域具有极大的发展空间。
- 张雅鑫梁士雄赵运成冯志红
- 关键词：太赫兹HEMT
- 基于高电子迁移率晶体管的太赫兹波空间外部多频带调制器的研究
- 太赫兹无线通信是太赫兹领域最重要的应用方向之一,作为该系统中最关键的核心技术之一,太赫兹外部调制器如今成为太赫兹科学技术研究领域的重点。本文研究了一种基于高电子迁移率晶体管的太赫兹波空间外部多频带调制器。该器件将HEMT...
- 赵运城梁士雄冯志红张雅鑫
- 关键词：太赫兹调制器多频带HEMT超材料
- 太赫兹平面肖特基二极管参数模型研究
- 通过研究太赫兹平面肖特基二极管结构及材料特性,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了完整的平面二极管高频等效电路参数模型。设计了基于共面波导去嵌方法的二极管在片测试结构,对其在0.1-50GHz、75-110GHz...
- 赵向阳王俊龙邢东杨大宝梁士雄张立森冯志红
- 关键词：小信号等效电路模型
- 基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管被引量：2
- 2019年
- 为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度>400kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)>2.4。
- 车相辉梁士雄张立森顾国栋郝文嘉杨大宝陈宏泰冯志红
- 关键词：共振隧穿二极管峰谷电流比
- 太赫兹梯度超表面综述被引量：2
- 2019年
- 超表面,一种新颖的人工电磁材料,由于厚度可忽略不计,也称二维超材料。由于电磁波的电场或磁场与超表面亚波长单元结构的共振效应使其相位或幅度发生突变,从而经过超表面后出射波矢量场的叠加实现了对电磁波传播特性的调控。与三维超材料相比,超表面拥有损耗低、厚度薄、易于集成等优点,其巨大的应用潜力受到全世界研究人员的关注。太赫兹超表面器件在平面超透镜、涡旋光束、数字编码超表面、全息成像等显示了巨大的潜力和优势。从基本定律出发,总结了几种重要的超表面器件的调控原理和应用领域,并对未来超表面器件的实用价值和前进方向进行展望。
- 寇伟陈婷杨梓强梁士雄
- 关键词：太赫兹超材料
- 基于肖特基二极管单片集成芯片的340 GHz收发链路
- 2023年
- 针对太赫兹通信及成像等系统对高集成度射频收发链路的需求,在自主研制的太赫兹肖特基二极管的基础上,建立了器件的精确模型,设计并制备出基于二极管的倍频/混频单片集成芯片,解决了传统二极管装配难度大、一致性差的难题,提高了器件的性能。成功研制出170 GHz、340 GHz倍频器和340 GHz混频器模块,并且开发出集成化的340 GHz发射与接收链路。发射端一体化模块实现了342 GHz功率为22 mW的输出,接收端一体化模块实现了330~350 GHz单边带变频损耗在10 dB上下。该模块的开发为未来太赫兹通信及成像技术的应用奠定基础。
- 张明浩董亚洲梁士雄
- 关键词：半导体器件倍频器混频器
- 太赫兹共振隧穿二极管研究进展
- 共振隧穿二极管(RTD)是基于量子共振隧穿效应的一种两端负阻器件。当器件工作于负阻区时,共振隧穿二极管可以用作振荡器;当器件工作在负阻区外的强非线性区时,共振隧穿二极管可以用作检测器,因此共振隧穿二极管既可以作为信号发生...
- 冯志红梁士雄赵向阳张立森王俊龙邢东
- 关键词：共振隧穿二极管电流峰谷比
