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张立森

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇太赫兹
  • 3篇赫兹
  • 3篇二极管
  • 2篇隧穿
  • 2篇共振隧穿
  • 2篇共振隧穿二极...
  • 1篇电流
  • 1篇电流比
  • 1篇电流峰谷比
  • 1篇电流密度
  • 1篇小信号等效电...
  • 1篇小信号等效电...
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基二极管
  • 1篇峰谷电流比
  • 1篇高电流
  • 1篇高电流密度
  • 1篇MOCVD生...

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇冯志红
  • 3篇张立森
  • 3篇梁士雄
  • 2篇邢东
  • 2篇杨大宝
  • 2篇赵向阳
  • 2篇王俊龙
  • 1篇陈宏泰
  • 1篇顾国栋
  • 1篇车相辉
  • 1篇郝文嘉

传媒

  • 1篇电子技术应用

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
太赫兹平面肖特基二极管参数模型研究
通过研究太赫兹平面肖特基二极管结构及材料特性,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了完整的平面二极管高频等效电路参数模型。设计了基于共面波导去嵌方法的二极管在片测试结构,对其在0.1-50GHz、75-110GHz...
赵向阳王俊龙邢东杨大宝梁士雄张立森冯志红
关键词：小信号等效电路模型
基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管被引量：2
2019年
为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度>400kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)>2.4。
车相辉梁士雄张立森顾国栋郝文嘉杨大宝陈宏泰冯志红
关键词：共振隧穿二极管峰谷电流比
太赫兹共振隧穿二极管研究进展
共振隧穿二极管(RTD)是基于量子共振隧穿效应的一种两端负阻器件。当器件工作于负阻区时,共振隧穿二极管可以用作振荡器;当器件工作在负阻区外的强非线性区时,共振隧穿二极管可以用作检测器,因此共振隧穿二极管既可以作为信号发生...
冯志红梁士雄赵向阳张立森王俊龙邢东
关键词：共振隧穿二极管电流峰谷比
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