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杨大宝

作品数：159 被引量：37H指数：4
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程矿业工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 122篇专利
  • 23篇期刊文章
  • 12篇会议论文

领域

  • 64篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 75篇二极管
  • 71篇肖特基
  • 71篇倍频
  • 59篇电路
  • 55篇肖特基二极管
  • 31篇倍频电路
  • 29篇太赫兹
  • 28篇赫兹
  • 27篇平衡式
  • 25篇射频
  • 25篇射频输出
  • 23篇混频
  • 22篇波导
  • 21篇欧姆接触
  • 21篇倍频器
  • 20篇微带
  • 18篇肖特基接触
  • 16篇鳍线
  • 14篇欧姆接触电极
  • 14篇接触电极

机构

  • 146篇中国电子科技...
  • 7篇专用集成电路...
  • 4篇信息产业部
  • 3篇中国电子科技...
  • 2篇河北半导体研...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 157篇杨大宝
  • 132篇冯志红
  • 121篇张立森
  • 111篇邢东
  • 108篇王俊龙
  • 93篇赵向阳
  • 32篇房玉龙
  • 17篇吕元杰
  • 16篇宋旭波
  • 14篇顾国栋
  • 10篇刘波
  • 9篇蔚翠
  • 8篇张雄文
  • 6篇何泽召
  • 4篇邢东
  • 4篇梁士雄
  • 2篇陈志宏
  • 2篇张世勇
  • 2篇王江
  • 2篇沈林泽

传媒

  • 8篇半导体技术
  • 7篇红外与激光工...
  • 4篇2005全国...
  • 2篇电子技术应用
  • 2篇中国激光
  • 2篇微波学报
  • 2篇2001全国...
  • 2篇2013‘全...
  • 1篇半导体情报
  • 1篇太赫兹科学与...
  • 1篇2003全国...

年份

  • 2篇2024
  • 16篇2023
  • 7篇2022
  • 3篇2021
  • 4篇2020
  • 10篇2019
  • 10篇2018
  • 28篇2017
  • 22篇2016
  • 21篇2015
  • 8篇2014
  • 14篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 4篇2006
  • 1篇2003
  • 5篇2001
共 159 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底
本发明公开了一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底，属于半导体器件领域。本发明包括半绝缘衬底，在所述半绝缘衬底的背面设有两个以上的空气孔，所述空气孔的深度小于半绝缘衬底的厚度，大于半绝缘衬底厚度的三分之一。本发明给出的在半...
王俊龙冯志红邢东梁士雄张立森杨大宝张雄文宋旭波何泽召蔚翠
文献传递
一种基于石墨烯波导结构的太赫兹调制放大器
本发明公开了一种基于石墨烯波导结构的太赫兹调制放大器，涉及调制放大器技术领域。包括衬底、波导芯层、两个欧姆接触电极、石墨烯层和绝缘介质层，所述波导芯层位于所述衬底上表面的中部，所述波导芯层的上面和左右侧面设有两个以上石墨...
王俊龙冯志红邢东梁士雄张立森蔚翠杨大宝
文献传递
0.2THz宽带非平衡式倍频电路研究被引量：6
2017年
基于四阳极结反向串联型GaAs平面肖特基二极管,设计并实现了0.2THz宽带非平衡式二次倍频电路。肖特基二极管倒装焊接在75μm石英电路上。在小功率和大功率注入条件下,测试了倍频电路的输出功率和倍频效率。输入功率在10~15mW时,通过加载正向偏置电压,在210~224GHz,倍频效率大于3%,在212GHz处有最高点倍频效率为7.8%。输入功率在48~88mW时,在自偏压条件下,210~224GHz带内倍频效率大于3.6%,在214GHz处测得最大倍频效率为5.7%。固定输出频率为212GHz,在132mW功率注入时,自偏压输出功率最大为5.7mW,加载反向偏置电压为-0.8V时,输出功率为7.5mW。
王俊龙杨大宝邢东梁士雄张立森赵向阳冯志红
关键词：太赫兹
耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路
本发明公开了一种耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路，涉及太赫兹电路技术领域。所述电路包括射频输入波导、石英基板和射频输出波导，所述石英基板的一端位于所述射频输入波导的波导槽内，所述石英基板的另一端位于所述射频输出波导的波导槽...
王俊龙冯志红杨大宝梁士雄张立森赵向阳邢东徐鹏
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0.22 THz宽带混频电路研究被引量：3
2017年
基于中国电子科技集团公司第十三研究所的反向并联肖特基二极管,采用电磁场和电路软件联合仿真,完成了0.22 THz分谐波混频电路设计。在固定中频输出频率10 MHz的条件下测试了混频电路的变频损耗,在175~235 GHz共60 GHz带宽内双边带变频损耗小于15 d B,在196 GHz处最佳变频损耗为8.5 d B。测试结果与仿真结果趋势吻合良好。基于冷热负载,测试了分谐波混频电路的噪声温度,当本振功率为5.7 m W时,在216 GHz处双边带噪声温度为1 200 K。
王俊龙杨大宝邢东梁士雄张立森赵向阳徐鹏冯志红
关键词：太赫兹混频肖特基二极管
Ku波段70W功率模块技术研究
本文介绍了一种具有新颖结构的大功率模块.该模块采用三维立体辐射结构,很好地解决了体积,散热,以及功率损耗等关键技术问题,在11.8-12.2GHz范围内,输出功率大于50W,中心频率附近,输出功率超过70W,效率达18﹪...
王江杨大宝
文献传递
Ku波段70W功率模块技术研究
本文介绍了一种具有新颖结构的大功率模块。该模块采用三维立体辐射结构,很好地解决了体积,散热,以及功率损耗等关键技术问题,在11.8-12.2GHz范围内,输出功率大于50W,中心频率附近,输出功率超过70W,效率达18%...
王江杨大宝
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0.1THz鳍线单平衡式基波混频电路研究被引量：1
2017年
研究了一种基于石英基片的0.1THz频段的鳍线单平衡混频电路,混频电路的射频和本振信号分别从WR10标准波导端口通过波导单面鳍线微带过渡和波导微带探针过渡输入,中频信号通过本振中频双工器输出。这是一种新型的混频电路形式,与传统的W波段混频器相比,混频电路可以省略一个复杂的W波段滤波器,具有电路设计简单、安装方便的特点。该电路使用两只肖特基二极管通过倒装焊工艺粘结在厚度为75μm的石英基片上,石英基片相对传统基板,可以极大提高电路加工精度。在固定50MHz中频信号时,射频90~110GHz范围内,0.1THz混频器单边带变频损耗小于9dB。
杨大宝王俊龙张立森邢东梁士雄赵向阳冯志红
关键词：混频电路
基于调制掺杂的GaN肖特基二极管
本发明公开了一种基于调制掺杂的GaN肖特基二极管，属于半导体器件领域。本发明包括用于支撑整个GaN肖特基二极管的半绝缘的衬底层、在衬底层上生长的高掺杂的N+型GaN层，以及在N+型GaN层上采用调制掺杂生长的N-型GaN...
梁士雄冯志红房玉龙邢东王俊龙张立森杨大宝
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用于太赫兹倍频链的新型混合集成电路
本实用新型公开了一种用于太赫兹倍频链的新型混合集成电路，涉及太赫兹器件技术领域。所述电路包括射频输入波导、第一石英基板、射频输入过度微带线、第一传输微带线、第一低通滤波器、输入匹配微带线、第一GaAs太赫兹倍频二极管、第...
王俊龙杨大宝梁士雄张立森赵向阳邢东冯志红
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