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王俊龙

作品数：124 被引量：17H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金山东省高等学校科技计划项目青岛市科技发展计划项目更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术矿业工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 118篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 28篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇矿业工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 58篇二极管
  • 58篇倍频
  • 53篇肖特基
  • 50篇电路
  • 44篇肖特基二极管
  • 30篇倍频电路
  • 23篇射频
  • 23篇射频输出
  • 23篇平衡式
  • 21篇欧姆接触
  • 20篇微带
  • 20篇波导
  • 19篇太赫兹
  • 18篇肖特基接触
  • 18篇赫兹
  • 15篇鳍线
  • 15篇混频
  • 14篇欧姆接触电极
  • 14篇接触电极
  • 11篇倒装焊

机构

  • 120篇中国电子科技...
  • 5篇专用集成电路...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇山东科技大学
  • 1篇云南大学
  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 124篇王俊龙
  • 115篇冯志红
  • 110篇张立森
  • 108篇杨大宝
  • 101篇邢东
  • 79篇赵向阳
  • 32篇房玉龙
  • 13篇蔚翠
  • 10篇何泽召
  • 9篇宋旭波
  • 8篇张雄文
  • 6篇田秀伟
  • 6篇安国雨
  • 6篇吕元杰
  • 4篇邢东
  • 4篇李佳
  • 4篇刘庆彬
  • 4篇梁士雄
  • 4篇顾国栋
  • 2篇陈君涛

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇2013‘全...
  • 1篇物理学报
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 9篇2023
  • 4篇2022
  • 1篇2021
  • 4篇2020
  • 3篇2019
  • 11篇2018
  • 25篇2017
  • 20篇2016
  • 21篇2015
  • 8篇2014
  • 18篇2013
共 124 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于调制掺杂的GaN肖特基二极管
本发明公开了一种基于调制掺杂的GaN肖特基二极管，属于半导体器件领域。本发明包括用于支撑整个GaN肖特基二极管的半绝缘的衬底层、在衬底层上生长的高掺杂的N+型GaN层，以及在N+型GaN层上采用调制掺杂生长的N-型GaN...
梁士雄冯志红房玉龙邢东王俊龙张立森杨大宝
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用于太赫兹倍频链的新型混合集成电路
本实用新型公开了一种用于太赫兹倍频链的新型混合集成电路，涉及太赫兹器件技术领域。所述电路包括射频输入波导、第一石英基板、射频输入过度微带线、第一传输微带线、第一低通滤波器、输入匹配微带线、第一GaAs太赫兹倍频二极管、第...
王俊龙杨大宝梁士雄张立森赵向阳邢东冯志红
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可用于0.3THz的国产肖特基倍频二极管
本文基于半导体工艺，制作出了可用于THz频段的GaAs基肖特基倍频二极管。倍频二极管为反向级联二极管，通过制作欧姆接触阴极和肖特基接触阳极，制作的GaAs基肖特基二极管的尺寸为345um*55um*SOum(L*W*H)...
王俊龙邢东梁士雄张立森杨大宝吕元杰宋旭波何泽召冯志红
关键词：性能表征半导体工艺
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单面石英鳍线双二极管太赫兹平衡式二次倍频电路
本实用新型公开了一种单面石英鳍线双二极管太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、两个反向串联的GaAs基太赫兹肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包...
王俊龙冯志红房玉龙杨大宝梁士雄张立森赵向阳徐鹏邢东
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基于极化掺杂的GaN横向肖特基二极管
本实用新型公开了一种基于极化掺杂的GaN横向肖特基二极管，属于半导体器件领域。本实用新型自下而上包括衬底、缓冲层和GaN层，在GaN层上设有渐变组分AlGaN层、与渐变组分AlGaN层横向结构形成的欧姆接触金属层和肖特基...
王俊龙冯志红邢东梁士雄张立森杨大宝房玉龙吕元杰顾国栋张雄文
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单面石英鳍线太赫兹平衡式三次倍频电路
本发明公开了一种单面石英鳍线太赫兹平衡式三次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、两个同向串联的GaAs基太赫兹肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基...
王俊龙冯志红房玉龙杨大宝梁士雄张立森赵向阳徐鹏邢东
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一种多梁式引线砷化镓基肖特基倍频二极管
本发明公开了一种多梁式引线砷化镓基肖特基倍频二极管，涉及半导体器件技术领域；包括砷化镓基肖特基倍频二极管本体，砷化镓基肖特基倍频二极管本体的两端均设有多梁式引线，所述多梁式引线包括一端连接在一起的至少两条梁式子引线，所述...
王俊龙邢东梁士雄张立森杨大宝赵向阳冯志红
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一种用于半导体器件制备的光刻对准标记制作方法
本发明公开了一种用于半导体器件制备的光刻对准标记制作方法，涉及加到半导体器件上的标志技术领域。包括以下步骤：1）在半导体材料的上表面悬涂光刻胶；2）利用光刻掩膜板，通过光刻工艺将光刻标记位置的光刻胶去除；3）通过电子束蒸...
吕元杰冯志红敦少博顾国栋韩婷婷王俊龙
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类混频GaAs太赫兹肖特基三倍频二极管
本发明公开了一种类混频GaAs太赫兹肖特基三倍频二极管，第一金属电极组件上的第一金属电极层通过金属空气桥与第一二极管组件上的第二肖特基接触金属层连接，第一二极管组件上的第二金属电极层与第二金属电极组件上的第一肖特基接触金...
王俊龙邢东梁士雄张立森杨大宝赵向阳冯志红
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双面鳍线四管芯太赫兹平衡式二次倍频电路
本发明公开了一种双面鳍线四管芯太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、四个肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板正反...
王俊龙冯志红房玉龙杨大宝梁士雄张立森赵向阳徐鹏邢东
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