袁卓颖
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 掩模版真空复制图形位置精度分析
- 2021年
- 半导体工艺中图形位置精度作为掩模版的关键技术指标直接决定着光刻套准精度和最终芯片的良品率。在分立器件行业,为满足微米级特征尺寸图形套准精度,要求工作掩模版图形位置精度达到亚微米级。依据掩模版复制原理提出了一种真空复制光刻方案,并利用有限元方法分析真空复制工艺中掩模版的应力应变对图形位置精度的影响。针对5英寸(1英寸=2.54 cm)苏打掩模版,测试不同真空度下工作掩模版的图形位置精度,实验结果表明制作的工作掩模版胀缩率小于4 ppm(1 ppm=10^(-6)),正交性偏差角度小于2μrad,图形位置精度优于500 nm。结果表明该方案适用于微米级图形掩模版的制作,可显著降低制版成本。
- 束名扬刘勇袁卓颖
- 关键词：光刻掩模版应力应变套准精度
- 图形化衬底工艺用步进光刻掩膜版数据拼接方法和修正法
- 本发明是图形化衬底制造工艺用步进光刻掩膜版的数据拼接方法及修正方法，包括如下工艺：确定光刻掩膜版上小圆的尺寸和间隔尺寸；确定小圆正三角形排列之正三角形边长，设边长为a；作出以1/2a为内切圆半径的正六边形，并将该正六边形...
- 叶红王玉林袁卓颖毛臻琪王刚明
- 文献传递
- OLED掩模版Mura缺陷分析与改善
- 2024年
- Mura缺陷管控作为关键技术指标直接决定着OLED器件的显示画质与良品率。针对OLED掩模版生产过程中发生的Mura缺陷,通过Mura不良分析发现这种缺陷与阵列像素单元邻近辅助图形有关,并在显影工艺后表现出阵列像素单元关键尺寸(CD)不均匀与宏观色差。依据显影工艺分析,基于旋喷式显影模式提出了一种分步显影方案,实验测试分析了显影液流速、旋转速度、纯水流速以及纯水/显影液过渡时间等工艺参数对Mura缺陷的影响。通过优化显影工艺,实现阵列像素单元CD不均匀性优于120 nm,阵列像素单元边缘Mura不良区域由大于3%降低至无视觉可见Mura,结果表明该工艺方案可以显著改善Mura缺陷。
- 束名扬张玉星袁卓颖
- 关键词：OLED掩模版显影
- 微细直角图形失真及预补偿设计方法
- 2014年
- 提出一种误差预补偿的方法,调整引起的掩模特征形状以实现光罩图形的轮廓调制,通过数据前期的预补偿,减少失真,从而改善微细直角的最终光刻制作结果。
- 徐进袁卓颖王刚明
- 关键词：掩模板
- 图形化衬底工艺用步进光刻掩膜版数据拼接方法和修正法
- 本发明是图形化衬底制造工艺用步进光刻掩膜版的数据拼接方法及修正方法，包括如下工艺：确定光刻掩膜版上小圆的尺寸和间隔尺寸；确定小圆正三角形排列之正三角形边长，设边长为a；作出以1/2a为内切圆半径的正六边形，并将该正六边形...
- 叶红王玉林袁卓颖毛臻琪王刚明
