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张思申

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇硅片
  • 2篇氧化层
  • 2篇离子
  • 2篇离子注入
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻胶
  • 2篇硅片表面
  • 2篇剥落
  • 2篇超薄
  • 2篇超薄氧化
  • 2篇超薄氧化层
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇单晶硅片
  • 1篇衰减率
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格结构
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体制造
  • 1篇半导体制造工...

机构

  • 3篇中国航天科技...

作者

  • 3篇张思申
  • 2篇付鹏
  • 2篇汪小军
  • 2篇李宁
  • 2篇利阳
  • 1篇仲维续
  • 1篇张晓雷
  • 1篇贺金良

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2015
  • 1篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种能够防止离子注入区边界硅棱剥落的离子注入方法
本发明公开了一种能够防止离子注入区边界硅棱剥落的离子注入方法，包括以下步骤：首先对硅片表面进行处理，使硅片表面生长氧化层；然后硅片上涂覆光刻胶；接着对硅片进行离子注入；最后去除硅片表面的光刻胶。本发明通过对硅片表面进行处...
李宁付鹏张思申利阳汪小军
文献传递
一种利用热波仪测量温度的方法
本发明公开了一种利用热波仪测量温度的方法。在半导体制造工艺中，离子注入会破坏单晶硅片的晶格结构，通过热波仪可以量测出这种损伤值，称之为TW(Thermal Wave)值。而经过一定的温度退火后会修复这种晶格的损伤，故会造...
张思申仲维续张晓雷贺金良
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一种能够防止离子注入区边界硅棱剥落的离子注入方法
本发明公开了一种能够防止离子注入区边界硅棱剥落的离子注入方法，包括以下步骤：首先对硅片表面进行处理，使硅片表面生长氧化层；然后硅片上涂覆光刻胶；接着对硅片进行离子注入；最后去除硅片表面的光刻胶。本发明通过对硅片表面进行处...
李宁付鹏张思申利阳汪小军
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