您的位置： 专家智库 > >

汪小军

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇氧化层
  • 2篇圆片
  • 2篇外延膜
  • 2篇离子
  • 2篇膜厚
  • 2篇膜厚监控
  • 2篇晶圆
  • 2篇晶圆片
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻胶
  • 2篇硅片
  • 2篇硅片表面
  • 2篇高温
  • 2篇高温处理
  • 2篇剥落
  • 2篇超薄
  • 2篇超薄氧化
  • 2篇超薄氧化层
  • 1篇底片
  • 1篇重掺杂

机构

  • 4篇中国航天科技...

作者

  • 4篇汪小军
  • 2篇张思申
  • 2篇付鹏
  • 2篇吴迪
  • 2篇折宇
  • 2篇黄鹤
  • 2篇李宁
  • 2篇利阳

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
一种能够防止离子注入区边界硅棱剥落的离子注入方法
本发明公开了一种能够防止离子注入区边界硅棱剥落的离子注入方法，包括以下步骤：首先对硅片表面进行处理，使硅片表面生长氧化层；然后硅片上涂覆光刻胶；接着对硅片进行离子注入；最后去除硅片表面的光刻胶。本发明通过对硅片表面进行处...
李宁付鹏张思申利阳汪小军
文献传递
一种高精度外延膜厚监控片及其制备方法
本发明公开了一种高精度外延膜厚监控片及其制备方法，对使用过的晶圆片的表面进行处理，使其表面呈现裸硅状态；清洗；对清洗过的轻掺杂晶圆片进行处理使其生长氧化层；进行N型或P型杂质注入；进行高温处理；进行表面处理，使其表面呈现...
折宇汪小军吴迪黄鹤
一种高精度外延膜厚监控片及其制备方法
本发明公开了一种高精度外延膜厚监控片及其制备方法，对使用过的晶圆片的表面进行处理，使其表面呈现裸硅状态；清洗；对清洗过的轻掺杂晶圆片进行处理使其生长氧化层；进行N型或P型杂质注入；进行高温处理；进行表面处理，使其表面呈现...
折宇汪小军吴迪黄鹤
文献传递
一种能够防止离子注入区边界硅棱剥落的离子注入方法
本发明公开了一种能够防止离子注入区边界硅棱剥落的离子注入方法，包括以下步骤：首先对硅片表面进行处理，使硅片表面生长氧化层；然后硅片上涂覆光刻胶；接着对硅片进行离子注入；最后去除硅片表面的光刻胶。本发明通过对硅片表面进行处...
李宁付鹏张思申利阳汪小军
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0