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付鹏

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇光刻
  • 2篇氧化层
  • 2篇离子
  • 2篇光刻胶
  • 2篇硅片
  • 2篇硅片表面
  • 2篇剥落
  • 2篇超薄
  • 2篇超薄氧化
  • 2篇超薄氧化层
  • 1篇电镀
  • 1篇电镀铜
  • 1篇镀铜
  • 1篇子层
  • 1篇阻挡层
  • 1篇离子注入
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘层
  • 1篇TSV

机构

  • 3篇中国航天科技...

作者

  • 3篇付鹏
  • 2篇张思申
  • 2篇汪小军
  • 2篇李宁
  • 2篇利阳
  • 1篇李翔
  • 1篇孙有民
  • 1篇单光宝

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2015
  • 1篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种能够防止离子注入区边界硅棱剥落的离子注入方法
本发明公开了一种能够防止离子注入区边界硅棱剥落的离子注入方法，包括以下步骤：首先对硅片表面进行处理，使硅片表面生长氧化层；然后硅片上涂覆光刻胶；接着对硅片进行离子注入；最后去除硅片表面的光刻胶。本发明通过对硅片表面进行处...
李宁付鹏张思申利阳汪小军
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一种能够防止离子注入区边界硅棱剥落的离子注入方法
本发明公开了一种能够防止离子注入区边界硅棱剥落的离子注入方法，包括以下步骤：首先对硅片表面进行处理，使硅片表面生长氧化层；然后硅片上涂覆光刻胶；接着对硅片进行离子注入；最后去除硅片表面的光刻胶。本发明通过对硅片表面进行处...
李宁付鹏张思申利阳汪小军
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低成本TSV立体集成工艺方法
本发明公开了一种低成本TSV立体集成工艺方法，在TSV通孔侧壁绝缘层制作完成后直接进行制作阻挡层和种子层及电镀铜，与同传统TSV工艺流程相比，减少了涂胶、曝光、显影、CD测量、二氧化硅刻蚀、去胶6步工序，该流程在晶圆背面...
单光宝李翔孙有民蔚婷婷付鹏
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