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李楠

作品数:131 被引量:19H指数:3
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院科研装备研制项目更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 124篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 15篇电子电信
  • 9篇理学
  • 8篇一般工业技术
  • 7篇机械工程
  • 5篇文化科学
  • 2篇化学工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 28篇原子层沉积
  • 28篇刻蚀
  • 21篇半导体
  • 16篇等离子体
  • 15篇启辉
  • 13篇激光
  • 11篇电极
  • 9篇射频线圈
  • 9篇进气
  • 9篇基片
  • 9篇半导体制造
  • 9篇半导体制造技...
  • 7篇氧化锌薄膜
  • 7篇石墨
  • 7篇石墨烯
  • 7篇掺杂
  • 7篇衬底
  • 6篇受主
  • 6篇共掺
  • 5篇电场

机构

  • 131篇中国科学院微...
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇北京交通大学
  • 1篇中国科学院嘉...

作者

  • 131篇李楠
  • 124篇夏洋
  • 54篇卢维尔
  • 42篇赵丽莉
  • 36篇李超波
  • 33篇陈波
  • 31篇张庆钊
  • 30篇李勇滔
  • 28篇屈芙蓉
  • 27篇席峰
  • 24篇冷兴龙
  • 21篇刘涛
  • 14篇解婧
  • 12篇万军
  • 11篇石莎莉
  • 9篇程嵩
  • 8篇张艳清
  • 8篇刘键
  • 7篇景玉鹏
  • 6篇吕树玲

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇材料导报(纳...
  • 1篇2014中国...

年份

  • 3篇2024
  • 12篇2023
  • 5篇2022
  • 21篇2021
  • 5篇2020
  • 6篇2019
  • 8篇2018
  • 15篇2017
  • 8篇2016
  • 8篇2015
  • 7篇2014
  • 16篇2013
  • 14篇2012
  • 3篇2011
131 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
近红外傅里叶变换偏振光谱仪
一种近红外傅里叶变换偏振光谱仪,包括:激光干涉子系统及其探测单元、白光干涉子系统及其探测单元;所述激光干涉子系统及其探测单元包括激光器、分束器、动镜、探测器和传感器;所述白光干涉子系统及其探测单元包括光源、滤波片、斩波器...
王玥张凌云王博雨陈楠冷兴龙刘涛李楠赵丽莉刘键景玉鹏何萌夏洋
产生中性粒子束的装置及方法
本发明公开了一种产生中性粒子束的装置,包括反应腔体、放置芯片的载片台、等离子源、上网板,所述上网板、等离子源和所述载片台设置在所述反应腔体内部,所述上网板设置在所述等离子源上方,所述等离子源和所述载片台之间依次设置有中网...
席峰李勇滔李楠张庆钊夏洋
文献传递
一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法
本申请公开了一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法,包括:在原子层沉积反应腔室中放置衬底,将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理,其中,加热对象包括基底、反应腔室、管路、反应源;所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种;待所述加热...
明帅强赵丽莉李楠何萌卢维尔夏洋高雅增文庆涛李培源冷兴龙刘涛屈芙蓉
一种进气结构
本发明涉及等离子刻蚀、淀积设备技术领域,具体涉及一种应用于等离子刻蚀、淀积设备的进气结构。所述进气结构,包括进气管、匀气筒和匀气盘,所述进气管固定设置在真空室腔室上盖中部,所述进气管末端延伸至所述反应腔内的匀气筒内,所述...
席峰胡冬冬刘训春李勇滔李楠张庆钊夏洋
文献传递
一种非金属真空腔室结构
本发明公开了一种非金属真空腔室结构,属于等离子体技术领域。所述非金属真空腔室结构包括进气口、上盖板、腔室筒体、射频线圈、下盖板和排气口;进气口设置于上盖板的中心处,排气口设置于下盖板的中心处,上盖板、下盖板与腔室筒体密封...
席峰李勇滔李楠张庆钊夏洋
文献传递
一种P型氧化锌薄膜制备装置及方法
本发明涉及半导体材料制备技术领域,具体涉及一种p型氧化锌薄膜制备装置,所述装置为原子层沉积设备,所述原子层沉积设备包括反应腔室,所述反应腔室内从上至下依次设有上电极罩、绝缘盘、下电极盘和加热盘;所述上电极罩与正电极相连接...
程嵩卢维尔夏洋李楠李超波张庆钊
原子层沉积技术中电场对ZnO薄膜结晶性能的调制研究被引量:2
2014年
采用一种可变电场调制的原子层沉积技术(E-ALD)制备了氧化锌(ZnO)薄膜。在前驱体脉冲时,通过施加不同大小和方向的电压,可以对制备所得ZnO薄膜的晶体择优取向和结晶性能进行可控调制。当在锌源脉冲时施加正电压,氧源脉冲时施加负电压,制备得到了c轴择优取向的ZnO薄膜。电场对薄膜的调制机理为:当在腔室内施加电场时,极性的前驱体分子受到电场偶极矩的作用,使得分子发生偏转并且沿着电场线方向加速地向衬底运动,这对衬底表面化学反应的强度以及发生反应后分子的排列产生影响,进而影响到制备所得薄膜的结构和性能。这种E-ALD技术为半导体薄膜的制备提供了一条新的途径,有望制备出特定性能的薄膜材料。
卢维尔李超波夏洋李楠张艳清赵丽莉
关键词:ZNO薄膜原子层沉积
一种Ag<Sub>2</Sub>S薄膜的制备方法
本发明公开了一种Ag<Sub>2</Sub>S薄膜的制备方法,通过将衬底放置于原子层沉积的反应腔室中,将所述反应腔室抽真空且分别对衬底、所述反应腔室、管路与反应源加热至指定温度,其中,所述反应源包括银源和硫源;以第一脉冲...
明帅强卢维尔夏洋李楠冷兴龙何萌赵丽莉
文献传递
一种原子层沉积制备双受主共掺氧化锌薄膜的方法
本发明公开一种原子层沉积制备双受主共掺氧化锌薄膜的方法,其包括:将基片放入原子层沉积设备的反应腔室中;进行多组分的复合沉积;所述复合沉积包括在锌源沉积之前引入一次P掺杂源的沉积和氧源的沉积之后引入一次氮掺杂源的沉积;循环...
卢维尔夏洋李超波李楠解婧
文献传递
一种去除基片刻蚀后残余物的方法及装置
本发明涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种去除基片刻蚀后残余物的方法及装置。所述方法包括如下步骤:将待清洗的基片放置于工艺处理腔内的样品台上,所述基片在样品台的转动下进行旋转;将氢氟酸、二氧化碳和去离子水溶液组成的化学液...
陈波李楠夏洋
文献传递
共14页<12345678910>
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