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李楠
作品数:
133
被引量:19
H指数:3
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
中国科学院科研装备研制项目
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相关领域:
电子电信
理学
一般工业技术
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合作作者
夏洋
中国科学院微电子研究所
卢维尔
中国科学院微电子研究所
赵丽莉
中国科学院微电子研究所
李超波
中国科学院微电子研究所
陈波
中国科学院微电子研究所
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近红外傅里叶变换偏振光谱仪
一种近红外傅里叶变换偏振光谱仪,包括:激光干涉子系统及其探测单元、白光干涉子系统及其探测单元;所述激光干涉子系统及其探测单元包括激光器、分束器、动镜、探测器和传感器;所述白光干涉子系统及其探测单元包括光源、滤波片、斩波器...
王玥
张凌云
王博雨
陈楠
冷兴龙
刘涛
李楠
赵丽莉
刘键
景玉鹏
何萌
夏洋
产生中性粒子束的装置及方法
本发明公开了一种产生中性粒子束的装置,包括反应腔体、放置芯片的载片台、等离子源、上网板,所述上网板、等离子源和所述载片台设置在所述反应腔体内部,所述上网板设置在所述等离子源上方,所述等离子源和所述载片台之间依次设置有中网...
席峰
李勇滔
李楠
张庆钊
夏洋
文献传递
一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法
本申请公开了一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法,包括:在原子层沉积反应腔室中放置衬底,将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理,其中,加热对象包括基底、反应腔室、管路、反应源;所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种;待所述加热...
明帅强
赵丽莉
李楠
何萌
卢维尔
夏洋
高雅增
文庆涛
李培源
冷兴龙
刘涛
屈芙蓉
一种进气结构
本发明涉及等离子刻蚀、淀积设备技术领域,具体涉及一种应用于等离子刻蚀、淀积设备的进气结构。所述进气结构,包括进气管、匀气筒和匀气盘,所述进气管固定设置在真空室腔室上盖中部,所述进气管末端延伸至所述反应腔内的匀气筒内,所述...
席峰
胡冬冬
刘训春
李勇滔
李楠
张庆钊
夏洋
文献传递
一种非金属真空腔室结构
本发明公开了一种非金属真空腔室结构,属于等离子体技术领域。所述非金属真空腔室结构包括进气口、上盖板、腔室筒体、射频线圈、下盖板和排气口;进气口设置于上盖板的中心处,排气口设置于下盖板的中心处,上盖板、下盖板与腔室筒体密封...
席峰
李勇滔
李楠
张庆钊
夏洋
文献传递
一种多层膜菲涅尔波带片的设计方法及系统
本发明公开了一种多层膜菲涅尔波带片的设计方法及系统,获得第一光源能量信息;获得所述多层膜菲涅尔波带片的应用焦距;获得所述多层膜菲涅尔波带片的分辨率信息;确定菲涅尔波带片的最外环宽度;确定多层膜菲涅尔波带片的半径;确定所述...
高雅增
卢维尔
夏洋
刘涛
冷兴龙
李楠
屈芙蓉
赵丽莉
何萌
一种P型氧化锌薄膜制备装置及方法
本发明涉及半导体材料制备技术领域,具体涉及一种p型氧化锌薄膜制备装置,所述装置为原子层沉积设备,所述原子层沉积设备包括反应腔室,所述反应腔室内从上至下依次设有上电极罩、绝缘盘、下电极盘和加热盘;所述上电极罩与正电极相连接...
程嵩
卢维尔
夏洋
李楠
李超波
张庆钊
原子层沉积技术中电场对ZnO薄膜结晶性能的调制研究
被引量:2
2014年
采用一种可变电场调制的原子层沉积技术(E-ALD)制备了氧化锌(ZnO)薄膜。在前驱体脉冲时,通过施加不同大小和方向的电压,可以对制备所得ZnO薄膜的晶体择优取向和结晶性能进行可控调制。当在锌源脉冲时施加正电压,氧源脉冲时施加负电压,制备得到了c轴择优取向的ZnO薄膜。电场对薄膜的调制机理为:当在腔室内施加电场时,极性的前驱体分子受到电场偶极矩的作用,使得分子发生偏转并且沿着电场线方向加速地向衬底运动,这对衬底表面化学反应的强度以及发生反应后分子的排列产生影响,进而影响到制备所得薄膜的结构和性能。这种E-ALD技术为半导体薄膜的制备提供了一条新的途径,有望制备出特定性能的薄膜材料。
卢维尔
李超波
夏洋
李楠
张艳清
赵丽莉
关键词:
ZNO薄膜
原子层沉积
一种Ag<Sub>2</Sub>S薄膜的制备方法
本发明公开了一种Ag<Sub>2</Sub>S薄膜的制备方法,通过将衬底放置于原子层沉积的反应腔室中,将所述反应腔室抽真空且分别对衬底、所述反应腔室、管路与反应源加热至指定温度,其中,所述反应源包括银源和硫源;以第一脉冲...
明帅强
卢维尔
夏洋
李楠
冷兴龙
何萌
赵丽莉
文献传递
一种原子层沉积制备双受主共掺氧化锌薄膜的方法
本发明公开一种原子层沉积制备双受主共掺氧化锌薄膜的方法,其包括:将基片放入原子层沉积设备的反应腔室中;进行多组分的复合沉积;所述复合沉积包括在锌源沉积之前引入一次P掺杂源的沉积和氧源的沉积之后引入一次氮掺杂源的沉积;循环...
卢维尔
夏洋
李超波
李楠
解婧
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