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陈波

作品数:64 被引量:24H指数:3
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目中国科学院科研装备研制项目更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>

文献类型

  • 55篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 7篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 21篇硅衬底
  • 21篇衬底
  • 14篇半导体
  • 9篇基片
  • 9篇半导体制造
  • 9篇半导体制造技...
  • 8篇刻蚀
  • 7篇前驱体
  • 7篇化学吸附
  • 6篇氮气
  • 6篇原子层沉积
  • 6篇含氮
  • 6篇含碳
  • 5篇单晶
  • 5篇氮化碳
  • 5篇氮化碳薄膜
  • 5篇气体
  • 5篇躯体
  • 5篇纳米
  • 5篇硅片

机构

  • 64篇中国科学院微...
  • 2篇盐城工学院
  • 1篇山东科技大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇盐城工业职业...
  • 1篇嘉兴科民电子...
  • 1篇中芯国际集成...
  • 1篇中国科学院嘉...

作者

  • 64篇陈波
  • 53篇夏洋
  • 41篇李超波
  • 38篇万军
  • 34篇石莎莉
  • 33篇李楠
  • 30篇饶志鹏
  • 24篇李勇滔
  • 21篇黄成强
  • 19篇刘键
  • 11篇吕树玲
  • 6篇张艳清
  • 5篇夏洋
  • 3篇卢维尔
  • 3篇赵丽莉
  • 2篇刘邦武
  • 2篇周临震
  • 2篇汪明刚
  • 1篇张庆钊
  • 1篇顾琪

传媒

  • 1篇机械工程师
  • 1篇半导体技术
  • 1篇液压与气动
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇电子工业专用...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 3篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 7篇2017
  • 4篇2016
  • 8篇2015
  • 1篇2014
  • 15篇2013
  • 12篇2012
  • 2篇2011
64 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种半导体基片的处理方法及装置
本发明涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种半导体基片的处理方法,包括如下步骤:将待处理基片放置于处理腔中的承片台上,所述承片台带动所述基片旋转;向所述基片表面喷射氨水与水的混合溶液或氨水与水的混合溶液的蒸汽,在所述基片表...
陈波李楠夏洋饶晓雯
文献传递
一种氮化铝薄膜的制备方法
本发明涉及一种用原子层沉积设备制备氮化铝薄膜的方法。所述制备方法,包括如下步骤:将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中;向原子层沉积设备反应腔中通入含铝物质,含碳物质与硅衬底表面发生化学反应,使得含铝物质中的铝原子吸附在硅...
饶志鹏万军夏洋李超波刘键陈波黄成强石莎莉李勇滔
文献传递
掺氮二氧化钛薄膜的制备方法
公开了一种掺氮二氧化钛薄膜的制备方法,通过向反应腔室中先后通入含钛源气体,形成硅钛键;向原子层沉积设备反应腔中通入氮气和氢气,进行等离子体放电,氮气电离后部分氮原子与所述部分钛原子形成共价键,氮原子未成键的电子和电离的氢...
万军赵柯杰黄成强饶志鹏陈波李超波夏洋吕树玲石莎莉
文献传递
集成电路用气动隔膜阀流体特性的数值研究
2023年
基于Fluent流场模拟软件,对自主设计的集成电路用气动隔膜阀的流阻特性与内部流场特性进行了可视化数值研究。在保证计算条件相同的前提下,对不同开度下的全三维流体域进行了稳态模拟仿真。结果表明:此隔膜阀为快开流量特性,流量系数随开度的增加呈对数级增大,流阻系数随开度的增加呈反比例式减小,且在开度为1.8 mm后均变化不明显。阀芯与阀座的间隙为流速和压强的突变处,阀芯在此处易受到流体的冲刷。研究结果为此阀的合理使用开度提供了有效数据,为同类产品的相关研究提供了参考价值,并为后续的结构优化设计指明了方向。
唐金鑫李培源陈波周临震
关键词:流阻特性数值模拟
一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法
本发明涉及氮化碳的制备技术,具体涉及一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法。所述制备方法,包括如下步骤:(1)将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中;(2)向原子层沉积设备反应腔中通入碳源气体,碳源气体作为第一反应前驱体在硅衬...
饶志鹏夏洋万军李超波陈波刘键江莹冰石莎莉李勇滔
文献传递
一种短脉冲激光沉积薄膜的制备方法
本发明公开了一种短脉冲激光沉积薄膜的制备方法,通过对衬底进行预处理,将所述预处理后的所述衬底放入短脉冲激光沉积的腔室内;将所述腔室抽真空,旋转所述衬底,对所述衬底加热至第一温度;采用挡板隔离靶材,打开短脉冲激光器激发预热...
李楠陈波李培源夏洋卢维尔
提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法
公开了一种提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法,包括:将聚四氟乙烯薄膜放置于原子层沉积设备反应腔中;向所述原子层沉积设备反应腔中通入四氯化碳,使得所述四氯化碳中的碳原子吸附在所述聚四氟乙烯薄膜表面;向所述原子层沉积设...
万军赵柯杰黄成强饶志鹏陈波李超波夏洋吕树玲石莎莉
文献传递
一种原子层沉积设备
本发明涉及一种原子层沉积设备,尤其是涉及一种使用集显示和控制于一体的嵌入式控制单元作为控制系统主控部件的原子层沉积设备。所述原子层沉积设备,包括主控部件、电气控制部件、真空部件、加热部件和气路部件,主控部件分别与电气控制...
张艳清夏洋李超波万军吕树玲陈波石莎莉李楠
文献传递
一种基于湿法清洗机的加热控制系统
本发明涉及一种基于湿法清洗机的加热控制系统。所述加热控制系统包括:加热器、液位传感器、液位断路器、第一数字温控器、第二数字温控器、功率控制器和一体机;所述第一数字温控器与所述加热器底部的加热丝相连,所述第二数字温控器与所...
赵丽莉李培源李楠陈波
文献传递
一种碳化硅薄膜的制备方法
本发明涉及碳化硅薄膜制备技术领域,具体涉及一种用原子层沉积设备制备碳化硅薄膜的方法。所述制备方法,包括如下步骤:将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中;向原子层沉积设备反应腔中通入含碳物质,含碳物质与硅衬底表面发生碳化学吸...
饶志鹏万军夏洋李超波刘键陈波黄成强石莎莉李勇滔
文献传递
共7页<1234567>
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