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徐琰

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇半导体
  • 2篇液相外延
  • 2篇石墨
  • 2篇抛光
  • 2篇清除装置
  • 2篇碲镉汞
  • 2篇裂缝
  • 2篇磨料
  • 2篇母液
  • 2篇晶片
  • 2篇化合物半导体
  • 2篇机械抛光
  • 2篇半导体材料
  • 2篇表面抛光

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇徐琰
  • 4篇何力
  • 4篇杨建荣
  • 2篇周梅华
  • 2篇徐庆庆
  • 2篇方维政
  • 2篇陈新强
  • 2篇魏彦锋
  • 2篇刘从峰
  • 2篇孙士文
  • 2篇涂步华

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2004
  • 1篇2002
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液清除装置的石墨舟
本发明公开了一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液清除装置的石墨舟，包括：底板、滑块以及固定底板和滑块的底座，底板上开有一孔道，孔道内置有调节衬底与孔道口高度的石英垫片，石英垫片上放置衬底。滑块上开有放置母液的孔道...
陈新强杨建荣魏彦锋徐琰徐庆庆何力
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一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液清除装置的石墨舟
本发明公开了一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液清除装置的石墨舟,包括:底板、滑块以及固定底板和滑块的底座,底板上开有一孔道,孔道内置有调节衬底与孔道口高度的石英垫片,石英垫片上放置衬底。滑块上开有放置母液的孔道...
陈新强杨建荣魏彦锋徐琰徐庆庆何力
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Ⅱ－Ⅵ族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法
本发明公开了一种II－VI族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法，该方法采用先在原片上划出所需的成型晶片面积，但不划穿透原片，仍然是一块晶片进行抛光。即利用周围区域小晶片作为陪片进行机械抛光，这样，周围区域的小晶片就阻挡了...
方维政徐琰孙士文周梅华刘从峰涂步华杨建荣何力
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Ⅱ－Ⅵ族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法
本发明公开了一种II-VI族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法，该方法采用先在原片上划出所需的成型晶片面积，但不划穿透原片，仍然是一块晶片进行抛光。即利用周围区域小晶片作为陪片进行机械抛光，这样，周围区域的小晶片就阻挡了...
方维政徐琰孙士文周梅华刘从峰涂步华杨建荣何力
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