杨建荣
- 作品数：197 被引量：224H指数：9
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金创新研究群体科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置及方法
- 本发明公开了一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置及方法。通过在生长腔体和坩埚之间增加温度检测点，对坩埚内母液温度的变化趋势进行提前预测，并通过对控温点温度参数的调整，实现外延温度的精确控制。该装置及方法能有效防止生...
- 杨建荣魏彦锋孙瑞贇孙权志
- 文献传递
- 红外探测器用碲锌镉晶体材料的合成技术研究
- 碲锌镉晶体是研制碲镉汞红外焦平面探测器所需的衬底材料，其制备技术由源材料合成、晶体生长、衬底加工和测试评价四个部分组成。本文针对合成工艺中的放热过程和合成料化学计量比的控制方法进行了研究。实验使用可视监控系统观测了碲锌镉...
- 徐超周昌鹤孙士文虞慧娴杨建荣
- 关键词：碲锌镉衬底红外
- 一种用于制备半导体材料的套管式腔体结构
- 本发明公开了一种用于制备半导体材料的套管式腔体结构，套管式腔体采用多层管子相套而成的结构，内管形成的腔体为材料制备提供需要的工艺环境和条件。通过选择套管的层数，控制套管之间的间隙和各层套管的长度，并采用在套管开口处加塞等...
- 杨建荣徐超
- 文献传递
- Everson腐蚀剂在表征碲锌镉材料位错中的应用被引量：1
- 2004年
- 位错密度是晶体材料的重要参数之一,碲锌镉晶体位错研究也一直是红外焦平面研究领域热点之一。由于外延材料对衬底晶向的要求,Everson腐蚀剂在表征位错密度参数方面得到了非常重要的应用,利用Everson腐蚀剂做的位错研究也取得了很多新成果。
- 刘从峰杨建荣
- 关键词：位错密度红外焦平面晶向衬底晶体材料
- 硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法
- 本发明公开了一种硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法，该方法的特征在于：先在Si/CdTe复合衬底外生长一层SiO<Sub>2</Sub>覆盖层，然后采用恒速降温和分步冷却相结合的方式生长HgCdTe外延薄膜。其有益效果在于...
- 徐庆庆魏彦锋陈新强赵守仁杨建荣
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- (111)晶向碲锌镉晶片双面腐蚀的对比分析
- 本文对厚度为20ìm的(111)晶向的碲锌镉晶片进行双面化学腐蚀,并采用红外透射显微镜对A面和B面的腐蚀坑进行观察和对比时发现,在同一晶片(111)A和(111)B面上的腐蚀坑并无对应关系,即大部分腐蚀坑所对应的不是穿越...
- 刘从峰方维政涂步华孙士文杨建荣
- 关键词：腐蚀坑位错密度化合物半导体
- 文献传递
- 一种利用温度梯度合成碲锌镉多晶的合成装置
- 本专利公开了一种利用温度梯度合成碲锌镉多晶的合成装置。本合成装置包括加热氧化铝炉膛，内衬炉膛，控温系统，反应器皿，且可以进行两段独立或联合升降温。所述方法通过改变高温区和低温区的温场分布来实现温度梯度的调控，通过改变晶料...
- 徐超周昌鹤孙士文虞慧娴张大众张诚杨建荣
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- 椭偏测量技术在碲镉汞液相外延材料上的应用
- 本文采用椭圆偏振技术,对液相外延(LPE)生长的碲镉汞薄膜材料的组分及其组分的纵向分布进行了测量和研究.结果发现经P型热处理后的外延材料存在组分较低的表面层;去除表面效应和界面处组分互扩散的影响,薄膜材料的组分纵向分布具...
- 徐庆庆陈新强魏彦峰杜美蓉巫艳杨建荣何力
- 关键词：液相外延碲镉汞
- 文献传递
- 用于Ⅱ－Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法
- 本发明公开了一种用于II-VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂，该腐蚀剂的成份配比为：H<Sub>2</Sub>O∶HCl∶HNO<Sub>3</Sub>∶HF∶K<Sub>2</Sub>Cr<Sub>2</Sub>O<Su...
- 赵守仁陆修来魏彦锋陈新强杨建荣丁瑞军何力
- 文献传递
- 采用(211)碲锌镉衬底制备碲镉汞液相外延薄膜被引量：2
- 2005年
- 文中对(211)晶向的CdZnTe衬底进行液相外延生长HgCdTe.获得的碲镉汞液相外延材料的组分为0.30～0.33,薄膜厚度为10～15μm,表面缺陷密度为500cm-2,材料的FWHM达到24弧秒,位错腐蚀坑密度约为2×105cm-2,该材料的表面形貌与采用(111)晶向衬底的HgCdTe外延材料有较大区别.
- 徐庆庆陈新强魏彦锋曹妩媚赵守仁杨建荣
- 关键词：液相外延
