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孙士文

作品数:70 被引量:61H指数:5
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金创新研究群体科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 24篇专利
  • 23篇期刊文章
  • 18篇会议论文
  • 4篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 32篇电子电信
  • 12篇理学
  • 6篇一般工业技术
  • 5篇电气工程
  • 4篇金属学及工艺
  • 2篇化学工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇航空宇航科学...
  • 1篇文化科学

主题

  • 41篇碲锌镉
  • 14篇红外
  • 13篇腐蚀坑
  • 12篇碲锌镉晶体
  • 12篇晶体
  • 8篇碲镉汞
  • 7篇晶片
  • 5篇单晶
  • 5篇压电
  • 5篇液相外延
  • 5篇坩埚
  • 5篇位错
  • 5篇机械抛光
  • 5篇焦平面
  • 5篇半导体
  • 5篇CDZNTE
  • 5篇沉淀相
  • 5篇衬底
  • 4篇陶瓷
  • 4篇体积

机构

  • 69篇中国科学院
  • 8篇上海大学
  • 3篇中国科学院大...
  • 1篇河北工业大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇专用集成电路...
  • 1篇上海市闸北第...
  • 1篇合肥知常光电...

作者

  • 70篇孙士文
  • 50篇杨建荣
  • 33篇虞慧娴
  • 26篇周昌鹤
  • 25篇徐超
  • 19篇何力
  • 17篇方维政
  • 15篇刘从峰
  • 12篇周梅华
  • 10篇盛锋锋
  • 10篇涂步华
  • 9篇朱丽慧
  • 8篇魏彦锋
  • 7篇王评初
  • 7篇潘晓明
  • 5篇李东林
  • 4篇徐超
  • 3篇徐庆庆
  • 3篇廖清君
  • 3篇张勤耀

传媒

  • 5篇红外与毫米波...
  • 4篇激光与红外
  • 4篇2015年红...
  • 3篇红外技术
  • 3篇上海市有色金...
  • 2篇红外与激光工...
  • 2篇Journa...
  • 2篇红外
  • 2篇首届全国先进...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇科技开发动态
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇现代制造技术...
  • 1篇第三届全国先...
  • 1篇上海先进无机...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2023
  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 5篇2017
  • 7篇2016
  • 20篇2015
  • 4篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2007
  • 2篇2006
  • 6篇2005
  • 8篇2004
  • 1篇2003
70 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
PMNT定向压电陶瓷的制备与电性能研究
(1-x)Pb(Mg<,1/3>Nb<,2/3>)O<,3-x>PbTiO<,3>(PMNT)弛豫铁电固溶体在准同型相界附近具有非常优异的介电和压电性能,因此在压电换能器、高应变驱动器、医用超声成像等高技术领域有着非常诱...
孙士文
关键词:PMNT定向凝固结晶习性压电性介电性
文献传递
红外探测器用碲锌镉晶体材料的合成技术研究
碲锌镉晶体是研制碲镉汞红外焦平面探测器所需的衬底材料,其制备技术由源材料合成、晶体生长、衬底加工和测试评价四个部分组成。本文针对合成工艺中的放热过程和合成料化学计量比的控制方法进行了研究。实验使用可视监控系统观测了碲锌镉...
徐超周昌鹤孙士文虞慧娴杨建荣
关键词:碲锌镉衬底红外
(111)晶向碲锌镉晶片双面腐蚀的对比分析
本文对厚度为20ìm的(111)晶向的碲锌镉晶片进行双面化学腐蚀,并采用红外透射显微镜对A面和B面的腐蚀坑进行观察和对比时发现,在同一晶片(111)A和(111)B面上的腐蚀坑并无对应关系,即大部分腐蚀坑所对应的不是穿越...
刘从峰方维政涂步华孙士文杨建荣
关键词:腐蚀坑位错密度化合物半导体
文献传递
一种利用温度梯度合成碲锌镉多晶的合成装置
本专利公开了一种利用温度梯度合成碲锌镉多晶的合成装置。本合成装置包括加热氧化铝炉膛,内衬炉膛,控温系统,反应器皿,且可以进行两段独立或联合升降温。所述方法通过改变高温区和低温区的温场分布来实现温度梯度的调控,通过改变晶料...
徐超周昌鹤孙士文虞慧娴张大众张诚杨建荣
文献传递
两步法消除碲锌镉材料中富碲沉淀相缺陷的热处理方法
本发明公开了一种两步法消除碲锌镉材料中富碲沉淀相缺陷的热处理方法,该方法先将碲锌镉材料放置在富碲状态下进行热处理,使富碲沉淀相缺陷中过量的碲原子从样品中排出,然后再用富镉热处理对样品进行处理,使Cd原子进入液态的富碲沉淀...
杨建荣徐超盛锋锋孙士文
文献传递
碲镉汞富碲垂直液相外延技术被引量:3
2009年
研究了碲镉汞富碲垂直液相外延技术.在研究该关键技术的过程中,提出了一种方法以检查外延前(Hg1-xCdx)1-yTey母液的均匀性.并且,通过减小生长腔体中的自由空间,对气体的对流和汞回流进行了抑制,及通过改进工艺过程中的温度控制方式来应对因对流和汞回流而造成的生长温度不确定性.在解决上述关键技术后,实现了碲镉汞垂直液相外延工艺的稳定性,所外延的中波碲镉汞材料的组分可重复性做到了±0.005,厚度控制能力达到了±5μm,40×30mm2外延材料的横向组分均匀性(相对均方差)小于1.3×10-3,同生长批次材料片与片之间的组分和厚度差异分别小于0.001和1μm.在10mm线度上,表面起伏小于1μm.经热处理后,中波汞空位p型材料在77K下具有较高的空穴迁移率.另外,和水平推舟技术相比,垂直碲镉汞液相外延在提供大批量和大面积相同性能材料方面具有明显的优势,这对于二代碲镉汞红外焦平面批生产技术和拼接型超大规模红外焦平面技术的发展都具有重要的意义.
杨建荣张传杰方维政魏彦锋刘从峰孙士文陈晓静徐庆庆顾仁杰陈新强
关键词:半导体技术液相外延
一种用于动态观察碲锌镉材料化学腐蚀坑的装置与方法
本发明公开了一种用于动态观察碲锌镉材料化学腐蚀坑的装置与方法,装置由样品腐蚀单元、自动进液单元、废液回收单元和观察测控单元组成。将样品固定在可进行光学观察的腐蚀槽中,通过自动进液单元实现一种或多种腐蚀液和清洗液的自动注入...
虞慧娴杨建荣孙士文
文献传递
一种缩颈型晶体坩埚
本专利公开了一种基于缩颈型晶体坩埚,它适用于晶体密度大于熔体密度的材料的大直径高质量单晶体生长。该坩埚利用碲锌镉(CdZnTe)熔体凝固时体积缩小的物理性质,设计了一种中部有缩颈的坩埚,并使晶体在坩埚内自上向下生长,当熔...
孙士文何力杨建荣周昌鹤虞慧娴徐超盛锋锋
文献传递
一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法
本发明公开了一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法,本发明先使用体积分数为1%-5%的溴甲醇溶液,对晶片(111)B面进行10-30分钟的化学梯度减薄,获表面为斜面的样品。再使用Everson腐蚀液揭示晶体的缺陷,在100倍...
虞慧娴孙士文杨建荣周昌鹤徐超周梅华王云
一种快速揭示碲锌镉晶体各类缺陷的方法
本发明公开了一种快速揭示碲锌镉晶体各类缺陷的方法,该方法先使用体积分数为3%-5%的溴甲醇溶液,对单晶材料(111)B面进行30-60分钟的化学减薄,去除材料加工损伤层,获得表面光亮平整的样品。再使用Everson腐蚀液...
虞慧娴沈灏王云陆丞周梅华孙士文杨建荣周昌鹤徐超
文献传递
共7页<1234567>
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