何力
- 作品数：359 被引量：426H指数：11
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 一种集成有源布拉格反射器的单模太赫兹量子级联激光器
- 本发明公开了一种集成有源布拉格反射器的单模太赫兹量子级联激光器。本发明中，由解理形成的腔面和一阶光子晶体形成的布拉格反射器构成了一个谐振腔，靠近解理腔面一侧有若干个空气狭缝构成的耦合光栅。当解理腔面与布拉格反射器构成的谐...
- 徐刚毅何力俞辰韧朱欢常高垒朱海卿王凯白弘宙王芳芳陈建新林春
- 文献传递
- 碲镉汞材料光学激活深能级上载流子弛豫时间的检测方法
- 本发明公开了一种用脉冲激光泵浦-探测实验检测碲镉汞薄膜材料光学激活深能级上载流子弛豫时间的方法。在对碲镉汞薄膜材料的脉冲激光泵浦-探测实验中，由泵浦光脉冲激发的光生载流子首先被深能级俘获，之后通过复合逐渐恢复到平衡态。在...
- 陆卫马法君李志锋陈效双李宁陈路何力陈平平李天信
- 碲锌镉表面腐蚀坑所对应缺陷的特性研究
- 2005年
- 文中通过使用Nakagawa、Everson、EAg1和EAg2四种常用腐蚀剂对碲锌镉材料的腐蚀坑空间分布特性进行研究,结果显示,20μm厚的(111)晶片A、B面上的腐蚀坑在空间位置上不存在对应关系,这表明腐蚀坑所对应的缺陷不是具有穿越特性的位错。腐蚀坑的空间局限性特征和热处理后腐蚀坑密度(EPD)减少等实验结果表明,腐蚀坑更有可能对应某种微沉淀物缺陷,将目前常用腐蚀剂的EPD作为碲锌镉材料的位错密度是缺乏实验依据的。
- 刘从峰方维政涂步华孙士文杨建荣何力
- 关键词：碲锌镉位错
- 一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片
- 本实用新型公开了一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片，其结构自下而上依次为：Si衬底，与Si衬底牢固结合的CdTe缓冲层，在CdTe缓冲层上的微台面异质结光电二极管。本实用新型的优点是：相比于传统结构的硅基碲镉汞长波光电二极...
- 叶振华张鹏陈奕宇林春胡晓宁丁瑞军何力
- 文献传递
- 固液界面附近CdZnTe晶体组份分布及X-Ray测试
- 2005年
- 利用对垂直布里奇曼Bridgman法生长中的Cd1-xZnxTe晶体停电自然降温的方法获得了具有不同凝固速率的同一块单晶样品。通过红外透射光谱测量方法对停电自然降温前后的单晶区域进行比较,结果显示:停电自然降温后,在固液界面附近存在一个明显的组份过度区,正常凝固的晶体组份分布比较均匀,而快速凝固的结晶区域轴向组份分布梯度较大,同时,通过X-Ray测试结果进一步准确判断固液界面的位置。
- 涂步华方维政刘从峰孙士文杨建荣何力
- 关键词：X-RAY
- 热处理过程中Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe界面互扩散研究被引量：5
- 1999年
- 对ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ结构热处理后的样品进行深度剥层腐蚀，并用椭偏光谱测量方法，获得了样品在４９０℃经０．５ｈ和２ｈ热处理后不同深度下的组份分布．根据实验结果对Ｚａｎｉｏ等人提出的扩散系数公式进行了修正，得到４９０℃热处理条件下的组份扩散系数ＤＨｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（４９０℃）＝４×１０－３×１０－３·ｘ．
- 巫艳杨建荣方维政王善力于梅芳乔怡敏陈新强何力
- 关键词：异质结互扩散汞镉碲
- Si基CdTe复合衬底分子束外延研究被引量：1
- 2005年
- 文章引入晶格过渡的Si/ZnTe/CdTe作为复合外延基底材料,以阻挡Si/HgCdTe之间大晶格失配产生的高密度位错.通过对低温表面清洁化、面极性控制和孪晶抑制等的研究,解决了Si基CdTe分子束外延生长中诸多的技术难题.在国内首次采用分子束外延(MBE)的方法获得了大面积的Si基CdTe复合衬底材料,对应厚度为4～4.4μm Si/CdTe(211)样品双晶半峰宽的统计平均结果为83弧秒,与相同厚度的GaAs/CdTe(211)双晶平均水平相当.
- 陈路王元樟巫艳吴俊于梅芳乔怡敏何力
- 关键词：硅基碲镉汞复合衬底分子束外延
- 在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的晶格应变被引量：2
- 2005年
- 文章利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe外延层的剪切应变和正应变状况进行了分析。研究发现,对于CdTe/Si结构,随着CdTe厚度的增加,[1-1-1]、[01-1]两个方向的剪切角γ[1-1-1]和[γ01-1]都有变小的趋势,且γ[1-1-1]的大小约为[γ01-1]的两倍;对于CdTe/ZnTe/Si,ZnTe缓冲层的引入可以有效地降低CdTe层的剪切应变。CdTe层的正应变表现为张应变,主要来源于CdTe和Si的热膨胀系数存在差异,而在从生长温度280℃降至室温20℃的过程产生的热应变。
- 王元樟陈路巫艳吴俊于梅芳方维政何力
- 关键词：正应变分子束外延
- 一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法
- 本发明公开了一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法，它涉及光电探测器材料检测技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)的方法，来显现红外CZT衬底缺陷的技术方案，巧妙地运用...
- 叶振华尹文婷王建新方维政杨建荣陈昱林春胡晓宁丁瑞军何力
- 文献传递
- HgCdTe液相外延薄膜红外透射谱分析
- Hg<,1-x>Cd<,x>Te薄膜是研制红外探测器的重要材料.液相外延方法生长的Hg<,1-x>Cd<,x>Te材料通常存在纵向的组分不均匀性.本文用红外透射谱和均匀腐蚀的方法,测量了同一液相外延薄膜在不同层厚时的红外...
- 魏彦锋王庆学杨建荣何力
- 关键词：碲镉汞液相外延红外光谱
- 文献传递
