公共文化服务平台

陈路: 作品数：82 被引量：123H指数：7; 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程中国科学院国防科技创新基金更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术航空宇航科学技术更多>>

合作作者

用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法: 本发明公开了一种用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法，衬底包括：基片，在基片上依次置有缓冲层、数字合金层、过渡层。制备方法采用常规的分子束外延或原子外延方法及后处理技术。通过不同的生长工艺条件和特定的结构解决了...; 何力陈路巫艳于梅芳王元樟吴俊乔怡敏; 文献传递

分子束外延HgCdTe nBn结构红外探测器的理论计算和优化被引量：1: 2016年; 通过2维数值模拟对HgCdTe nBn红外探测器的光电性质进行了研究.理论计算了nBn结构中各层的参数的变化(包含厚度的变化、掺杂浓度的变化以及组分)对器件性能的影响规律.通过优化上述器件结构参数,理论上获得了最优化结构的HgCdTe nBn器件,为获得高性能MBE外延HgCdTe nBn红外探测器提供重要参考.; 沈川陈路傅祥良王伟强卜顺栋何力; 关键词：分子束外延 HGCDTE 数值模拟

推扫成像型碲镉汞红外焦平面组件关键技术及其航天应用: 何力丁瑞军张勤耀杨建荣林春胡晓宁王小坤陈路廖清君魏彦锋孙士文陈洪雷傅雨田林长青刘银年; 该项目属于信息科学领域。红外焦平面是航天红外遥感探测技术的核心，其关键是必须具有高的探测性能，还必须具有长工作寿命和高可靠性，涉及碲镉汞红外材料、探测器芯片、超大规模集成电路设计、拼接和封装等多项难点，国际上仅美、法等少...; 关键词：

碲镉汞红外焦平面器件技术进展被引量：13: 2020年; 近十年碲镉汞第二代红外焦平面探测器应用呈现爆发式增长,也是第三代焦平面技术快速发展的十年。文中对近十年来碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展进行了简单的回顾,并结合碲镉汞红外焦平面探测器的应用,对在碲镉汞红外焦平面探测器技术方面的研究工作和工程应用进行了总结,最后,对未来碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展进行了展望。; 丁瑞军杨建荣何力胡晓宁陈路林春廖清君叶振华陈洪雷魏彦锋; 关键词：红外焦平面碲镉汞分子束外延液相外延读出电路

分子束外延生长的HgCdTe NBN结构的理论计算和优化研究: 众所周知,由于HgCdTe材料具有高吸收系数、高量子效率、波段可调等优点,已成为制作红外光电探测器以及新一代红外焦平面器件发展的优选材料.然而,常规结构的HgCdTe材料都面临着P型掺杂的问题.不管是Hg空位掺杂还是As...; 沈川陈路傅祥良王伟强何力

分子束外延生长HgCdTe/CdZnTe: 本文描述了实验室分子束外延生长HgCdTe/CdZnTe的最新研究结果.借助RHEED原位监测工具,对比分析了不同装片工艺条件下(装片工艺过程是否在保护气体氛围中进行)CdZnTe衬底脱氧及后续外延生长CdTe的情况,发...; 王伟强傅祥良沈川王莹张彬王高杨凤陈路何力; 关键词：微电子学分子束外延; 文献传递

中波PIN结构碲镉汞雪崩器件变温特性的数值模拟研究被引量：2: 2021年; 本文对中波HgCdTeAPD进行二维数值模拟,通过与实验结果的对比获得80K下PIN结构的APD器件参数。对不同工作温度下的APD器件暗电流机制进行了研究,发现在高工作温度下,影响暗电流的主要是SRH(小偏压)和雪崩机制(大偏压)。对在高工作温度情况下各层参数的变化引起器件性能的变化进行了研究,对不同层厚度、掺杂浓度对器件性能的影响进行了相应理论计算,并对计算结果进行相应的对比研究,获得了理论上最优化的HgCdTeAPD高温器件结构,为后续高工作温度的APD器件的研发提供重要参考。; 沈川杨辽郭慧君杨丹陈路何力; 关键词：HGCDTE

128×128短波/中波双色红外焦平面探测器被引量：10: 2010年; 首次在国内报道了128×128面阵短波/中波(SW/MW)双色碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面探测器(infraredfocal plane arrays,IRFPAs)的研究成果.基于由采用分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p-p-P-N型碲镉汞(Hg1-xCdxTe)多层异质结材料,通过B+注入、台面腐蚀、台面侧向钝化和爬坡金属化,以及双色探测芯片与读出电路(Readout Integrated Circuit,ROIC)混成互连等工艺,得到了128×128面阵双色焦平面探测器.通过湿化学腐蚀方法的优化,将光敏元尺寸为(50×50)μm2的双色微台面探测器的占空比提高了一倍.该面阵双色红外焦平面探测器具有较好的均匀性和正常的光电特性.在液氮温度下,二个波段的光电二极管截止波长λc分别为2.7μm和4.9μm,对应的峰值探测率Dλ*p分别为1.42×1011cmHz1/2/W和2.15×1011cmHz1/2/W.; 叶振华尹文婷黄建胡伟达陈路廖亲君陈洪雷林春胡晓宁丁瑞军何力; 关键词：HGCDTE

Hg在As激活退火中的作用被引量：2: 2006年; 对原位 As_4掺杂 MBE HgCdTe 材料退火前后的电学性质进行了研究。原生样品以及 N 型退火样品的测试结果显示,随着 As 掺杂进入 HgCdTe 的同时,样品中产生了额外的 Hg 空位,并且在样品中引进了一种 N 型深能级结构。不同 Hg 分压下的激活退火结果显示,高温汞压下退火可以获得 P 型 MBE HgCdTe 材料。但是,真空退火结果显示 As 很难被激活。说明在激活退火过程中 As 在各个格点之间转移时,外界的 Hg 起重要作用。; 吴俊魏青竹巫艳陈路于梅芳乔怡敏何力; 关键词：退火碲镉汞分子束外延

HgCdTe分子束外延In掺杂研究被引量：4: 2001年; 报道了用 MBE方法生长掺 In的 n型 Hg Cd Te材料的研究结果 .发现 In作为 n型施主在 Hg Cd Te中电学激活率接近 10 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6 m e V.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在～ 3× 10 1 5 cm- 3水平 .比较了高温退火前后 In在 Hg Cd Te中的扩散行为 ,得出在 40 0℃温度下 In的扩散系数约为10 - 1 4 cm2 / s,并确认了 In原子作为 Hg Cd Te材料的 n型掺杂剂的可用性和有效性 .; 巫艳王善力陈路于梅芳乔怡敏何力; 关键词：分子束外延 HGCDTE 掺杂铟