孙博韬
- 作品数：9 被引量：16H指数：3
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市教委科技发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- Cascode射频有源电感的设计被引量：3
- 2011年
- 基于Cascode结构,提出了采用双共基异质结双极型晶体管级联反馈射频有源电感的设计方法,并与电阻反馈、单共基晶体管反馈构成的两种有源电感进行了比较。分别从理论上推导出了这三种不同反馈支路的有源电感的输入阻抗与等效电感,同时分析了影响其性能的因素。最终采用Jazz0.35μm SiGe BiCMOS工艺,利用安捷伦射频仿真软件ADS,对电路进行了验证。结果表明,采用双共基晶体管级联反馈构成的有源电感,兼具有电感值大,品质因数高等优点。
- 尤云霞张万荣金冬月谢红云沈珮丁春宝孙博韬
- 关键词：有源电感品质因数
- 新型3.1～6GHz高增益超宽带低噪声放大器被引量：1
- 2010年
- 在传统的窄带达林顿结构放大器基础上,提出一种新型高增益超宽带达林顿结构低噪声放大器.该放大器采用高频低噪声晶体管,采用电感补偿技术和正实电阻补偿技术,保持了达林顿放大器高增益的优点,而且也取得了低噪声、良好输入输出匹配和宽带稳定性.通过优化设计,新型放大器在3.1～6 GHz内,增益S21高达21 dB,变化不超过0.3 dB,噪声系数F为1.5～2.1 dB,输入输出反射系数S11和S22都小于-14 dB,在宽带内保持稳定.
- 沈珮张万荣金冬月谢红云尤云霞孙博韬肖盈
- 关键词：低噪声放大器超宽带电流增益
- 基于SiGe工艺和噪声抵消技术的宽带低噪声放大器研究
- 近年来,无线通信在移动通信、全球互联接入及物联网等领域应用越来越广泛。现代通信系统往往要提供两个甚至更多的无线服务,这就要求射频前端的关键部件之一的低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)能在多个频...
- 孙博韬
- 关键词：低噪声放大器噪声抵消带宽扩展噪声匹配
- 基于有限元法对发射极指分段结构的多指SiGe HBT的研究
- 2010年
- 针对传统多指SiGeHBT发射极指中心区域和器件中心区域温度较高导致热不稳定问题,提出了新型发射极指分段结构来抑制功率SiGeHBT中心区域的自热效应,提高器件温度分布均匀性。利用有限元软件ANSYS对器件进行建模和三维热模拟,研究器件温度分布的改善情况。结果表明,与传统不分段结构的器件相比,新型分段结构的多指SiGeHBT的指上的温度分布更加均匀、不同指上的温差和集电结结温明显降低,自热效应得到有效抑制,器件的热稳定性得到增强。
- 王任卿张万荣金冬月陈亮丁春宝肖盈孙博韬赵昕
- 关键词：SIGEHBT热模拟自热效应
- 宽带噪声抵消结构的噪声分析及优化
- 2011年
- 噪声抵消结构是一种应用于宽带低噪声放大器的有源匹配电路。噪声抵消的目的是将输入匹配器件引入的噪声在输出端消除。本文针对噪声抵消结构在高频的应用,依据噪声抵消的原理,提出了一种全频带噪声抵消条件。并给出了该条件下,噪声抵消结构的噪声系数随频率变化的解析表达式。通过与仿真结果对比,验证了该解析表达式的准确性。在此基础上,分析了匹配器件的高频噪声不能完全抵消时该结构的噪声系数。最后,提出了一种噪声抵消结构的优化设计方法。
- 孙博韬张万荣金冬月谢红云丁春宝尤云霞王任卿
- 关键词：噪声系数优化设计
- 3～6GHz SiGe HBT Cascode低噪声放大器的设计被引量：5
- 2012年
- 基于Jazz 0.35μm SiGe工艺设计一款满足UWB和IEEE802.11a标准的低噪声放大器.采用并联电感峰化技术与Cascode结构来展宽带宽;完成了芯片版图的设计,芯片面积为1.16 mm×0.78 mm;在带宽为3～6 GHz范围内,最大增益为26.9 dB,增益平坦度为±0.9 dB.放大器的输入输出匹配良好,其回波损耗S11和S22均小于-10dB,输入与输出驻波比小于1.5,1 dB压缩点为-22.9 dBm.在整个频段内,放大器无条件稳定.
- 丁春宝张万荣谢红云沈珮陈亮尤云霞孙博韬王任卿
- 关键词：低噪声放大器SIGE异质结双极晶体管
- 基于SiGe HBT的射频有源电感的设计被引量：3
- 2010年
- 基于回转器原理,提出利用两个SiGe异质结晶体管,通过采用不同组态构成四种射频有源电感,其中包括两种正电感和两种负电感,并对它们的性能进行了比较。结果表明,共射组态与共集组态构成的有源电感的性能最优异,并就此做了详细讨论。在带宽为1～15.8GHz的范围内,其电感值可以达到1nH以上,电感的品质因数最大值达到75.4。通过调节晶体管的偏置电压,有源电感的电感峰值在1.268nH-1.914nH范围内变化。电感值的可调谐性对增强电路设计的可复用性及灵活性具有现实意义。
- 尤云霞张万荣金冬月谢红云沈珮陈亮丁春宝孙博韬
- 关键词：有源电感回转器品质因数
- 采用噪声抵消技术的宽带SiGe HBT低噪声放大器设计被引量：1
- 2010年
- 宽带低噪声放大器的输入匹配需要兼顾阻抗匹配和噪声匹配。通常,这两个指标是耦合在一起的。现有的宽带匹配技术需要反复协调电路参数,在阻抗匹配和噪声匹配之间折衷,给设计增大了难度。提出一种噪声抵消技术,通过两条并联的等增益支路,在输出端消除了输入匹配网络引入的噪声,实现阻抗匹配和噪声匹配的去耦。基于Jazz0.35μmSiGe工艺,设计了一款采用该噪声抵消技术的宽带低噪声放大器。放大器的工作带宽为0.8-2.4GHz,增益在16dB以上,噪声系数小于3.25dB,S在-17dB以下。
- 孙博韬张万荣谢红云陈亮沈珮黄毅文尤云霞王任卿
- 关键词：低噪声放大器阻抗匹配噪声匹配SIGE工艺
- 双频段低噪声放大器的设计被引量：3
- 2010年
- 适应多标准移动通信终端的迅速发展,设计了能够在800 MHz和1.8 GHz两个不同频段独立工作的低噪声放大器。放大器使用噪声性能优良的SiGe HBT管子,采用Cascode结构减小Miller电容的影响,发射极串联电感消除放大器输入端噪声系数和功率匹配的耦合,输入匹配电路采用单通道串并联LC电路,计算串并联电感和电容值,可以在两个工作频点发生谐振。输出端通过调整负载阻抗到50Ω,采用简单的电路实现功率输出。ADS的仿真结果表明,本文设计的低噪声放大器在800 MHz和1.8 GHz两个工作频段的S21分别达到了24.3 dB和21.3 dB,S11均达到了-13 dB,S22均在-27 dB以下,两个频段的噪声系数分别为3.3 dB和2.0 dB。
- 谢红云王文军张万荣沈珮丁春宝尤云霞孙博韬
- 关键词：双频段低噪声放大器
