丁春宝
- 作品数：38 被引量：49H指数：4
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- 射频功率晶体管内匹配技术中键合线的建模仿真与参数提取被引量：5
- 2011年
- 金属键合线互连是射频大功率晶体管内匹配技术中的关键手段。键合线的直径、长度、拱高和并列键合线间距等物理参量,均对器件性能有很大影响。采用三维电磁仿真软件EMDS和射频电路设计软件ADS对金属键合线互连进行了建模仿真和射频等效参数提取,分析了等效参数与键合线各物理参量之间的关系,针对具体的关系特点及内匹配技术中键合线的选取,给出了相应的优化设计措施。
- 周永强王立新张万荣夏洋谢红云丁春宝
- 关键词：射频功率晶体管内匹配键合线
- 用于改善多指SiGe HBT热特性的变指间距设计方法研究
- 2011年
- 通过引入表示发射指之间热耦合程度的耦合热阻,建立了多指异质结双极晶体管(HBT)热阻模型。基于该模型,得到了耦合热阻与指间距的变化关系,并用于器件指间距的设计。当耦合热阻均匀分布时,所对应的一套非等值的指间距值便是器件温度均匀分布所要求的指间距值。用该方法得到热阻分布与热模拟得到的温度分布相吻合。但这种方法不必通过热模拟来得到温度分布均匀的SiGe HBT各指问距值,具有快速、直观的优点,为变指间距的设计提供了方便。
- 肖盈张万荣金冬月陈亮王任卿丁春宝
- 关键词：SIGEHBT热阻
- 基于噪声抵消的有源匹配SiGe HBT低噪声放大器设计被引量：1
- 2012年
- 基于Jazz 0.35μm SiGe工艺,设计了一种满足2G、3G和WIMAX标准的有源匹配SiGe HBT低噪声放大器.利用共基极晶体管输入阻抗小和共集电极晶体管输出阻抗较小的特点,通过选取晶体管的结构和偏置电流,实现了输入、输出有源阻抗匹配.由于未采用占芯片面积大的电感,减少了芯片面积,芯片面积(含焊盘)仅为0.33mm×0.31 mm;由于共基极晶体管的噪声系数比共射极晶体管的噪声系数高,采用噪声抵消结构减少了其引入噪声.低噪声放大器在(0.6～3)GHz工作频带内,增益为17.8～19.2 dB,增益平坦度为±0.7 dB;有源输入、输出匹配良好;在整个频段内,无条件稳定.
- 丁春宝张万荣金冬月谢红云赵彦晓
- 关键词：低噪声放大器SIGE异质结双极晶体管噪声抵消
- Cascode射频有源电感的设计被引量：3
- 2011年
- 基于Cascode结构,提出了采用双共基异质结双极型晶体管级联反馈射频有源电感的设计方法,并与电阻反馈、单共基晶体管反馈构成的两种有源电感进行了比较。分别从理论上推导出了这三种不同反馈支路的有源电感的输入阻抗与等效电感,同时分析了影响其性能的因素。最终采用Jazz0.35μm SiGe BiCMOS工艺,利用安捷伦射频仿真软件ADS,对电路进行了验证。结果表明,采用双共基晶体管级联反馈构成的有源电感,兼具有电感值大,品质因数高等优点。
- 尤云霞张万荣金冬月谢红云沈珮丁春宝孙博韬
- 关键词：有源电感品质因数
- 双频带低噪声放大器设计被引量：2
- 2011年
- 基于Jazz 0.35μm S iGe工艺,设计了一款能够在1.8 GHz和2.4 GHz不同频段带独立工作的低噪声放大器。放大器使用噪声性能优良的S iGe HBT,采用Cascode结构减少米勒效应的影响。输入电路采用由两次连续的频率变换和电路转换得到的双频滤波电路,输出端用射随器实现50Ω阻抗匹配。结果表明,该低噪声放大器在1.8 GHz和2.4 GHz两个工作频点,S21分别达到30.3 dB和28.3 dB,S22分别为-19 dB和-20 dB,噪声分别为3.42 dB和3.45 dB。
- 刘波宇张万荣谢红云金冬月丁春宝
- 关键词：双频带低噪声放大器
- 3.1～10.6 GHz低功耗超宽带低噪声放大器被引量：1
- 2014年
- 采用TSMC 0.18μm CMOS工艺库,设计并验证了一种应用于3.1～10.6GHz频段的超宽带低噪声放大器。该放大器分为两级：采用跨导增强技术的共栅结构作为输入级,实现了输入阻抗匹配,提高了增益并降低了噪声;第二级是放大输出级,由两个共源放大管和源跟随器缓冲管构成,并采用两级电流复用配置将它们连接在一起,不但对信号进行了二次放大,降低了功耗,而且实现了输出匹配。仿真结果表明,在3.1～10.6GHz频带范围内,放大器增益为14.8dB,增益平坦度为±0.6dB,噪声系数介于2.9～4.5dB,输入和输出的回波损耗均优于-11dB,1dB压缩点为-20.8dBm,在1.8V电压下,静态功耗仅为8.99mW。
- 赵飞义张万荣丁春宝陈昌麟胡瑞心卓汇涵江之韵白杨陈亮
- 关键词：低噪声放大器低功耗电流复用
- 有源电感复用型2.4GHz/5.2GHz双频段LNA被引量：2
- 2014年
- 采用可调谐有源电感复用结构，设计了一款用于3GTI）-SCDMA和WLAN的2．4GHz／5．2GHz双频段低噪声放大器（DBLNA）。2．4GHz频段电路采用折叠共源共栅（FC）结构，5．2GHz频段电路采用共栅（CG）结构。FC和CG结构均采用可调谐有源电感，通过调谐有源电感的等效阻抗，优化匹配到源阻抗。基于TSMC0．18μmCMOS工艺，实现了有源电感复用型DB-LNA。ADS仿真结果表明，频率为2．4GHz时，S21—35dB，NF一4．42～4．59dB，IIP3—0dBm，P-1dB-14dBm频率为5．2GHz时，S21=34dB，NF=2．74～2．75dB，IIP3=-5dBm，P-1dB=-9dBm。
- 周孟龙张万荣谢红云金冬月丁春宝高栋张卿远鲁东霍文娟
- 关键词：低噪声放大器双频段TD-SCDMA
- 超宽带SiGe HBT低噪声放大器的设计研究
- 随着无线通信技术的发展，低噪声放大器向小型化、集成化、低功耗和高线性方向发展已经成为必然趋势。与Si工艺兼容的硅锗异质结双极晶体管(Silicon Germanium Hetrojunction Bipolar Tran...
- 丁春宝
- 关键词：超宽带低噪声放大器增益特性线性度
- 高Q值超宽带可调谐有源电感
- 本发明提供一种高Q值超宽带可调谐有源电感，涉及射频集成电路技术领域，以解决现有有源电感的电感值、Q值均不高，实部损耗比较大的问题。该发明包括电源、输入端与CMOS源随结构，其中，还包括传输线结构、有源反馈偏置、负阻补偿网...
- 张万荣周孟龙谢红云金冬月丁春宝赵彦晓陈亮付强高栋鲁东张卿远邵翔鹏霍文娟
- 文献传递
- 小面积、线性度可调谐的高线性低噪声放大器
- 本发明提供一种小面积、线性度可调谐的高线性Cascode低噪声放大器，涉及射频集成电路领域，以解决现有低噪声放大器线性度不具有可调谐性，芯片面积过大的问题。该发明包括由共射级晶体管的集电极连接共基极晶体管的发射极构成的C...
- 张万荣丁春宝谢红云金冬月陈亮付强赵彦晓高栋鲁东周孟龙张卿远邵翔鹏霍文娟
- 文献传递
