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金冬月

作品数:174 被引量:94H指数:5
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金北京市教委科技发展计划更多>>
相关领域:电子电信文化科学自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 89篇专利
  • 71篇期刊文章
  • 11篇会议论文
  • 3篇学位论文

领域

  • 103篇电子电信
  • 8篇文化科学
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 66篇晶体管
  • 55篇异质结
  • 49篇有源
  • 49篇有源电感
  • 46篇异质结双极晶...
  • 46篇双极晶体管
  • 40篇放大器
  • 39篇电感
  • 32篇SIGE_H...
  • 29篇低噪
  • 29篇低噪声
  • 29篇低噪声放大器
  • 24篇跨导
  • 22篇SIGE异质...
  • 22篇HBT
  • 20篇增益
  • 20篇高Q值
  • 20篇SIGE异质...
  • 18篇热稳定
  • 17篇热稳定性

机构

  • 173篇北京工业大学
  • 5篇辽宁大学
  • 4篇中国电子科技...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇泰山学院
  • 1篇西南技术物理...

作者

  • 174篇金冬月
  • 120篇谢红云
  • 25篇陈亮
  • 25篇赵彦晓
  • 23篇丁春宝
  • 21篇付强
  • 17篇沈珮
  • 16篇王扬
  • 15篇鲁东
  • 15篇黄鑫
  • 14篇肖盈
  • 13篇陈吉添
  • 12篇张昭
  • 11篇高栋
  • 11篇王任卿
  • 11篇郭燕玲
  • 10篇霍文娟
  • 10篇张蔚
  • 10篇邱建军
  • 10篇王忠俊

传媒

  • 23篇微电子学
  • 13篇电子器件
  • 10篇北京工业大学...
  • 7篇半导体技术
  • 6篇物理学报
  • 3篇Journa...
  • 3篇功能材料与器...
  • 2篇电子世界
  • 2篇高技术通讯
  • 2篇中国电子学会...
  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇电脑知识与技...
  • 1篇2007'信...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇中国电工技术...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 6篇2024
  • 5篇2023
  • 16篇2022
  • 11篇2021
  • 10篇2020
  • 7篇2019
  • 5篇2018
  • 17篇2017
  • 9篇2016
  • 12篇2015
  • 8篇2014
  • 7篇2013
  • 8篇2012
  • 13篇2011
  • 8篇2010
  • 5篇2009
  • 4篇2008
  • 9篇2007
  • 11篇2006
  • 3篇2005
174 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高频下大电感值高Q值且在同一频率下Q峰值可独立调节的有源电感
高频下大电感值高Q值且在同一频率下Q峰值可独立调节的有源电感涉及射频集成电路领域,包括:第一跨导单元(1),带有电阻和电阻‑电容双重反馈的第二跨导单元(2),带有一个偏压可调节端的电阻损耗抵消单元(3),以及带有二个偏压...
张万荣李祎康谢红云金冬月那伟聪
文献传递
一种宽频带、大电感值、高Q值且Q值可独立调节的有源电感
本发明提供了一种宽频带、大电感值、高Q值且Q值可独立调节的有源电感。该有源电感包括:第一跨导单元,第二跨导单元,频带拓展单元,可调分流单元,反馈单元。第一跨导单元与第二跨导单元首尾连接实现电感基本功能,反馈单元与第一跨导...
张万荣杨鑫谢红云金冬月徐曙张崟张昭
文献传递
射频功率HBT热稳定性分析及镇流电阻优化被引量:1
2008年
为了有效改善射频功率HBT的热不稳定性、消除自加热效应对功率器件电学特性的影响,从热电反馈网络出发,阐述了晶体管热稳定因子S的物理意义.在考虑发射极电流正温度系数、器件能带连续性(△E_v)、重掺杂效应(△E_g)、基极和发射极加入镇流电阻(R_B和R_E)等因素的情况下。给出了功率HBT自热完全补偿(S= 0)所需最小镇流电阻(R_c)表达式.结果表明,在△E_v+△E_g>2κT时,HBT工作温度丁越大,R_c反而越小.由于R_c的减小,功率HBT将能提供更大的输出功率、功率增益和功率附加效率.
金冬月张万荣谢红云沈珮王扬
关键词:异质结双极晶体管热稳定镇流电阻
一种射频压控有源电感
一种射频压控有源电感涉及集成电路领域,包括:第一跨导单元(1),第二跨导单元(2),第三跨导单元(3),第四跨导单元(4),有源反馈电阻单元(5),第一偏置单元(6),第二偏置单元(7)。第一跨导单元(1)与第二跨导单元...
张万荣张昭谢红云金冬月张思佳万禾湛王飞虎
射频功率异质结双极晶体管自加热效应及补偿方法
本文从器件Ⅰ~Ⅴ特性的角度表征了射频功率异质结双极晶体管(HBT)的自加热效应.研究了器件热阻、工作电压、电流增益、发射结价带不连续性(△EV)等诸多因素对器件I-V特性的影响.进而研究了为补偿自加热效应所加镇流电阻对热...
金冬月杨经伟张万荣吴春瑜朱连仓
关键词:异质结双极晶体管I-V特性镇流电阻
文献传递
新型3.1~6GHz高增益超宽带低噪声放大器被引量:1
2010年
在传统的窄带达林顿结构放大器基础上,提出一种新型高增益超宽带达林顿结构低噪声放大器.该放大器采用高频低噪声晶体管,采用电感补偿技术和正实电阻补偿技术,保持了达林顿放大器高增益的优点,而且也取得了低噪声、良好输入输出匹配和宽带稳定性.通过优化设计,新型放大器在3.1~6 GHz内,增益S21高达21 dB,变化不超过0.3 dB,噪声系数F为1.5~2.1 dB,输入输出反射系数S11和S22都小于-14 dB,在宽带内保持稳定.
沈珮张万荣金冬月谢红云尤云霞孙博韬肖盈
关键词:低噪声放大器超宽带电流增益
集成电路设计大赛与实践能力培养
2015年
对于高校微电子集成电路的教师和学生来说,集成电路设计大赛提供了理论与实践结合的最好机会。通过教师指导和学生参与,学生完成电路设计、版图设计和性能验证,经历单片集成电路设计的完整流程。学生能够将掌握的理论知识和芯片版图设计及验证结合在一起,拓展了他们的能力和知识面;培养了注重细节,严谨认真的科研态度,切忌好高骛远;锻炼了团队合作的能力;增加了在学习和工作中的自信心。
谢红云张万荣侯立刚金冬月
关键词:集成电路设计大赛教学
新型发射极指组合结构功率SiGe HBT热分析被引量:5
2010年
提出了一种发射极指分段和非均匀发射极指长、指间距组合的新型器件结构,以改善多指功率硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)的热稳定性。考虑器件具有多层热阻,发展建立了相应的热传导模型。以十指功率SiGe HBT为例,运用有限元方法对其进行热模拟,得到三维温度分布。与传统发射极结构器件相比,新结构器件最高结温从416.3 K下降到405 K,各个发射指上的高低温差从7 K~8 K下降为1.5 K~3 K,热阻值下降14.67 K/W,器件整体温度分布更加均匀。
胡宁张万荣谢红云金冬月陈亮沈珮黄璐黄毅文王扬
关键词:异质结双极晶体管有限元方法热模拟
线性化的晶体管合成电感
本发明提供了一种线性化的晶体管合成电感,包括:第一跨导放大器,第二跨导放大器,第一电流镜,第二电流镜,第三电流镜,反馈电容,可调电阻,第一可调电流源,第二可调电压源。其中:两个跨导放大器交叉连接构成回转器,回转器能够把第...
赵彦晓张万荣黄鑫谢红云邓蔷薇金冬月
基于SiGe HBT的超宽带(UWB)低噪声放大器的设计
本文结合超宽带(UWB)无线通信标准,给出了超宽带低噪声放大器(LNA)的设计思路,然后根据这个思想以高性能的硅锗异质结双极型晶体管为核心设计出了一款超宽带低噪声放大器,最后用安捷伦的ADS对所设计的放大器进行了仿真验证...
张蔚张万荣谢红云金冬月何莉剑王扬沙永萍李佳甘军宁沈珮
关键词:超宽带低噪声放大器ADS
文献传递
共18页<12345678910>
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