沈珮
- 作品数：25 被引量：37H指数：3
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金北京市教委科技发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 射频功率HBT热稳定性分析及镇流电阻优化被引量：1
- 2008年
- 为了有效改善射频功率HBT的热不稳定性、消除自加热效应对功率器件电学特性的影响,从热电反馈网络出发,阐述了晶体管热稳定因子S的物理意义.在考虑发射极电流正温度系数、器件能带连续性(△E_v)、重掺杂效应(△E_g)、基极和发射极加入镇流电阻(R_B和R_E)等因素的情况下。给出了功率HBT自热完全补偿(S= 0)所需最小镇流电阻(R_c)表达式.结果表明,在△E_v+△E_g>2κT时,HBT工作温度丁越大,R_c反而越小.由于R_c的减小,功率HBT将能提供更大的输出功率、功率增益和功率附加效率.
- 金冬月张万荣谢红云沈珮王扬
- 关键词：异质结双极晶体管热稳定镇流电阻
- 新型3.1～6GHz高增益超宽带低噪声放大器被引量：1
- 2010年
- 在传统的窄带达林顿结构放大器基础上,提出一种新型高增益超宽带达林顿结构低噪声放大器.该放大器采用高频低噪声晶体管,采用电感补偿技术和正实电阻补偿技术,保持了达林顿放大器高增益的优点,而且也取得了低噪声、良好输入输出匹配和宽带稳定性.通过优化设计,新型放大器在3.1～6 GHz内,增益S21高达21 dB,变化不超过0.3 dB,噪声系数F为1.5～2.1 dB,输入输出反射系数S11和S22都小于-14 dB,在宽带内保持稳定.
- 沈珮张万荣金冬月谢红云尤云霞孙博韬肖盈
- 关键词：低噪声放大器超宽带电流增益
- 具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT
- 本文对多发射极条(指)微波功率GeSi HBT进行了设计、制造,并对电流处理能力进行了研究。实验结果表明,对20-80指GeSi HBT,发射极单位长度的电流密度I在1.67-1.06A/cm之间变化.随发射极条数的增加...
- 沈珮张万荣谢红云金冬月邱建军王扬何莉剑张蔚沙永萍李佳甘军宁
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管
- 文献传递
- Cascode射频有源电感的设计被引量：3
- 2011年
- 基于Cascode结构,提出了采用双共基异质结双极型晶体管级联反馈射频有源电感的设计方法,并与电阻反馈、单共基晶体管反馈构成的两种有源电感进行了比较。分别从理论上推导出了这三种不同反馈支路的有源电感的输入阻抗与等效电感,同时分析了影响其性能的因素。最终采用Jazz0.35μm SiGe BiCMOS工艺,利用安捷伦射频仿真软件ADS,对电路进行了验证。结果表明,采用双共基晶体管级联反馈构成的有源电感,兼具有电感值大,品质因数高等优点。
- 尤云霞张万荣金冬月谢红云沈珮丁春宝孙博韬
- 关键词：有源电感品质因数
- SiGe HBT超宽带低噪声放大器的研究
- 射频SiGe异质结双极晶体管(Hetrojunction bipolar transistor, HBT)作为新型射频器件，因为具有与III-V族器件可媲美的增益特性和频率特性、与现有的Si工艺可兼容的高集成能力，所以逐...
- 沈珮
- 关键词：超宽带低噪声放大器单片微波集成电路
- 文献传递
- 超宽带SiGe HBT低噪声放大器的设计和分析被引量：3
- 2011年
- 设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带（UWB）SiGe HBT低噪声放大器（LNA）。因为摒弃了使用占片面积大的电感，所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本。在新型放大器的反馈支路中，使用了复合分布式电阻和隔直流电容，代替了传统的单一电阻。用这种方式设计的LNA，仅通过调整与电容串联的电阻就可以极大地改善放大器的端口匹配，同时不牺牲偏置。最终设计出的LNA版图面积仅为0．144mm^2。仿真实验显示，在3．1—10GHz超宽频带内，新型UWB LNA实现了低于4．5dB的噪声系数、高达20dB的增益（增益平坦度仅为1．032dB），小于1．637的输出端驻波比，大于2．3的稳定因子。此研究成果对设计开发低成本、高性能的单片UWB LNA具有重要指导意义。
- 沈珮张万荣金冬月谢红云黄毅文
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管噪声系数
- 改善多指功率SiGe HBTs热稳定性的版图设计(英文)
- 2009年
- 提出非均匀指间距结构功率SiGe HBTs的版图设计用以改善热稳定性。模拟和实验结果均表明,与传统的均匀指间距结构相比,非均匀指间距结构HBT的峰值结温和温度分布非均匀性均得到显著改善。上述改善归功于非均匀指间距结构HBT中心指间距的增加,从而有效阻止热流由外侧指流向中心指处。此外,与均匀指间距结构器件相比,其热阻改善13.71%,热退化功率水平提高22.8%。因此,模拟和实验均证明采用非均匀指间距结构HBT的版图设计可有效改善功率HBTs热稳定性。
- 金冬月张万荣谢红云沈珮胡宁甘军宁李佳
- 关键词：SIGEHBT热稳定性
- 改善放大器噪声性能的SiGe HBT几何参数优化设计
- 2012年
- 研究有源器件SiGe HBT的几何参数对单片低噪声放大器(LNA)噪声性能的影响.基于0.35μm SiGeBiCMOS工艺,研制了4款采用不同几何参数的SiGe HBT LNA.实验结果显示,在给定的偏置条件下,当发射极宽长比较小时,小范围改变发射极宽度对噪声系数(NF)改善微弱,但适当增长发射极条长和增加发射极条数明显降低了NF,且不牺牲增益.另外,与采用其他几何尺寸的SiGe HBT LNAs相比,选用器件发射极面积为AE=4μm×40μm×4的LNA性能最优,在0.2～1.2 GHz内获得低至2.7 dB的噪声系数,高达26.7 dB的相关增益和最接近于50Ω的最佳噪声源阻抗.由于没有使用占片面积大的电感,放大器芯片面积仅为0.2 mm2.
- 沈珮张万荣金冬月谢红云黄璐
- 关键词：低噪声放大器噪声系数
- 3～6GHz SiGe HBT Cascode低噪声放大器的设计被引量：4
- 2012年
- 基于Jazz 0.35μm SiGe工艺设计一款满足UWB和IEEE802.11a标准的低噪声放大器.采用并联电感峰化技术与Cascode结构来展宽带宽;完成了芯片版图的设计,芯片面积为1.16 mm×0.78 mm;在带宽为3～6 GHz范围内,最大增益为26.9 dB,增益平坦度为±0.9 dB.放大器的输入输出匹配良好,其回波损耗S11和S22均小于-10dB,输入与输出驻波比小于1.5,1 dB压缩点为-22.9 dBm.在整个频段内,放大器无条件稳定.
- 丁春宝张万荣谢红云沈珮陈亮尤云霞孙博韬王任卿
- 关键词：低噪声放大器SIGE异质结双极晶体管
- 3～10GHz SiGe HBTs超宽带低噪声放大器的设计被引量：3
- 2009年
- 根据UWB（Ultra-wideband）无线通信标准,提出了一款超宽带低噪声放大器并进行了设计。该放大器选用高性能的SiGe HBTs,同时采用并联和串联多重反馈的两级结构,以达到超宽频带、高增益、低噪声系数以及良好的输入输出匹配的目的。仿真结果表明,放大器在3-10 GHz带宽内,增益S21高达21 dB,增益平坦度小于1.5 dB,噪声系数在2.4~3.3 dB之间,输入输出反射系数（S11和S22）均小于-9 dB,并且在整个频带内无条件稳定。所有结果表明该LNA性能良好。
- 李佳张万荣谢红云金冬月沈珮甘军宁
- 关键词：射频放大器低噪声放大器超宽带SIGEHBTS
