刘涛
- 作品数：4 被引量：7H指数：1
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 3000V 10A 4H-SiC结型场效应晶体管的设计与制造被引量：6
- 2016年
- 介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC衬底上生长掺杂浓度(ND)为1.0×1015 cm-3,厚度为50μm的N-外延层,并采用本实验室开发的SiC JFET工艺进行了器件工艺加工。通过测试,当栅极偏压VG=-6V时,研制的SiC JFET可以阻断3 000V电压;当栅极偏压VG=7V、漏极电压VD=3V时,正向漏极电流大于10A,对应的电流密度为100A/cm2。
- 刘涛陈刚黄润华柏松陶永洪汪玲刘奥李赟赵志飞
- Si基GaNHEMT低温欧姆接触工艺研究
- 2013年
- 研究了在Si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径。研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,发现外延层刻蚀深度的优化可显著改善欧姆接触特性。采用Ti/Al(10/200nm)金属,在外延层刻蚀深度为20nm以及合金温度550°C时,得到接近传统高温合金条件下的接触电阻,最小值达到0.76Ω.mm,同时实现的欧姆接触电极具有良好的形貌。该技术有望应用于高频、高功率GaN HEMT的工艺。
- 王金孔岑周建军倪金玉陈堂胜刘涛
- 关键词：低温合金欧姆接触
- GaN E-D HEMT集成逻辑门电路特性研究被引量：1
- 2013年
- 基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的高质量AlGaN/GaN异质结构材料,采用选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN增强型/耗尽型(E/D)HEMT器件的集成,应用直接耦合场效应管逻辑(DCFL)设计并研制GaN E/D HEMT集成逻辑门电路。通过对GaN E/D器件性能以及逻辑门电路性能的分析讨论,研究了GaN E/D器件性能对逻辑门电路性能的影响。同时还对选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN E/D器件存在的问题进行了分析讨论。
- 刘涛刘昊周建军孔岑陆海燕董逊张有涛孔月婵陈堂胜
- 关键词：铝镓氮氮化镓阈值电压漂移
- 4H-SiC CMOS高温集成电路设计与制造
- 2024年
- 设计、制造并测试了基于碳化硅材料的横向MOSFET器件和CMOS电路。常温时,N型和P型MOSFET在片测试的阈值电压分别约为5.4 V和-6.3 V;温度达到300℃时,N型和P型MOSFET的阈值电压分别为4.3 V和-5.3 V。由N型和P型MOSFET组成的CMOS反相器在常温下输出的上升时间为1.44μs,下降时间为2.17μs,且在300℃高温条件下仍可正常工作。由CMOS反相器级联成的环形振荡器在常温下的测试工作频率为147 kHz,在高温下也可正常工作。
- 陈浩炜刘奥黄润华杨勇刘涛柏松
- 关键词：碳化硅CMOS集成电路反相器环形振荡器
