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柏松: 作品数：78 被引量：107H指数：6; 供职机构：南京电子器件研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>; 相关领域：电子电信核科学技术理学电气工程更多>>

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基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器被引量：6: 2013年; 针对当前极端环境下耐辐照半导体中子探测器的需求,采用耐高温、耐辐照的碳化硅宽禁带半导体材料,利用6 Li(n,α)3 H核反应原理,研制了基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器。利用磁控溅射完成中子转化层的制作,并用SEM表征6 LiF膜厚。在10～600V反向偏压下,漏电流维持在6.4nA以下,表明探测器具备良好的半导体-金属肖特基整流接触。利用241 Am源研究探测器对5.486 MeV的α粒子的响应,测得分辨率为4.5%。同时,利用该探测器测量了由临界装置产生并经石蜡块慢化后的热中子,观测到热中子与6 Li作用产生的α和T粒子信号的实验结果。; 蒋勇吴健韦建军范晓强陈雨荣茹邹德慧李勐柏松陈刚李理; 关键词：中子探测器宽禁带半导体 4H-SIC

L波段0.5mm SiC SIT被引量：1: 2011年; 作为测试小管芯,所研制的小栅宽(0.5mm)L波段SiC SIT器件,台面和栅凹槽线宽分别为1.0μm和1.5μm,源间距2.5μm,采用凹栅结构、Al注入形成PN结等优化手段,提高了器件的击穿特性和微波特性。0.5mm栅宽SiC SIT器件,输出功率通过负载牵引系统进行测试,在1.2GHz CW、50V工作电压下测量的输出功率密度达到7.55W/cm,功率增益在7.3dB;在1.4GHz CW、50V工作电压下测量的输出功率率密度达到了4.4W/cm,功率增益在5.76dB。; 陶永洪柏松陈刚李理李赟尹志军; 关键词：L波段碳化硅

1200V常开型4H-SiC VJFET被引量：3: 2011年; 用沟槽和离子注入方法在自主外延的4H导通型碳化硅晶圆上研制了垂直沟道结型场效应晶体管(VJFET)。在栅电压VG=-10 V时阻断电压达到1 200 V;在VG=2.5 V,VD=2V时的电流密度为395 A/cm2,相应的比导通电阻为5.06 mΩ·cm2。分析发现欧姆接触电阻是导通电阻的重要组成部分,改善欧姆接触可以进一步降低导通电阻。; 倪炜江李宇柱李哲洋李赟管邦虎陈征柏松陈辰; 关键词：比导通电阻

1200V 40A碳化硅肖特基二极管设计被引量：2: 2016年; 设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终端保护参数进行了优化。器件采用10μm厚度掺杂浓度为6E15cm-3的外延材料,终端保护采用浮空场限制环。正向电压1.75V时,导通电流达到40A。; 汪玲黄润华刘奥陈刚柏松; 关键词：肖特基势垒二极管

3000V 10A 4H-SiC结型场效应晶体管的设计与制造被引量：6: 2016年; 介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC衬底上生长掺杂浓度(ND)为1.0×1015 cm-3,厚度为50μm的N-外延层,并采用本实验室开发的SiC JFET工艺进行了器件工艺加工。通过测试,当栅极偏压VG=-6V时,研制的SiC JFET可以阻断3 000V电压;当栅极偏压VG=7V、漏极电压VD=3V时,正向漏极电流大于10A,对应的电流密度为100A/cm2。; 刘涛陈刚黄润华柏松陶永洪汪玲刘奥李赟赵志飞

SiC MESFET器件制造与特性研究: 报告了4H—SiC MESFET单栅器件的研制。通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制造出单栅宽150um,栅长0.8um n沟道4H—SiC MESFET,其主要直流特性结果为:在V; 陈刚汪玲周德红柏松; 关键词：金属半导体场效应管微波宽禁带半导体

14kV-1 A SiC超高压PiN二极管被引量：1: 2016年; 设计了一种耐压超过14kV的4H-SiC超高压PiN二极管。外延材料N-层掺杂浓度3.0×10^(14) cm^(-3),厚度140μm。通过模拟仿真,采用台面结合双JTE结终端保护结构,器件实现了14kV以上耐压,正向导通电流1A。; 栗锐黄润华柏松陶永洪; 关键词：4H-SIC PIN二极管超高压

SiC MESFET高温工作寿命研究被引量：1: 2011年; 对在76.2 mm 4H-SiC半绝缘衬底上研制的SiC MESFET进行了高温工作寿命试验,试验结果表明采用Au/Ti/欧姆接触结构的器件在结温275℃条件下工作500 h后,饱和电流下降幅度超过了29%,器件均发生失效。分析表明器件失效的主要原因是Ti层扩散使欧姆接触性能下降。改进工艺采用WTi作为扩散阻挡层后,扩散现象得到了有效抑制,试验前后器件的饱和电流下降幅度在16%以内。三温加速寿命试验表明,器件在150℃结温下平均失效时间(MTTF)达4.1×106h。; 李理柏松陈刚蒋浩陈征李赟陈辰; 关键词：金属半导体场效应管

S波段280W SiC内匹配脉冲功率管被引量：3: 2008年; 柏松吴鹏陈刚冯忠李哲洋林川蒋幼泉陈辰邵凯; 关键词：S波段功率管 SIC 内匹配脉冲微波功率器件

重离子引起SiC MOSFET栅氧化物潜在损伤研究: 2023年; 针对空间应用,开展SiC MOSFET单粒子效应试验研究。在加速器上用重离子辐照1200 V SiC MOSFET,离子线性能量传输(LET)在0.26~118 MeV·cm^(2)/mg之间,辐照中被试器件加50~600 V静态漏源偏置电压、栅源短接,实时测量电特性,进行辐照后栅应力(PIGS)测试。试验结果发现,50~100 V偏置电压下,离子引起瞬态电流,PIGS测试栅失效。分析认为离子引起栅氧化物潜在损伤,PIGS测试过程中,潜在损伤进一步退化导致栅失效。氧化物潜在损伤不仅与辐照偏置电压有关,还与入射离子LET和注量有关。PIGS测试需要的栅应力时间与潜在损伤程度有关,可超过300 s。并给出了电荷累积损伤模型。模型进行SiC MOSFET单粒子效应评估时,应考虑离子引起栅氧化物潜在损伤的影响,需根据轨道和任务周期确定试验离子注量,根据应用情况确定辐照偏置电压,并评估确定PIGS测试栅应力时间。; 于庆奎曹爽张琛睿孙毅孙毅王乾元梅博魏志超张洪伟王贺柏松; 关键词：单粒子效应单粒子烧毁