孔岑
- 作品数：23 被引量：11H指数：2
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 含厚AlGaN过渡层的Si基GaN材料的MOCVD生长技术研究
- 倪金玉郁鑫鑫潘磊董逊孔岑周建军李忠辉孔月婵陈堂胜
- 氧等离子体处理对薄势垒增强型AlGaN/GaN HEMT的影响
- 2015年
- 提出了一种利用薄势垒结构制造增强型AlGaN/GaN HEMT的方法。研究了SiN钝化对薄势垒AlGaN/GaN异质结的影响,并利用其控制沟道中的二维电子气密度。具有10nm SiN介质插入层欧姆接触在800℃下退火可以得到较好的接触性能。栅极区域中的SiN被刻蚀,以耗尽下面的二维电子气,从而使薄势垒AlGaN/GaN HEMT实现增强特性,其阈值电压为50 mV。对介质刻蚀后暴露的AlGaN表面进行氧等离子体处理,与未经处理的器件作对比,发现阈值电压提升到0.5V,栅漏电降低了一个数量级,击穿特性得到改善,但是最大饱和电流密度降低了。
- 王哲力周建军孔月婵孔岑董逊杨洋陈堂胜
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管增强型氧等离子体处理
- BST片上压控电容及其模型
- 在氮化镓外延材料上制作了金属-绝缘层-金属型钛酸锶钡薄膜压控电容.测试表明,该压控电容在0.1～15GHz的频率范围内具备压控调谐特性;根据测试结果建立了微波频段钛酸锶钡压控电容等效电路模型,模型与测试结果吻合.同批次制...
- 孔岑周建军李辉陆海燕耿习娇许晓军
- 关键词：压控电容钛酸锶钡薄膜高电子迁移率晶体管等效电路模型
- 文献传递
- X波段GaN单片电路低噪声放大器被引量：3
- 2011年
- 采用0.25μm GaN HEMT制备工艺在AlGaN/GaN异质结材料上研制了高性能X波段GaN单片电路低噪声放大器。GaN低噪声单片电路采取两级微带线结构,10 V偏压下芯片在X波段范围内获得了低于2.2 dB的噪声系数,增益达到18 dB以上,耐受功率达到了27 dBm。在耐受功率测试中发现GaN低噪声HEMT器件存在一定的恢复效应,并进行了相应讨论。
- 周建军彭龙新孔岑李忠辉陈堂胜焦刚李建平
- 关键词：低噪声放大器微波单片集成电路
- 51级E/D模AlGaN/GaN HEMT集成环形振荡器
- 2013年
- 南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）GaNHEMT圆片工艺，通过E模器件和E／D集成技术，在国内率先实现了5l级GaNE／D集成环形振荡器，工作电压为6V时振荡频率达404MHz，级延时为24．3ps。
- 孔月婵周建军孔岑董逊张有涛陆海燕陈堂胜
- 关键词：环形振荡器集成技术振荡频率工作电压圆片
- 增强型GaN功率器件及集成技术
- 2017年
- 针对氮化镓(GaN)功率器件的研制,采用栅区域势垒层减薄技术及p-GaN栅结构,分别研制了阈值电压2 V以上、击穿电压1 200 V以上的凹槽栅结构和阈值电压1.1 V、击穿电压350 V以上、输出电流10 A以上的p-GaN栅结构增强型GaN功率器件。同时基于栅区域势垒层减薄技术,开发了GaN增强型/耗尽型(E/D)集成技术,并展示了采用E/D集成技术研制的51级GaN环形振荡器验证电路,集成了106只晶体管,级延时仅24.3 ps。
- 周建军孔岑张凯孔月婵
- 关键词：功率器件氮化镓增强型集成技术
- MMIC用铁磁薄膜电感研究
- 集成微电感是单片微波集成电路（MMIC）设计中实现阻抗匹配、直流偏置、移相和滤波等功能的重要无源器件，广泛应用在放大器、振荡器、混频器和匹配网络等单元电路中。将磁性材料集成到微电感中可以增加电感感值，有效减少线圈磁漏，是...
- 孔岑
- 关键词：单片微波集成电路铁磁薄膜微电感
- GaN E/D集成电路研究与进展
- 近年来,随着GaN微波功率器件向实用化发展,GaN在高速数字和混和信号电路中的应用吸引了越来越广泛的关注,旨在充分发挥其高电子漂移速度和高击穿电压的优势,在保持高速性能的同时获得理想的电压摆幅[1].传统AlGaN/Ga...
- 孔月婵周建军孔岑张有涛董逊陈堂胜
- MMIC用多层磁膜电感研究
- 2011年
- 采用磁控溅射生长磁膜工艺,结合BCB(苯并环丁烯)平坦化技术,首次制作了"金属线圈/磁膜/金属线圈(M/F/M)"和"磁膜/金属线圈/磁膜/金属线圈(F/M/F/M)"两种结构的多层磁膜电感,整个工艺与标准MMIC工艺兼容。在2 GHz处,"金属线圈/磁膜/金属线圈"结构电感的电感量为7.5 nH,品质因数为7.17,与相同结构同工艺同批次传统单层无磁膜电感相比分别提高了270%和47%;"磁膜/金属线圈/磁膜/金属线圈"结构电感的电感量为9 nH,品质因数为5.86,与传统电感相比分别提高了350%和25%。结果表明多层磁膜电感在低频范围(<5GHz)较传统电感有巨大优势。
- 孔岑李辉周建军陈效建陈辰耿习娇
- 关键词：多层结构单片微波集成电路
- Si基GaN材料寄生导电层的研究被引量：1
- 2013年
- 通过对Si基GaN材料的电学性能进行测量分析,确认了该材料体系所特有的寄生导电层现象。研究了寄生导电层对Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)微波功率性能和击穿性能的不良影响。通过材料生长工艺的优化,降低了寄生导电层的导电性,获得了击穿电压超过320V的Si基GaN HEMT功率电子器件。
- 倪金玉李忠辉孔岑周建军陈堂胜郁鑫鑫
