董逊
- 作品数：92 被引量：58H指数：4
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省科技支撑计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 含厚AlGaN过渡层的Si基GaN材料的MOCVD生长技术研究
- 倪金玉郁鑫鑫潘磊董逊孔岑周建军李忠辉孔月婵陈堂胜
- Al_(0.66)Ga_(0.34)N日盲紫外光电探测器研究
- 2008年
- 采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-xN制备了金属-半导体-金属(MSM)结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经三轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1-xN半峰宽(FWHM)为155arcs,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测器存在两个峰值响应,波长分别位于255、365nm处,说明探测器同时具有日盲探测和双色探测特征。在6V偏压下255nm处响应度为0.1A/W,并以此推算出AlxGa1-xN材料的Al含量为0.66。
- 姜文海陈辰周建军李忠辉董逊
- 关键词：响应度
- 利用低温插入层改善GaN外延层晶体质量研究被引量：2
- 2011年
- 采用MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长了GaN外延薄膜,在高温GaN生长中插入了低温GaN。通过改变低温GaN的生长温度和/比得到不同样品。对样品薄膜进行了高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测试,PL半峰宽变化不大,XRD半峰宽有明显变化。实验结果表明,低温GaN缓冲层可以使后续生长更好,达到二维生长模式,并且合适的低温生长条件可以明显改善GaN外延层的结晶质量,降低位错密度。
- 张东国李忠辉孙永强董逊李亮彭大青倪金玉章咏梅
- 关键词：金属有机物化学气相淀积氮化镓缓冲层
- MSM型氮化镓紫外探测器研究
- 2009年
- 以宽禁带半导体氮化镓材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。材料生长是以MOCVD设备完成的,为非故意掺杂的n型材料。器件在362nm处具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,在1.5 V偏压下响应度为0.71 A/W,紫外/可见抑制比接近103。通过击穿单侧肖特基结对另一侧的肖特基结进行测试,结果表明肖特基结具有较理想的特性,并以此对器件的工作方式和设计优化进行了讨论分析。
- 姜文海陈辰周建军李忠辉郑惟彬董逊
- 关键词：紫外探测器宽带隙
- 一种基于原位刻蚀的氮化镓同质外延方法
- 本发明是一种基于原位刻蚀的氮化镓同质外延方法，包括如下步骤：1）选择一氮化镓衬底，转移入MOCVD系统中；2）在衬底上进行短时间快速刻蚀；3）在快速刻蚀后进行长时间慢速刻蚀，在衬底表面形成六棱锥微结构；4）侧向生长合并六...
- 罗伟科李亮李忠辉张东国彭大青董逊
- 文献传递
- 复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构
- 本发明是复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，其结构是衬底上是生长成核层；成核层上是第一缓冲层；在缓冲层上是生长缓冲层；在第二缓冲层上是生长沟道层；在沟道层上是生长势垒层；其生长方法包括，衬底经清洗、吹干后在反应...
- 彭大青李忠辉董逊李亮倪金玉张东国
- 文献传递
- 一种制造氮面极性AlN/AlInN复合背势垒氮化镓场效应管的方法
- 本发明公开了一种制造氮面极性AlN/AlInN复合背势垒氮化镓场效应管的方法，该方法的步骤包括在衬底上依次生长氮面极性GaN缓冲层、AlInN调制掺杂层、δ掺杂层、AlInN背势垒隔离层、AlN背势垒隔离层、GaN沟道层...
- 薛舫时孔月婵董逊陈辰
- 文献传递
- 4W/mm蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT被引量：3
- 2007年
- 报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结材料制作的HEMT,器件功率输出密度达4W/mm。通过材料结构及生长条件的优化,利用MOCVD技术获得了二维电子气(2DEG)面密度为0.97×1013cm-2、迁移率为1000cm2/Vs的AlGaN/GaN异质结构材料,用此材料完成了栅长1μm、栅宽200μm AlGaN/GaN HEMT器件的研制。小信号测试表明器件的fT为17GHz、最高振荡频率fmax为40GHz;负载牵引测试得到2GHz下器件的饱和输出功率密度为4.04W/mm。
- 任春江李忠辉焦刚董逊李肖陈堂胜李拂晓
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管二维电子气最高振荡频率
- MOCVD方法制备p型AlGaN材料
- 李亮罗伟科李忠辉董逊彭大青张东国李传皓
- 4H-SiC MESFET结构外延生长技术被引量：1
- 2007年
- 利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作p型和n型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡掺杂曲线,并给出了部分器件测试结果.
- 李哲洋董逊柏松陈刚陈堂胜陈辰
- 关键词：4H-SICMESFETSEMSIMS
