周建军
- 作品数：82 被引量：56H指数：4
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程医药卫生更多>>
- B^+注入隔离在宽禁带半导体中的应用
- 2011年
- 利用B^+离子注入实现宽禁带半导体的有源层隔离。通过Monte Carlo软件TRIM模拟,优化离子注入能量和剂量。在SiC MESFET中测量两组不同条件的样品及在GaN HEMT测量了三组同种条件的样品都得到了纳安级电流,表现了很好的隔离效果;通过测试表明离子注入隔离的器件相比台面隔离器件的击穿电压有一定程度提高。
- 李春陈刚李宇柱周建军李肖
- 关键词：离子注入宽禁带半导体氮化镓
- MMIC用多层磁膜电感研究
- 2011年
- 采用磁控溅射生长磁膜工艺,结合BCB(苯并环丁烯)平坦化技术,首次制作了"金属线圈/磁膜/金属线圈(M/F/M)"和"磁膜/金属线圈/磁膜/金属线圈(F/M/F/M)"两种结构的多层磁膜电感,整个工艺与标准MMIC工艺兼容。在2 GHz处,"金属线圈/磁膜/金属线圈"结构电感的电感量为7.5 nH,品质因数为7.17,与相同结构同工艺同批次传统单层无磁膜电感相比分别提高了270%和47%;"磁膜/金属线圈/磁膜/金属线圈"结构电感的电感量为9 nH,品质因数为5.86,与传统电感相比分别提高了350%和25%。结果表明多层磁膜电感在低频范围(<5GHz)较传统电感有巨大优势。
- 孔岑李辉周建军陈效建陈辰耿习娇
- 关键词：多层结构单片微波集成电路
- Si基GaN材料寄生导电层的研究被引量：1
- 2013年
- 通过对Si基GaN材料的电学性能进行测量分析,确认了该材料体系所特有的寄生导电层现象。研究了寄生导电层对Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)微波功率性能和击穿性能的不良影响。通过材料生长工艺的优化,降低了寄生导电层的导电性,获得了击穿电压超过320V的Si基GaN HEMT功率电子器件。
- 倪金玉李忠辉孔岑周建军陈堂胜郁鑫鑫
- GaN MSM型紫外探测器
- 采用以MOCVD设备生长的宽带隙非故意掺杂的n-GaN材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。在1.5V偏压下具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,其响应度为0.71A/W,峰值在362nm处,紫外/可见抑制比接近...
- 姜文海陈辰李忠辉周建军董逊
- 关键词：紫外探测器宽带隙
- 文献传递
- 自对准栅金刚石MESFET器件研究
- 2013年
- 基于表面氢化处理的金刚石材料,利用自对准栅工艺技术研制了p型金刚石肖特基栅场效应晶体管(MESFET)。利用AFM和Raman测试方法对材料的特性进行了测试及分析。同时,对研制的金刚石MESFET器件进行了TLM以及直流特性测试及性能分析。利用TLM方法测试获得的表面氢化处理金刚石材料的方阻和Au欧姆接触比接触电阻率分别为4kΩ/□和5.24×10-4Ω.cm2。研制的1μm栅长金刚石MESFET器件的最大电流在-5V偏压下达到10mA/mm以上。
- 周建军柏松陈刚孔岑耿习娇陆海燕孔月婵陈堂胜
- 关键词：金刚石
- 16 Gb/s GaN数模转换器芯片
- 2017年
- 南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）0．1μm GaN工艺，采用f1／fmax分别为100GHz／165GHz的耗尽型晶体管设计，首次研制出16Gb／s的3bit DAC芯片。该芯片内核面积约为1．20mm×0．15mm。
- 张有涛孔月婵张敏周建军张凯
- 关键词：DAC芯片B/SGAN晶体管设计耗尽型
- AlGaN基共振腔增强的p-i-n型紫外探测器被引量：1
- 2007年
- 设计了目标探测波长为320nm的AlGaN基共振腔增强的p-i-n型紫外光电探测器,共振腔由分别作为底镜和顶镜的AlN/Al0.3Ga0.7 N布拉格反射镜和空气/GaN界面组成,有源区p-GaN/i-GaN/n-Al0.38Ga0.62 N被置于腔内.该结构采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底和GaN模板上外延生长得到.光谱响应测试显示了正入射时该器件在波长313nm处出现响应的选择增强,零偏压下响应度为14mA/W.
- 姬小利江若琏周建军刘斌谢自力韩平张荣郑有炓龚海梅
- 关键词：紫外探测器AIGAN分布布拉格反射镜
- Si基GaNHEMT低温欧姆接触工艺研究
- 2013年
- 研究了在Si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径。研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,发现外延层刻蚀深度的优化可显著改善欧姆接触特性。采用Ti/Al(10/200nm)金属,在外延层刻蚀深度为20nm以及合金温度550°C时,得到接近传统高温合金条件下的接触电阻,最小值达到0.76Ω.mm,同时实现的欧姆接触电极具有良好的形貌。该技术有望应用于高频、高功率GaN HEMT的工艺。
- 王金孔岑周建军倪金玉陈堂胜刘涛
- 关键词：低温合金欧姆接触
- 栅极面积和ESD结构对AlGaN/GaN MIS-HEMTs中LPCVD-SiNx栅介质TDDB特性的影响
- 2021年
- 基于CMOS兼容性GaN工艺,研制出具有低压化学气相沉积SiNx栅介质的硅基AlGaN/GaN异质结金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)器件。通过威布尔统计分析,研究了栅介质面积和静电释放(ESD)结构对SiNx的经时击穿(TDDB)特性的影响。结果表明,较小的栅介质面积有利于更长的器件寿命,而ESD保护结构有利于提升器件栅介质在高电压应力下的可靠性和稳定性,主要原因为SBD的寄生电容可有效吸收电脉冲感应在介质薄膜中产生的电荷。最后,通过线性E模型预测具有35 nm厚LPCVD-SiNx栅介质的AlGaN/GaN MIS-HEMTs在栅极电压为13 V条件下的击穿寿命可达20年(0.01%,T=25℃)。
- 戚永乐王登贵周建军张凯孔岑孔月婵于宏宇陈堂胜
- 关键词：栅介质经时击穿
- 高击穿特性的Si基双异质结AlGaN/GaN HEMT
- 由于价格低廉,在Si衬底上异质外延生长GaN材料来研制电力电子器件具有广阔的发展前景.然而,GaN与Si之间存在高达16.9％的晶格失配和56％的热失配,在Si上生长GaN将面临高难度的技术挑战.本文在4英寸Si衬底上采...
- 郁鑫鑫倪金玉李忠辉周建军孔岑
