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张东国

作品数：29 被引量：33H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金江苏省科技支撑计划项目国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇期刊文章
  • 7篇会议论文

领域

  • 20篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 9篇MOCVD
  • 7篇异质结
  • 7篇衬底
  • 6篇金属有机物
  • 6篇SIC衬底
  • 6篇GAN薄膜
  • 5篇二维电子
  • 5篇二维电子气
  • 5篇ALGAN/...
  • 4篇金属有机物化...
  • 4篇晶体
  • 4篇ALN
  • 4篇GAN
  • 3篇氮化镓
  • 3篇迁移
  • 3篇迁移率
  • 3篇晶体质量
  • 3篇半绝缘
  • 3篇ALGAN
  • 3篇ALGAN/...

机构

  • 29篇南京电子器件...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇山西烁科晶体...

作者

  • 29篇张东国
  • 29篇李忠辉
  • 28篇彭大青
  • 20篇董逊
  • 18篇李亮
  • 17篇李传皓
  • 16篇罗伟科
  • 13篇杨乾坤
  • 9篇倪金玉
  • 6篇潘磊
  • 5篇周建军
  • 3篇孙永强
  • 2篇孔月婵
  • 2篇许晓军
  • 1篇陆海燕
  • 1篇姜文海
  • 1篇孔岑
  • 1篇李哲洋
  • 1篇陈辰
  • 1篇耿习娇

传媒

  • 15篇固体电子学研...
  • 7篇第13届全国...
  • 4篇人工晶体学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇发光学报

年份

  • 3篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 3篇2020
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 8篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 4篇2011
共 29 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
少层氮化硼的生长机理及技术研究被引量：1
2022年
采用MOCVD技术在50.8 mm(2英寸)蓝宝石衬底上开展氮化硼(BN)材料的外延生长研究。基于Ⅴ/Ⅲ族源的同时输运工艺,探究了无序岛状、生长自终止及二维层状等三种BN生长模式的外延机理,并实现了5-6层原子厚的二维BN材料的制备。同时,提出了一种Ⅴ/Ⅲ族源的同时输运及分时输运相结合的外延生长工艺,显著提升了二维BN材料质量,其中1μm×1μm表面粗糙度Ra为0.10 nm,光学带隙宽度为5.77 eV,拉曼E2g模式的半高宽为60.7 cm^(-1)。
李传皓李忠辉李忠辉张东国彭大青张东国沈睿
关键词：氮化硼蓝宝石衬底
MOCVD方法制备p型AlGaN材料
李亮罗伟科李忠辉董逊彭大青张东国李传皓
原位刻蚀对同质外延GaN薄膜晶体质量的影响
近二十多年来,三族氮化物由于其优异的性能,被广泛的应用到发光电子器件和电力电子器件领域[1,2],但由于高质量GaN同质衬底制备困难,并且价格昂贵,因此这些光电器件大多采用蓝宝石、碳化硅和硅等衬底通过异质外延方法获得。对...
罗伟科李亮李忠辉董逊彭大青张东国周建军许晓军
AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料生长及性质研究被引量：4
2011年
基于能带理论设计并利用MOCVD技术在76.2 mm蓝宝石衬底上生长了不同GaN沟道层厚度的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料。室温霍尔测试结果表明:双异质结材料的二维电子气面密度随沟道层厚度增加有所升高并趋于饱和;二维电子气迁移率则随沟道厚度增加明显升高。200 nm厚GaN沟道的双异质结材料方块电阻平均值344.2Ω/□,方阻不均匀性1.69%。HEMT器件工艺验证表明,使用双异质结材料显著抑制了栅漏电,有利于提高器件的耐压特性。
董逊孔月婵周建军倪金玉李忠辉李亮张东国彭大青
关键词：双异质结二维电子气方块电阻
采用低温AlN插入层的Si基GaN异质外延应力分析
张东国彭大青李亮董逊倪金玉罗伟科潘磊李传皓李忠辉
生长压力对MOCVD GaN材料晶体质量的影响被引量：2
2011年
使用氮化物MOCVD外延生长系统,采用传统的两步生长法在76.2 mm c面蓝宝石衬底上生长了不同压力的GaN薄膜样品。研究发现提高高温GaN的生长压力,初期的三维生长时间增长,有利于提高GaN薄膜的晶体质量。同时采用XRD、PL谱和湿化学腐蚀方法研究了样品的位错特性,结果表明高压生长的样品能够降低位错密度,起到改善GaN晶体质量的作用。
彭大青李忠辉李亮孙永强李哲洋董逊张东国
关键词：氮化镓位错
利用低温插入层改善GaN外延层晶体质量研究被引量：2
2011年
采用MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长了GaN外延薄膜,在高温GaN生长中插入了低温GaN。通过改变低温GaN的生长温度和/比得到不同样品。对样品薄膜进行了高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测试,PL半峰宽变化不大,XRD半峰宽有明显变化。实验结果表明,低温GaN缓冲层可以使后续生长更好,达到二维生长模式,并且合适的低温生长条件可以明显改善GaN外延层的结晶质量,降低位错密度。
张东国李忠辉孙永强董逊李亮彭大青倪金玉章咏梅
关键词：金属有机物化学气相淀积氮化镓缓冲层
V/Ⅲ比对Si基AlN薄膜结构特性的影响被引量：1
2016年
采用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在Si(111)衬底上生长了200nm厚的AlN薄膜,研究了V/III比对AlN薄膜晶体质量及表面六角缺陷的影响。结果表明,当V/III比为2 400时,得到的样品表面最平整,晶体质量最好,表面粗糙度为1.32nm,(002)半峰宽为0.615°,(102)半峰宽为0.689°。通过扫描电子显微镜(SEM)观察样品表面,发现当V/III比过高或者过低时,AlN薄膜的表面都会变得粗糙,六角形缺陷也会增多,合适的V/III比有助于抑制表面六角缺陷的产生。
杨乾坤潘磊李忠辉董逊张东国
200 mm高纯半绝缘SiC衬底AlGaN/GaN HEMT外延材料
2024年
南京电子器件研究所采用国产200 mm高纯半绝缘SiC衬底,提出衬底高温刻蚀、GaN外延模式调控应力等技术,有效解决了高温下衬底边缘突翘和薄膜异质生长应力大等问题,显著降低了大尺寸外延材料的翘曲度,研制出高质量200 mm SiC衬底AlGaN/GaN HEMT外延材料(图1)。外延材料测试结果表明,二维电子气室温迁移率达到2 231 cm^(2)/(V·s),方块电阻片内不均匀性为2.3%(图2),GaN(0002)和(1012)面XRD摇摆曲线半高宽分别达到143 arcsec和233 arcsec,圆片弯曲度和翘曲度分别达到-18.7μm和27.1μm(图3)。材料显示了优良的结晶质量和电学特性,为GaN微波毫米波功率器件和MMIC应用奠定了良好的技术基础。
张东国张东国魏汝省李忠辉彭大青李传皓杨乾坤王克超
关键词：半绝缘微波毫米波方块电阻摇摆曲线
Al组分渐变势垒层对AlGaN/GaN HEMT栅电流的影响
引起常规AlGaN/GaN HEMT器件栅电流的主要机制为肖特基势垒隧穿和热电子发射,两者发生概率均与势垒高度密切相关.常规AlGaN/GaN HEMT势垒高度约为1eV,栅极正偏电压较大时会出现正向导通,使器件无法在较...
李传皓李忠辉彭大青潘磊张东国
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