刘奥
- 作品数：28 被引量：62H指数：6
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家电网公司科技项目中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 碳化硅二极管和MOS管动态测试的限流保护方法及系统
- 本发明公开了一种碳化硅二极管和MOS管动态测试的限流保护方法，还公开了限流保护系统，包括时序控制器、电流检测装置、驱动器、保护开关和计算机。将限流保护过程分成了五个阶段，通过时序控制器控制这五个阶段进行五段式限流，相比传...
- 刘奥陈刚柏松
- 1200V 40A碳化硅肖特基二极管设计被引量：2
- 2016年
- 设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终端保护参数进行了优化。器件采用10μm厚度掺杂浓度为6E15cm-3的外延材料,终端保护采用浮空场限制环。正向电压1.75V时,导通电流达到40A。
- 汪玲黄润华刘奥陈刚柏松
- 关键词：肖特基势垒二极管
- 3000V 10A 4H-SiC结型场效应晶体管的设计与制造被引量：6
- 2016年
- 介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC衬底上生长掺杂浓度(ND)为1.0×1015 cm-3,厚度为50μm的N-外延层,并采用本实验室开发的SiC JFET工艺进行了器件工艺加工。通过测试,当栅极偏压VG=-6V时,研制的SiC JFET可以阻断3 000V电压;当栅极偏压VG=7V、漏极电压VD=3V时,正向漏极电流大于10A,对应的电流密度为100A/cm2。
- 刘涛陈刚黄润华柏松陶永洪汪玲刘奥李赟赵志飞
- 一种碳化硅MOSFET高温栅偏测试方法
- 本发明公开了一种碳化硅MOSFET高温栅偏测试方法，通过栅偏电压与阈值电压测试模块之间电子开关的快速切换，实现碳化硅MOSFET阈值电压在高温栅偏试验后的原位测试，防止阈值电压在实验后发生恢复，造成测试值的误差；通过正向...
- 刘奥柏松
- 文献传递
- 衬底减薄提高SiC二极管电流密度的研究被引量：3
- 2016年
- 利用自主生长的SiC外延材料,采用晶圆快速减薄与激光退火工艺结合研制600V/30ASiC肖特基二极管。先完成正面工艺,然后贴膜保护正面,SiC外延材料快速减薄到180μm左右,蒸发Ni之后采用激光退火工艺完成背面欧姆的制作,最后溅射TiNiAg完成SiC器件的研制。减薄完的晶圆比不减薄的晶圆正向压降Vf降低了0.15V,电流密度增大了近100%,器件的反向特性基本保持不变。
- 刘昊刘昊宋晓峰刘奥柏松杨立杰
- 关键词：4H-SIC减薄激光退火
- 碳化硅二极管和MOS管动态测试的限流保护方法及系统
- 本发明公开了一种碳化硅二极管和MOS管动态测试的限流保护方法，还公开了限流保护系统，包括时序控制器、电流检测装置、驱动器、保护开关和计算机。将限流保护过程分成了五个阶段，通过时序控制器控制这五个阶段进行五段式限流，相比传...
- 刘奥陈刚柏松
- 文献传递
- 一种碳化硅开关器件及制作方法
- 本发明公开了一种碳化硅开关器件及制作方法，降低沟道电阻在器件导通电阻中所占比例。本发明通过两次外延生长完成器件顶部结构加工，二次外延沟道区掺杂浓度低于侧向注入Pwell区的掺杂浓度，二次外延N+区掺杂浓度远高于侧向注入P...
- 黄润华柏松陶永洪汪玲刘奥李士颜刘昊
- 文献传递
- 1700V碳化硅MOSFET设计被引量：4
- 2014年
- 设计了一种击穿电压大于1 700V的SiC MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于1A,击穿电压高于1 800V。
- 黄润华陶永洪柏松陈刚汪玲刘奥卫能李赟赵志飞
- 关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管界面态
- 一种提高浪涌能力的碳化硅肖特基二极管结构及制备方法
- 本发明公开了一种提高浪涌能力的碳化硅肖特基二极管结构及制备方法，该结构包括第一导电类型碳化硅衬底、位于碳化硅衬底上的漂移层，以及阳极电极和以及阴极电极，其特征在于，漂移区表面具有第二导电类型主结、位于主结一侧的第二导电类...
- 黄润华柏松刘奥陈刚
- 4500V碳化硅肖特基二极管研究被引量：9
- 2013年
- 设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护效率进行了优化。器件采用50μm厚、掺杂浓度为1.2×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。正向电压4V下导通电流密度为80A/cm2。
- 黄润华李理陶永洪刘奥陈刚李赟柏松栗锐杨立杰陈堂胜
- 关键词：保护环
