陈刚
- 作品数：117 被引量：151H指数：6
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信经济管理文化科学天文地球更多>>
- 基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器被引量：6
- 2013年
- 针对当前极端环境下耐辐照半导体中子探测器的需求,采用耐高温、耐辐照的碳化硅宽禁带半导体材料,利用6 Li(n,α)3 H核反应原理,研制了基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器。利用磁控溅射完成中子转化层的制作,并用SEM表征6 LiF膜厚。在10～600V反向偏压下,漏电流维持在6.4nA以下,表明探测器具备良好的半导体-金属肖特基整流接触。利用241 Am源研究探测器对5.486 MeV的α粒子的响应,测得分辨率为4.5%。同时,利用该探测器测量了由临界装置产生并经石蜡块慢化后的热中子,观测到热中子与6 Li作用产生的α和T粒子信号的实验结果。
- 蒋勇吴健韦建军范晓强陈雨荣茹邹德慧李勐柏松陈刚李理
- 关键词：中子探测器宽禁带半导体4H-SIC
- L波段0.5mm SiC SIT被引量：1
- 2011年
- 作为测试小管芯,所研制的小栅宽(0.5mm)L波段SiC SIT器件,台面和栅凹槽线宽分别为1.0μm和1.5μm,源间距2.5μm,采用凹栅结构、Al注入形成PN结等优化手段,提高了器件的击穿特性和微波特性。0.5mm栅宽SiC SIT器件,输出功率通过负载牵引系统进行测试,在1.2GHz CW、50V工作电压下测量的输出功率密度达到7.55W/cm,功率增益在7.3dB;在1.4GHz CW、50V工作电压下测量的输出功率率密度达到了4.4W/cm,功率增益在5.76dB。
- 陶永洪柏松陈刚李理李赟尹志军
- 关键词：L波段碳化硅
- 城市历史地名时空数据模型研究
- 城市历史地名是城市历史、地理、文化等信息的载体,是见证城市历史发展的'活化石',是延续城市历史文脉的重要依托,以规范化、标准化、信息化的方式存储管理各个时期的城市历史地名,探索城市历史地名发生、发展及演变规律,对研究城市...
- 于靖陈刚张笑
- 关键词：时空数据模型
- 文献传递
- 一种基于游程表达和运算的地图成图方法
- 本发明涉及一种基于游程表达和运算的地图成图方法，属于计算机制图相关的矢量地图表达技术领域。其成图步骤包括：1、从空间数据库中抽取数据，分层组织形成矢量图层集合；2、矢量图层中各要素的符号化；3、将符号化后各图层中的地图符...
- 王结臣蒲英霞姚良马劲松陈刚
- 1200V 40A碳化硅肖特基二极管设计被引量：2
- 2016年
- 设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终端保护参数进行了优化。器件采用10μm厚度掺杂浓度为6E15cm-3的外延材料,终端保护采用浮空场限制环。正向电压1.75V时,导通电流达到40A。
- 汪玲黄润华刘奥陈刚柏松
- 关键词：肖特基势垒二极管
- 2.2～2.4 GHz 110W硅脉冲功率晶体管
- 2003年
- 傅义珠李学坤戴学梅王佃利王因生周德红康小虎梅海盛国兴陈刚
- 关键词：硅脉冲功率晶体管微波功率晶体管
- 3000V 10A 4H-SiC结型场效应晶体管的设计与制造被引量：6
- 2016年
- 介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC衬底上生长掺杂浓度(ND)为1.0×1015 cm-3,厚度为50μm的N-外延层,并采用本实验室开发的SiC JFET工艺进行了器件工艺加工。通过测试,当栅极偏压VG=-6V时,研制的SiC JFET可以阻断3 000V电压;当栅极偏压VG=7V、漏极电压VD=3V时,正向漏极电流大于10A,对应的电流密度为100A/cm2。
- 刘涛陈刚黄润华柏松陶永洪汪玲刘奥李赟赵志飞
- 普通高等学校野外生存训练课程的安全保障研究
- 本文从野外生存训练课程的实际出发,结合相关法律、法规,提出了该课程的安全保障体系、流程,以保证课程的健康发展,保障课程实施者的合法权益。为其他体育课程的安全保障体系建立,提供一个相对完善的、可借鉴的操作流程。
- 陈刚
- 关键词：高校野外生存训练课程安全保障
- 文献传递
- 1700V碳化硅MOSFET设计被引量：4
- 2014年
- 设计了一种击穿电压大于1 700V的SiC MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于1A,击穿电压高于1 800V。
- 黄润华陶永洪柏松陈刚汪玲刘奥卫能李赟赵志飞
- 关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管界面态
- 导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET
- 本文分别在导通和半绝缘4H SiC衬底上生长了MESFET结构的外延并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25-30 mS/mm,击穿电压大于120V.导通...
- 柏松陈刚李哲洋张涛汪浩蒋幼泉
- 关键词：碳化硅微波功率
- 文献传递
